一种双端发射阴极结构的相对论磁控管制造技术

本发明专利技术公开了一种双端发射阴极结构的相对论磁控管，属于微波技术领域。该相对论磁控管为全腔轴向提取结构，包括阳极外壳、高频结构、能量耦合槽缝、扇形波导、同轴波导、TEM‑TM01模式变换器、输出圆波导、引导磁场线圈以及阴极结构，其中阴极结构包括两个阴极端帽、对称设置的两个发射阴极、以及中心连接导体。本发明专利技术采用虚阴极方案可以有效地解决由于互作用区间中爆炸式发射产生的等离子体所带来的脉冲缩短、频率漂移、效率降低等问题，能够有效提高相对论磁控管的输出功率和功率转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种双端发射阴极结构的相对论磁控管
本专利技术属于微波
，具体涉及一种应用于相对论磁控管的阴极结构。
技术介绍
相对论磁控管由于其结构简单紧凑、高转换效率等特点而被广泛应用于各类高功率微波系统。但高功率微波器件一直以来都存在着脉冲缩短的问题。脉冲缩短是指输出微波脉冲相对于产生高功率微波的电子束脉冲提前终止的现象。针对高功率微波源的长脉冲输出需求，目前国内外正大力开展虚阴极相对论磁控管的研究。现有一种基于虚阴极技术的相对论磁控管如图1所示(Anefficientallcavityaxialextractionrelativisticmagnetronwithvirtualcathode[J],R.Cheng,T.Li,F.Qin,L.Lei,D.Wang,H.Wang,F.M.GhannouchiandB.Hu,IEEETrans.ElectronDevices.,vol.67,no.5,pp.2165-2169,May.2020)。它包括阳极外筒1-1、高频结构1-2、能量耦合槽缝1-3、扇形波导1-4、同轴波导1-5、TEM-T本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双端发射阴极结构的相对论磁控管，所述相对论磁控管为全腔轴向提取结构，包括阳极外壳(2-1)、高频结构(2-2)、能量耦合槽缝(2-3)、扇形波导(2-4)、同轴波导(2-5)、TEM-TM

【技术特征摘要】
1.一种双端发射阴极结构的相对论磁控管，所述相对论磁控管为全腔轴向提取结构，包括阳极外壳(2-1)、高频结构(2-2)、能量耦合槽缝(2-3)、扇形波导(2-4)、同轴波导(2-5)、TEM-TM01模式变换器(2-6)、输出圆波导(2-7)、引导磁场线圈(2-8)以及阴极结构，其特征在于：
所述阴极结构包括上游阴极端帽(3-1)、上游阴极(3-2)、中心连接导体(3-3)、下游阴极(3-4)、下游阴极端帽(3-5)；
所述上游阴极端帽(3-1)右侧面与下游阴极端帽左侧面关于高频结构(2-1)轴向线中点对称；
所述上游阴极(3-2)与下游阴极(3-4)的形状相同，且关于高频结构(2-1)轴向线中点对称设置；
所述中心连接导体(3-3)用于连接上游阴极端帽(3-1)、上游发射阴极(3-2)、下游发射阴极(3-4)及下游阴极端帽(3-5)。


2.如权利要求1所述的一种双端发射阴极结构的相对论磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：程仁杰，李天明，汪海洋，胡标，李浩，周翼鸿，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51