一种MOS场效应管驱动电路及控制方法技术

本发明专利技术公开了一种MOS场效应管驱动电路及控制方法，属于驱动电路技术领域。现有的分立元件搭建的驱动电路，无法有效确保对输入的PWM信号的二个边沿有相同的延时，导致信号的传输失真。本发明专利技术的一种MOS场效应管驱动电路，设置边沿检测模块A、延时模块B，用于将INPUT输入脉冲信号的二个边沿分成A和B二个信号通道分别进行处理。所述边沿检测模块A，用于对输入脉冲信号的一个边沿，产生一脉冲信号；所述延时模块B，用于对输入脉冲信号的二个边沿分别进行延时；本发明专利技术设置边沿检测模块A和延时模块B，使得输入脉冲信号上升沿的延时可调并与下降沿的延时匹配，进而能够有效确保输入脉冲信号的二个边沿延时相同，实现信号的准确传输，避免信号传输失真，特别适用于高频率的驱动场合。

【技术实现步骤摘要】
一种MOS场效应管驱动电路及控制方法
本专利技术涉及一种MOS场效应管驱动电路及控制方法，属于驱动电路

技术介绍
中国专利(公开号:CN110798199A)公开了一种MOS管驱动电路，该MOS管驱动电路与MOS管连接，该MOS管驱动电路包括：驱动功率电源、电平转换模块及推挽模块；驱动功率电源分别与电平转换模块及推挽模块连接，为电平转换模块提供待转换电压，为推挽模块提供工作电压；电平转换模块对驱动功率电源提供的待转换电压进行转换，并向推挽模块输出门电压；推挽模块接收门电压，并结合驱动功率电源提供的工作电压对MOS管的栅极推挽输出控制电压。上述的MOS管驱动电路实现了低压电池侧高边应用中对MOS管的开通和关断的控制，避免了使用结构复杂、成本高的隔离型驱动芯片，精简了驱动电路的结构，并降低了驱动电路的成本。但上述方案的驱动电路，无法有效确保对输入的PWM信号的二个边沿有相同的延时。当工作频率比较低的时候，二个边沿延时不相同占信号周期的比例不高，这点差异，对信号传输精度的影响不大；但是当频率提高以后，这个比例就大幅上升，导致信号的传本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOS场效应管驱动电路，其特征在于，/n设置边沿检测模块A、延时模块B，用于将输入脉冲信号的二个边沿分成A和B二个信号通道分别进行处理；/n所述边沿检测模块A，用于对输入脉冲信号的一个边沿，产生一脉冲信号，其包括电容C1、电阻R1、逻辑反向器INV1；/n所述电容C1和电阻R1，用于确定其输出脉冲的宽度；/n所述逻辑反向器INV1，用于将输入脉冲信号反向；/n所述延时模块B，用于对输入脉冲信号的二个边沿分别进行延时，其包括逻辑反向器INV2、逻辑反向器INV3、二极管D1、电阻R2和电容C2；/n所述逻辑反向器INV2和逻辑反向器INV3为二个级联的逻辑反向器，故其输入脉冲信号和输出信...

【技术特征摘要】
1.一种MOS场效应管驱动电路，其特征在于，
设置边沿检测模块A、延时模块B，用于将输入脉冲信号的二个边沿分成A和B二个信号通道分别进行处理；
所述边沿检测模块A，用于对输入脉冲信号的一个边沿，产生一脉冲信号，其包括电容C1、电阻R1、逻辑反向器INV1；
所述电容C1和电阻R1，用于确定其输出脉冲的宽度；
所述逻辑反向器INV1，用于将输入脉冲信号反向；
所述延时模块B，用于对输入脉冲信号的二个边沿分别进行延时，其包括逻辑反向器INV2、逻辑反向器INV3、二极管D1、电阻R2和电容C2；
所述逻辑反向器INV2和逻辑反向器INV3为二个级联的逻辑反向器，故其输入脉冲信号和输出信号同向，且信号通过二个级联的逻辑反向器后存在时延；
所述二极管D1、电阻R2和电容C2，用于对输入脉冲信号的二个边沿分别进行延时，以使得输入脉冲信号的一个边沿的延时可调并与另一个边沿的延时相匹配。


2.如权利要求1所述的一种MOS场效应管驱动电路，其特征在于，
所述边沿检测模块A连接一电平转换模块C；
所述电平转换模块C用于将边沿检测模块A的逻辑电平转换为驱动负载所需的电压。


3.如权利要求1所述的一种MOS场效应管驱动电路，其特征在于，
还包括预驱动模块D、功率驱动模块F；
所述预驱动模块D，用于直接驱动后级的功率驱动电路F；
所述功率驱动模块F，用于实现对外部大容性负载的快速开关操作。


4.如权利要求3所述的一种MOS场效应管驱动电路，其特征在于，
所述预驱动模块D，包括场效应晶体管M2、场效应晶体管M3；
所述场效应晶体管M2，用于驱动后级的PMOS管或NMOS管；
所述场效应晶体管M3，具备等效脱离电路连接的特性，用于提前为输入脉冲信号的上升沿预留操作时间，确保在输入脉冲信号的正跳变沿到来时，场效应管M3已经处于等效脱离电路的状态，使得场效应晶体管M2的驱动能力能够100％地用于驱动后级电路，实现电路性能的大幅提升，以提高电路的工作频率；同时对场效应晶体管M1的极性进行变换，以形成对称的电路结构。


5.如权利要求3所述的一种MOS场效应管驱动电路，其特征在于，
所述功率驱动模块F包括场效应晶体管M4、场效应晶体管M5；
所述场效应晶体管M5，用于向外输出大电流；
所述场效应晶体管M4，用于向内吸入大电流。


6.如权利要求5所述的一种MOS场效应管驱动电路，其特征在于，
所述功率驱动模块F前端设置一偏置模块E；
所述偏置模块E，用于确保电路在静态时输出端的OUTPUT输出信号处于低电平状态。


7.如权利要求6所述的一种MOS场效应管驱动电路，其特征在于，
所述偏置模块E包括电阻R4和电阻R5；
所述电阻R4和电阻R5组成场效应晶体管M4和场效应晶体管M5的静态偏置单元，用于避免场效应晶体管M4和场效应晶体管M5处于浮动的不确定状态，确保在静态时场效应晶体管M4处于导通状态，场效应晶体管M5处...

【专利技术属性】
技术研发人员：林德桂，来健，李荣焕，胡民秦，陈长林，
申请(专利权)人：杭州东城电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33