【技术实现步骤摘要】
高压放大器及其高压产生电路
本专利技术属于集成电路设计
，具体涉及一种高压放大器及其高压产生电路。
技术介绍
相对于传统传感器，MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystem，微型机电系统)传感器具有成本低、尺寸小、重量轻、功耗低等诸多优点，已经在消费电子、医疗健康、汽车电子、工业控制等领域实现了越来越多的应用。相对于压阻式、压电式、电磁式等其他敏感机理，电容式MEMS传感器具有灵敏度高、直流特性稳定、温漂小、功耗低，并且温度系数小等优点，广泛应用于压力、加速度、角速度、流量、湿度等测量中。作为惯性测量单元(IMU，InertialMeasurementUnit)的核心组件，MEMS加速度计和MEMS陀螺仪的性能直接影响了测控系统的精度。面对检测通路的大量低频噪声和失调，一般采用调制加低通滤波技术来消除。这就需要在MEMS质量块上施加一个交变的电压信号，此信号一方面为质量块提供极化电压(一般为高压，大于或远大于接口电路的电源)，另一方面还需提供一个调制载波(一般至少为MEMS谐振频率的1...
【技术保护点】
1.一种高压放大器，其特征在于，包括：/n电流镜差分电路，包括高压电源(VDDH)、输入对管和电流镜管，所述输入对管由第一场效应管(M1)和第二场效应管(M2)构成，所述电流镜管由第三场效应管(M3)和第四场效应管(M4)构成；/n尾部偏置电路，包括低压电源(VDDL)、恒定电流源(I1)、第五场效应管(M5)和第六场效应管(M6)，用于为所述电流镜差分电路提供偏置电流源；/n闭环反馈电路，结合所述电流镜差分电路和尾部偏置电路联合产生反馈信号，并将所述反馈信号输入所述第二场效应管(M2)的栅极；/n其中，第三场效应管(M3)的源极和第四场效应管(M4)的源极都和高压电源(V...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种高压放大器，其特征在于，包括：
电流镜差分电路，包括高压电源(VDDH)、输入对管和电流镜管，所述输入对管由第一场效应管(M1)和第二场效应管(M2)构成，所述电流镜管由第三场效应管(M3)和第四场效应管(M4)构成；
尾部偏置电路，包括低压电源(VDDL)、恒定电流源(I1)、第五场效应管(M5)和第六场效应管(M6)，用于为所述电流镜差分电路提供偏置电流源；
闭环反馈电路，结合所述电流镜差分电路和尾部偏置电路联合产生反馈信号，并将所述反馈信号输入所述第二场效应管(M2)的栅极；
其中，第三场效应管(M3)的源极和第四场效应管(M4)的源极都和高压电源(VDDH)相连，第三场效应管(M3)和第四场效应管(M4)的栅极相连，并且都与第三场效应管(M3)的漏极相连，第三场效应管(M3)的漏极连接到第一场效应管(M1)的漏极，第四场效应管(M4)的漏极连接到第二场效应管(M2)的漏极；
第一场效应管(M1)的栅极接入正向输入端(Vin)，第四场效应管(M4)的漏极接出输出端(Vout)，第一场效应管(M1)和第二场效应管(M2)的源极相连，并且都与第五场效应管(M5)的漏极相连；
所述低压电源(VDDL)通过恒定电流源(I1)接入第六场效应管(M6)的漏极，第五场效应管(M5)和第六场效应管(M6)的栅极相连，并且都与第六场效应管(M6)的漏极相连，第五场效应管(M5)和第六场效应管(M6)的源极共同接地。
2.根据权利要求1所述的高压放大器，其特征在于，所述闭环反馈电路为闭环电阻反馈，包括第一电阻(R1)和第二电阻(R2)，所述第一电阻(R1)连接在第二场效应管(M2)的栅极和漏极之间，第二电阻(R2)连接在第二场效应管(M2)的栅极和第五场效应管(M5)的源极之间。
3.根据权利要求1所述的高压放大器，其特征在于，所述闭环反馈电路为闭环电容反馈，包括第一电容(C1)、第三电阻(R3)和第二电容(C2)，所述第一电容(C1)连接在第二场效应管(M2)的栅极和漏极之间，所述第二电容(C2)连接在第二场效应管(M2)的栅极和第五场效应管(M5)的源极之间，所述第三电阻(R3)并联接入第一电容(C1)的两端。
4.根据权利要求1所述的高压放大器，其特征在于，所述高压放大器还包括负载电容(CL)，所述负载电容(CL)连接在第四场效应管(M4)的漏极和第五场效应管(M5)的源极之间。
技术研发人员：陈华，刘珂，孟真，阎跃鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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