一种用于多碱光电阴极基底的导电及封接薄膜及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种用于多碱光电阴极基底的导电及封接薄膜及制备方法，该薄膜为在基底上的多层结构的金属薄膜，其自基底向外分别是铬层薄膜、铜层薄膜和银层薄膜，各层薄膜的厚度分别为

【技术实现步骤摘要】
一种用于多碱光电阴极基底的导电及封接薄膜及制备方法
本专利技术涉及微光像增强器制造领域，具体涉及一种用于多碱光电阴极基底的导电及封接薄膜及制备方法。
技术介绍
微光像增强器是微光夜视仪的核心组件，属于高真空器件，微光像增强器多碱光电阴极基底与管壳之间的导电性和封接效果会直接影响微光像增强器的性能。微光像增强器在工作时，需要对阴极施加稳定的电压获得一个稳定的电场。在电场的作用下，多碱光电阴极产生的电子撞击微通道板，进行二次电子发射，实现电子倍增。多碱光电阴极制作时，根据采集到的阴极光电流变化曲线来控制碱源蒸发电流，进而控制多碱光电阴极的制作。因此，需要多碱光电阴极基底具有良好的导电性。微光像增强器主要由阳极荧光屏、管壳和多碱光电阴极组成，多碱光电阴极基底与管壳的密封性是影响微光像增强器真空度的重要原因。光电阴极基底使用铟封法与管壳封接，因此还需要多碱光电阴极基底与铟锡合金具有良好的粘接性。多碱光电阴极基底与管壳的封接方法通常采用铟封法，虽然铟锡合金与玻璃材料具有良好的粘接性，但在实际生产中铟封漏气的比例依旧很高。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于多碱光电阴极基底的导电及封接薄膜，其特征在于：/n所述的薄膜为在基底上的蒸镀的铬层薄膜、铜层薄膜和银层薄膜；/n所述铬层薄膜蒸镀在基底表面，从基底边缘覆盖至中心台阶面内4mm；/n所述铜层薄膜蒸镀在铬层薄膜正上方，覆盖范围从基底边缘向内延伸6mm；/n所述银层薄膜蒸镀在铜层薄膜表面，完全覆盖铜层薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于多碱光电阴极基底的导电及封接薄膜，其特征在于：
所述的薄膜为在基底上的蒸镀的铬层薄膜、铜层薄膜和银层薄膜；
所述铬层薄膜蒸镀在基底表面，从基底边缘覆盖至中心台阶面内4mm；
所述铜层薄膜蒸镀在铬层薄膜正上方，覆盖范围从基底边缘向内延伸6mm；
所述银层薄膜蒸镀在铜层薄膜表面，完全覆盖铜层薄膜。


2.根据权利要求1所述的用于多碱光电阴极基底的导电及封接薄膜，其特征在于：
所述铬层薄膜的厚度为


3.根据权利要求2所述的用于多碱光电阴极基底的导电及封接薄膜，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈超，龚燕妮，陈坤杨，高海鹏，李晓峰，张春先，潘治云，常乐，王光凡，杜木林，
申请(专利权)人：北方夜视技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：云南;53