转移基板及其制备方法、转移装置制造方法及图纸

本申请提供一种转移基板及其制备方法、转移装置。所述转移基板包括基板；位于所述基板至少一表面的吸附层，所述吸附层远离所述基板的一侧设有多个芯片底座；其中，所述转移基板还包括位于所述基板和所述吸附层之间的阻挡层。本申请通过在基板和吸附层之间增加一阻挡层，所述阻挡层可以打断所述吸附层材料中的应力传递，降低所述吸附层整体收缩率，从而可以实现大型化转移基板的制备。

【技术实现步骤摘要】
转移基板及其制备方法、转移装置
本申请涉及显示
，尤其涉及一种转移基板及其制备方法、转移装置。
技术介绍
Micro-LED即发光二极管(LED：LightEmittingDiode)微缩技术，是指将传统LED阵列化、微缩化后定址巨量转移到电路基板上，形成超小间距LED，将毫米级别的LED长度进一步微缩到微米级，以达到超高像素、超高解析率。MicroLED具备无需背光源、能够自发光的特性，与有机发光二极管(OLED：OrganicLight-EmittingDiode)相似，但相比OLED，MicroLED色彩更容易准确的调试，有更长的发光寿命和更高的亮度，且封装要求低，更容易实现柔性及无缝拼接显示，是未来极具发展潜力的未来显示器。目前，Micro-LED技术中转移技术通常会采用高精度控制的打印头，进行弹性印模(Stamp)，利用范德华力让LED黏附在转移头上，然后放置到目标衬底片上去。然而，现有的弹性印模制备方法中，采用小型硅基板作为基底只能制备出大概10mm*10mm的尺寸的TFT-LCD面板，然后再通过拼接等方式来实现大型化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种转移基板，其特征在于，包括基板；位于所述基板一侧的吸附层，所述吸附层远离所述基板的一侧设有多个芯片底座；/n其中，所述转移基板还包括位于所述基板和所述吸附层之间的阻挡层。/n

【技术特征摘要】
1.一种转移基板，其特征在于，包括基板；位于所述基板一侧的吸附层，所述吸附层远离所述基板的一侧设有多个芯片底座；
其中，所述转移基板还包括位于所述基板和所述吸附层之间的阻挡层。


2.如权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述阻挡层包括多个在所述基板上呈阵列排布的凸起，且相邻所述凸起间的距离相等。


3.如权利要求2所述的转移基板，其特征在于，相邻两个所述凸起的间距为10微米～100微米。


4.如权利要求3所述的转移基板，其特征在于，所述吸附层在所述基底上的正投影覆盖所述凸起在所述基板上的正投影。


5.如权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述阻挡层包括在所述基板上呈网格图案的凸部，所述网格形状为规则网格或不规则网格。


6.如权利要求5所述的转移基板，其特征在于，所述凸部的高度为10微米～50微米。


7.如权利要求1所述的转移基...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵冬梅，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44