半桥电磁器具的电磁加热控制方法和半桥电磁器具技术

本发明专利技术实施例提供一种半桥电磁器具的电磁加热控制方法和半桥电磁器具。所述方法包括：获取第一IGBT或第二IGBT对应的PWM的频率；在PWM的频率大于或等于IGBT的预设工作频率时，调整第一IGBT对应的第一PWM的占空比与第二IGBT对应的第二PWM的占空比；其中，调整第一PWM的占空比前与调整第一PWM的占空比后的第一IGBT的单次导通时长相同；调整PWM的占空比前与调整第二PWM的占空比后的第二IGBT的单次导通时长相同。可在半桥电磁器具处于低功率加热状态下，加热功率变化时，通过调整PWM的占空比调整其加热功率。从而使半桥电磁器具可以连续低功率加热，提高用户体验，也可以提高烹饪效果。

【技术实现步骤摘要】
半桥电磁器具的电磁加热控制方法和半桥电磁器具
本专利技术实施例涉及家用器具
，尤其涉及一种半桥电磁器具的电磁加热控制方法和半桥电磁器具。
技术介绍
半桥电磁炉在加热时，加热功率与脉冲宽度调制(Pulsewidthmodulation，PWM)频率有关，半桥电磁炉的控制系统通过调节上下桥臂绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)的导通和截止的频率(即PWM的频率)来控制交变磁场的大小，进而控制锅具感应电流的大小，即控制加热功率大小。其中，功率越大，PWM的频率越低，功率越小，PWM的频率越高。半桥电磁炉的加热功率非常小时，PWM的频率很高，会超过IGBT最高工作频率，导致IGBT导通或关断波形不同程度失真，使IGBT处于异常工作状态，例如IGBT不能关断，则IGBT上电流持续增大超出最大限制后，导致IGBT损坏。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种半桥电磁器具的电磁加热控制方法和半桥电磁器具，使半桥电磁器具可以连续低功率加热，提高用户体验，也可以提高烹饪效果。第一方面，本专利技术实施例提供一种半桥电磁器具的电磁加热控制方法，应用于半桥电磁器具，所述半桥电磁器具包括：电磁线圈、第一IGBT、第二IGBT、谐振电容，所述电磁线圈的一端连接在所述第一IGBT和所述第二IGBT之间，所述电磁线圈的另一端与谐振电容连接，所述第一IGBT的导通用于控制所述谐振电容储能，所述第二IGBT的导通用于控制所述谐振电容释能；所述第一IGBT与所述第二IGBT不同时导通；所述方法包括：获取所述第一IGBT或所述第二IGBT对应的PWM的频率；在所述PWM的频率大于或等于IGBT的预设工作频率时，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比；其中，调整第一PWM的占空比前与调整第一PWM的占空比后的所述第一IGBT的单次导通时长相同；调整第二PWM的占空比前与调整第二PWM的占空比后的所述第二IGBT的单次导通时长相同。本实施例，可在半桥电磁器具处于低功率加热状态下，加热功率变化时，通过调整PWM的占空比调整其加热功率。从而使半桥电磁器具可以连续低功率加热，提高用户体验，也可以提高烹饪效果。可选的，所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比相同。可选的，调整占空比后的第一PWM的频率小于等于所述预设工作频率；和，调整占空比后的第二PWM的频率小于等于所述预设工作频率。可选的，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比，包括：调整所述第二IGBT由导通变为截止的时刻与所述第一IGBT由截止变为导通的时刻之间的时长。可选的，所述方法还包括：获取所述半桥电磁器具的加热功率；调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比，包括：根据所述加热功率，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比。可选的，根据所述加热功率，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比，包括：若所述加热功率处于增加状态，则将所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比调小；若所述加热功率处于减少状态，则将所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比调大。可选的，所述方法还包括：在所述第一PWM的频率小于第一IGBT的预设工作频率时，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的频率；和，在所述第二PWM的频率小于第二IGBT的预设工作频率时，调整所述第二IGBT对应的第二PWM的频率。可选的，所述预设工作频率为所述第一IGBT和所述第二IGBT的最高工作频率。本实施例，在根据加热功率调节PWM的占空比或频率时，使第一IGBT和第二IGBT的频率始终在其最高工作频率内，避免第一IGBT和第二IGBT硬开，从而保护IGBT。可选的，所述第一IGBT和所述第二IGBT的最高工作频率为60kHz。第二方面，本专利技术实施例提供一种半桥电磁器具，电磁线圈、第一IGBT、第二IGBT、谐振电容以及控制单元，所述电磁线圈的一端连接在所述第一IGBT和所述第二IGBT之间，所述电磁线圈的另一端与谐振电容连接，所述第一IGBT的导通用于控制所述谐振电容储能，所述第二IGBT的导通用于控制所述谐振电容释能；所述第一IGBT与所述第二IGBT不同时导通；所述控制单元与所述第一IGBT、所述第二IGBT连接；所述控制单元，用于执行申请专利技术实施例第一方面任一项所述的方法。第三方面，本专利技术实施例提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质中存储有程序指令，所述程序指令被处理器执行时实现专利技术实施例第一方面任一项所述的方法。第四方面，本申请实施例提供一种程序产品，所述程序产品包括计算机程序，所述计算机程序存储在可读存储介质中，半桥电磁器具的处理单元可以从所述可读存储介质读取所述计算机程序，所述半桥电磁器具的处理单元执行所述计算机程序使得半桥电磁器具实施本申请专利技术实施例第一方面任一项所述的方法。本专利技术实施例提供一种半桥电磁器具的电磁加热控制方法和半桥电磁器具，通过获取第一IGBT或第二IGBT对应的PWM的频率；在PWM的频率大于或等于IGBT的预设工作频率时，调整第一IGBT对应的第一PWM的占空比与第二IGBT对应的第二PWM的占空比；其中，调整第一PWM的占空比前与调整第一PWM的占空比后的第一IGBT的单次导通时长相同；调整PWM的占空比前与调整第二PWM的占空比后的第二IGBT的单次导通时长相同。可在半桥电磁器具处于低功率加热状态下，加热功率变化时，通过调整PWM的占空比调整其加热功率。从而使半桥电磁器具可以连续低功率加热，提高用户体验，也可以提高烹饪效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一实施例提供的半桥电磁器具的加热电路的电路结构图；图2为本专利技术一实施例提供的半桥电磁器具的电磁加热控制方法的流程图；图3为本专利技术一实施例提供的PWM的时序图；图4为本专利技术另一实施例提供的半桥电磁器具的电磁加热控制方法的流程图；图5为本专利技术另一实施例提供的PWM的时序图；图6为本专利技术另一实施例提供的PWM的时序图；图7为本专利技术另一实施例提供的PWM的时序图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半桥电磁器具的电磁加热控制方法，其特征在于，应用于半桥电磁器具，所述半桥电磁器具包括：电磁线圈(110)、第一绝缘栅双极型晶体管IGBT、第二IGBT、谐振电容(C2)，所述电磁线圈(110)的一端连接在所述第一IGBT和所述第二IGBT之间，所述电磁线圈(110)的另一端与谐振电容(C2)连接，所述第一IGBT的导通用于控制所述谐振电容(C2)储能，所述第二IGBT的导通用于控制所述谐振电容(C2)释能；所述第一IGBT与所述第二IGBT不同时导通；所述方法包括：/n获取所述第一IGBT或所述第二IGBT对应的脉冲宽度调制PWM的频率；/n在所述PWM的频率大于或等于IGBT的预设工作频率时，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比；/n其中，调整第一PWM的占空比前与调整第一PWM的占空比后的所述第一IGBT的单次导通时长相同；/n调整第二PWM的占空比前与调整第二PWM的占空比后的所述第二IGBT的单次导通时长相同。/n

【技术特征摘要】
1.一种半桥电磁器具的电磁加热控制方法，其特征在于，应用于半桥电磁器具，所述半桥电磁器具包括：电磁线圈(110)、第一绝缘栅双极型晶体管IGBT、第二IGBT、谐振电容(C2)，所述电磁线圈(110)的一端连接在所述第一IGBT和所述第二IGBT之间，所述电磁线圈(110)的另一端与谐振电容(C2)连接，所述第一IGBT的导通用于控制所述谐振电容(C2)储能，所述第二IGBT的导通用于控制所述谐振电容(C2)释能；所述第一IGBT与所述第二IGBT不同时导通；所述方法包括：
获取所述第一IGBT或所述第二IGBT对应的脉冲宽度调制PWM的频率；
在所述PWM的频率大于或等于IGBT的预设工作频率时，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比；
其中，调整第一PWM的占空比前与调整第一PWM的占空比后的所述第一IGBT的单次导通时长相同；
调整第二PWM的占空比前与调整第二PWM的占空比后的所述第二IGBT的单次导通时长相同。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比相同。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，调整占空比后的第一PWM的频率小于等于所述预设工作频率；和，
调整占空比后的第二PWM的频率小于等于所述预设工作频率。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比，包括：
调整所述第二IGBT由导通变为截止的时刻与所述第一IGBT由截止变为导通的时刻之间的时长。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
获取所述半桥电磁器具的加热功率；
调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比...

【专利技术属性】
技术研发人员：周宇，
申请(专利权)人：浙江绍兴苏泊尔生活电器有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33