SQUID电流传感器以及制备方法技术

本申请涉及一种SQUID电流传感器以及制备方法。SQUID电流传感器包括第一底电极结构、第二底电极结构、第三底电极结构、第四底电极结构、输入线圈、反馈线圈。第一底电极结构包括第一线圈与第二线圈，且连接。第二底电极结构与第一底电极结构并联连接。第二底电极结构包括第三线圈与第四线圈，且连接。第三底电极结构与第二底电极结构并联连接。第三底电极结构包括第五线圈与第六线圈。第五线圈与第六线圈连接。第四底电极结构与第三底电极结构并联连接。第四底电极结构包括第七线圈与第八线圈。第七线圈与第八线圈连接。输入线圈靠近第一线圈、第三线圈、第五线圈、第七线圈设置。反馈线圈靠近第二线圈、第四线圈、第六线圈、第八线圈设置。

【技术实现步骤摘要】
SQUID电流传感器以及制备方法
本申请涉及低温超导
，特别是涉及一种SQUID电流传感器以及制备方法。
技术介绍
超导量子干涉仪(SQUID)是一类极灵敏的磁通传感器件，任何可以转化为磁通量的物理量都可以被SQUID探测到，比如磁强，磁化率，电流等。通常可以将SQUID分为磁场探测的磁强计、梯度计，磁化率计，电流传感器，噪声温度计等。其中小信号读出的SQUID电流传感器具有极高的电流灵敏度，极低的电流噪声，十分适用于超导转变边缘探测器(TES)、金属磁性量能器(MMC)等低温超导探测器的信号放大读出。高性能TES探测器均采用恒压偏置的方式工作，具有低阻抗，弱电流的特点，需要与之匹配的低阻抗、高增益、高电流灵敏度、低噪声的器件才能实现读出。目前，读出型SQUID电流传感器与TES探测器组成的低温探测系统，已发展成为重大科学仪器的信号低温读出核心部件，广泛用于宇宙微波背景极化探测，太赫兹天文，太赫兹安检，近红外光学波段的光子探测，X射线大型光源线站束流检测，X射线以及γ射线空间天文，α粒子，中微子，暗物质之类的粒子测量等。然本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SQUID电流传感器，其特征在于，包括：/n第一底电极结构(10)，所述第一底电极结构(10)包括第一线圈(110)与第二线圈(120)，所述第一线圈(110)与所述第二线圈(120)连接；/n第二底电极结构(20)，所述第二底电极结构(20)与所述第一底电极结构(10)并联连接，所述第二底电极结构(20)包括第三线圈(210)与第四线圈(220)，所述第三线圈(210)与所述第四线圈(220)连接；/n第三底电极结构(30)，所述第三底电极结构(30)与所述第二底电极结构(20)并联连接，所述第三底电极结构(30)包括第五线圈(310)与第六线圈(320)，所述第五线圈(310)与所...

【技术特征摘要】
1.一种SQUID电流传感器，其特征在于，包括：
第一底电极结构(10)，所述第一底电极结构(10)包括第一线圈(110)与第二线圈(120)，所述第一线圈(110)与所述第二线圈(120)连接；
第二底电极结构(20)，所述第二底电极结构(20)与所述第一底电极结构(10)并联连接，所述第二底电极结构(20)包括第三线圈(210)与第四线圈(220)，所述第三线圈(210)与所述第四线圈(220)连接；
第三底电极结构(30)，所述第三底电极结构(30)与所述第二底电极结构(20)并联连接，所述第三底电极结构(30)包括第五线圈(310)与第六线圈(320)，所述第五线圈(310)与所述第六线圈(320)连接；
第四底电极结构(40)，所述第四底电极结构(40)与所述第三底电极结构(30)并联连接，所述第四底电极结构(40)包括第七线圈(410)与第八线圈(420)，所述第七线圈(410)与所述第八线圈(420)连接；
输入线圈(50)，所述输入线圈(50)靠近所述第一线圈(110)、所述第三线圈(210)、所述第五线圈(310)以及所述第七线圈(410)设置；
反馈线圈(60)，所述反馈线圈(60)靠近所述第二线圈(120)、所述第四线圈(220)、所述第六线圈(320)以及所述第八线圈(420)设置。


2.根据权利要求1所述的SQUID电流传感器，其特征在于，所述第一线圈(110)包括：
多个开槽型间隔设置的第一环形结构(111)，每个所述第一环形结构(111)具有第一端与第二端；
第一连接结构(901)，多个所述第一环形结构(111)的第一端通过所述第一连接结构(901)连接；
第二连接结构(902)，多个所述第一环形结构(111)的第二端通过所述第二连接结构(902)连接；
所述第一线圈(110)、所述第三线圈(210)、所述第五线圈(310)以及所述第七线圈(410)的结构相同。


3.根据权利要求2所述的SQUID电流传感器，其特征在于，所述第二线圈(120)包括：
多个开槽型间隔设置的第一半环形结构(121)，每个所述第一半环形结构(121)具有第一端与第二端；
多个所述第一半环形结构(121)的第一端通过所述第一连接结构(901)连接；
第三连接结构(903)，多个所述第一半环形结构(121)的第二端通过所述第三连接结构(903)连接；
多个开槽型间隔设置的第二半环形结构(122)，与多个所述第一半环形结构(121)相对设置，每个所述第二半环形结构(122)具有第一端与第二端；
多个所述第二半环形结构(122)的第一端通过所述第二连接结构(902)连接；
第四连接结构(904)，多个所述第二半环形结构(122)的第二端通过所述第四连接结构(904)连接；
所述第二线圈(120)、所述第四线圈(220)、所述第六线圈(320)以及所述第八线圈(420)的结构相同。


4.根据权利要求3所述的SQUID电流传感器，其特征在于，所述输入线圈(50)包括：
第一输入结构(510)，靠近所述第一线圈(110)设置；
第二输入结构(520)，与所述第一输入结构(510)连接，且所述第二输入结构(520)靠近所述第三线圈(210)设置；
第三输入结构(530)，与所述第二输入结构(520)连接，且所述第三输入结构(530)靠近所述第五线圈(310)设置；
第四输入结构(540)，与所述第三输入结构(530)连接，且所述第四输入结构(540)靠近所述第七线圈(410)设置。


5.根据权利要求4所述的SQUID电流传感器，其特征在于，所述第一输入结构(510)包括多个第一子输入结构(511)；
多个所述第一子输入结构(511)与多个所述第一环形结构(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：高鹤，李劲劲，王仕建，刘聪展，李正伟，
申请(专利权)人：中国计量科学研究院，
类型：发明
国别省市：北京;11