显示基板、显示装置及掩膜版制造方法及图纸

本公开提供了一种显示基板、显示装置及掩膜版，包括：衬底基板，衬底基板包括多个子像素区，子像素区包括开口区和非开口区；多个发光器件，位于衬底基板之上；发光器件包括层叠设置的第一电极、发光层和第二电极；其中，每个发光器件的第一电极和发光层对应设置在一个开口区，全部发光器件的第二电极构成一体化的面状电极；第一取光层，位于发光层与第二电极之间；第一取光层设置于至少部分非开口区内；第一取光层的折射率大于第二电极的折射率；第二取光层，位于第二电极背离第一取光层的一侧；第二取光层在衬底基板上的正投影完全覆盖第一取光层在衬底基板上的正投影，且第二取光层的折射率大于第二电极的折射率。

【技术实现步骤摘要】
显示基板、显示装置及掩膜版
本公开涉及显示
，尤其涉及一种显示基板、显示装置及掩膜版。
技术介绍
有机电致发光(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示装置是基于有机电致发光二极管的显示屏。其具备自发光、对比度高、分辨率高、厚度小、视角广、响应速度快、色彩饱和、低能耗、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，被誉为梦幻显示，受到了越来越多的关注，应用前景广阔。
技术实现思路
一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括：衬底基板，所述衬底基板包括多个子像素区，所述子像素区包括开口区和非开口区；多个发光器件，位于所述衬底基板之上；所述发光器件包括层叠设置的第一电极、发光层和第二电极；其中，每个所述发光器件的所述第一电极和所述发光层对应设置在一个所述开口区，全部所述发光器件的所述第二电极构成一体化的面状电极；第一取光层，位于所述发光层与所述第二电极之间；所述第一取光层设置于至少部分所述非开口区内；所述第一取光层的折射率大于所述第二电极的折射率；第二取光层，位于所述第二电极背离所述第一取光层的一侧；所述第二取光层在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述第一取光层在所述衬底基板上的正投影，且所述第二取光层的折射率大于所述第二电极的折射率。可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述第二取光层整面设置在所述第二电极之上。可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述第一取光层的折射率和所述第二取光层的折射率分别为1.8-2.5，所述第二电极的折射率为1.4-1.6。可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一取光层的厚度、所述第二取光层的厚度分别大于所述第二电极的厚度。可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述第一取光层的厚度与所述第二取光层的厚度相等。可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述第一取光层的厚度与所述第二取光层的厚度为12nm-60nm，所述第二电极的厚度为10nm-14nm。可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；其中，所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别具有一个所述开口区；所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区为正六边形；所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区构成重复单元，在行方向上循环排列；奇数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，偶数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，且奇数行的各所述子像素区与偶数行的各所述子像素区沿行方向错开半个所述子像素区的距离；所述第一取光层设置于相邻两行的三个所述子像素区中搭接的所述非开口区。可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，三个所述子像素区包括：相邻两行所述子像素区中，前一行的相邻两个所述子像素区和后一行的一个所述子像素区。可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，三个所述子像素区包括：相邻两行所述子像素区中，前一行的相邻两个所述子像素区和后一行的一个所述子像素区；以及相邻两行所述子像素区中，后一行的相邻两个所述子像素区和前一行的一个所述子像素区；所述第一取光层包括第一部分和第二部分；其中，所述第一部分设置于前一行相邻两个所述子像素区、及后一行一个所述子像素区；所述第二部分设置于后一行相邻两个所述子像素区、及前一行一个所述子像素区。可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；其中，所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别具有一个所述开口区；所述第一子像素区和所述第二子像素区分别为正方形，所述第三子像素区为长方形；所述第一子像素区和所述第二子像素区在列方向上交替设置，所述第三子像素区所在列与所述第一子像素区、所述第二子像素区所在列在行方向上交替设置，且一个所述第三子像素区与一列中的两个所述第一子像素区、及两个所述第二子像素区接触设置；所述第一取光层设置于每两列所述第三子像素区所含所述开口区之间在行方向上的所述非开口区。可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；其中，所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别具有一个所述开口区；所述第一子像素区和所述第二子像素区分别为正方形，所述第三子像素区为长方形；所述第一子像素区和所述第二子像素区在列方向上交替设置，所述第三子像素区所在列与所述第一子像素区、所述第二子像素区所在列在行方向上交替设置，且一个所述第三子像素区与一列中的两个所述第一子像素区、及两个所述第二子像素区接触设置；所述第一取光层包括第一部分和第二部分；其中，所述第一部分设置于所述第一子像素区所含所述开口区与所述第二子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区，且在行方向上，所述第一部分的宽度与所述第一子像素区所含所述开口区的宽度、及所述第二子像素区所含所述开口区的宽度相等；所述第二部分设置于所述第一子像素区所含所述开口区与所述第三子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区、以及所述第二子像素区所含所述开口区与所述第三子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区。可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；其中，所述第一子像素区和所述第二子像素区分别具有一个开口区，所述第三子像素区具有两个开口区；所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别为非正多边形的六边形；所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区构成重复单元，在行方向上循环排列；奇数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，偶数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，且奇数行的各所述子像素区与偶数行的各所述子像素区沿行方向错开半个所述子像素区的距离；所述第一取光层设置于每相邻两个所述第一子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区、每相邻两个所述第二子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区、以及每相邻两个所述第三子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区。可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；其中，所述第二子像素区具有两个所述开口区，所述第一子像素区和所述第三子像素区分别具有一个所述开口区；所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别为非正多边形的六边形；所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区构成重复单元，在行方向上循环排列；奇数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，偶数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，且奇数行的各所述子像素区与偶数行的各所述子像素区沿行方向错开半个所述子像素区的距离；所述第一取光层包括第一部分和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板，其中，包括：/n衬底基板，所述衬底基板包括多个子像素区，所述子像素区包括开口区和非开口区；/n多个发光器件，位于所述衬底基板之上；所述发光器件包括层叠设置的第一电极、发光层和第二电极；其中，每个所述发光器件的所述第一电极和所述发光层对应设置在一个所述开口区，全部所述发光器件的所述第二电极构成一体化的面状电极；/n第一取光层，位于所述发光层与所述第二电极之间；所述第一取光层设置于至少部分所述非开口区内；所述第一取光层的折射率大于所述第二电极的折射率；/n第二取光层，位于所述第二电极背离所述第一取光层的一侧；所述第二取光层在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述第一取光层在所述衬底基板上的正投影，且所述第二取光层的折射率大于所述第二电极的折射率。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其中，包括：
衬底基板，所述衬底基板包括多个子像素区，所述子像素区包括开口区和非开口区；
多个发光器件，位于所述衬底基板之上；所述发光器件包括层叠设置的第一电极、发光层和第二电极；其中，每个所述发光器件的所述第一电极和所述发光层对应设置在一个所述开口区，全部所述发光器件的所述第二电极构成一体化的面状电极；
第一取光层，位于所述发光层与所述第二电极之间；所述第一取光层设置于至少部分所述非开口区内；所述第一取光层的折射率大于所述第二电极的折射率；
第二取光层，位于所述第二电极背离所述第一取光层的一侧；所述第二取光层在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述第一取光层在所述衬底基板上的正投影，且所述第二取光层的折射率大于所述第二电极的折射率。


2.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述第二取光层整面设置在所述第二电极之上。


3.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一取光层的折射率和所述第二取光层的折射率分别为1.8-2.5，所述第二电极的折射率为1.4-1.6。


4.如权利要求1所述的显示基板，其中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一取光层的厚度、所述第二取光层的厚度分别大于所述第二电极的厚度。


5.如权利要求4所述的显示基板，其中，所述第一取光层的厚度与所述第二取光层的厚度相等。


6.如权利要求5所述的显示基板，其中，所述第一取光层的厚度与所述第二取光层的厚度为12nm-60nm，所述第二电极的厚度为10nm-14nm。


7.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；其中，
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别具有一个所述开口区；所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区为正六边形；
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区构成重复单元，在行方向上循环排列；
奇数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，偶数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，且奇数行的各所述子像素区与偶数行的各所述子像素区沿行方向错开半个所述子像素区的距离；
所述第一取光层设置于相邻两行的三个所述子像素区中搭接的所述非开口区。


8.如权利要求7所述的显示基板，其中，三个所述子像素区包括：相邻两行所述子像素区中，前一行的相邻两个所述子像素区和后一行的一个所述子像素区。


9.如权利要求7所述的显示基板，其中，三个所述子像素区包括：相邻两行所述子像素区中，前一行的相邻两个所述子像素区和后一行的一个所述子像素区；以及相邻两行所述子像素区中，后一行的相邻两个所述子像素区和前一行的一个所述子像素区；
所述第一取光层包括第一部分和第二部分；其中，所述第一部分设置于前一行相邻两个所述子像素区、及后一行一个所述子像素区；所述第二部分设置于后一行相邻两个所述子像素区、及前一行一个所述子像素区。


10.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；其中，
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别具有一个所述开口区；所述第一子像素区和所述第二子像素区分别为正方形，所述第三子像素区为长方形；
所述第一子像素区和所述第二子像素区在列方向上交替设置，所述第三子像素区所在列与所述第一子像素区、所述第二子像素区所在列在行方向上交替设置，且一个所述第三子像素区与一列中的两个所述第一子像素区、及两个所述第二子像素区接触设置；
所述第一取光层设置于每两列所述第三子像素区所含所述开口区之间在行方向上的所述非开口区。


11.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；其中，
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别具有一个所述开口区；所述第一子像素区和所述第二子像素区分别为正方形，所述第三子像素区为长方形；
所述第一子像素区和所述第二子像素区在列方向上交替设置，所述第三子像素区所在列与所述第一子像素区、所述第二子像素区所在列在行方向上交替设置，且一个所述第三子像素区与一列中的两个所述第一子像素区、及两个所述第二子像素区接触设置；
所述第一取光层包括第一部分和第二部分；其中，所述第一部分设置于所述第一子像素区所含所述开口区与所述第二子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区，且在行方向上，所述第一部分的宽度与所述第一子像素区所含所述开口区的宽度、及所述第二子像素区所含所述开口区的宽度相等；所述第二部分设置于所述第一子像素区所含所述开口区与所述第三子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区、以及所述第二子...

【专利技术属性】
技术研发人员：景姝，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11