【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】将晶体管置于导通状态的触发方法
本专利技术涉及电压转换,并且更特别地涉及将用于切换准谐振直流到直流电压转换器的晶体管置于导通状态的触发方法。
技术介绍
直流到直流(也称为DCDC)电压转换器使得能够将输入电压(例如12V)转换为较高的输出电压(例如65V),或者反之亦然。原理在于,用电流对线圈充电,并借助于开关、特别是例如MOS型的晶体管周期性地切断电流。在这样的解决方案中,将晶体管置于导通状态和置于阻断状态的交替产生了称为“切换损耗”的损耗。更确切地说,在将晶体管置于导通状态(本领域技术人员称为置于“开(ON)”)的时候,当电流尚在线圈中流动时、并且当晶体管在其漏极和其源极之间具有正电压时,会产生这些损耗。这些损耗随同时在线圈和晶体管中流动的电流强度以及晶体管两端的电压而增大。然而,抑制这些损耗非常重要,因为它们会大幅降低转换器的效率。一种使得能够减小切换损耗的解决方案称为“准谐振”DCDC转换器,该解决方案在于将晶体管置于导通状态的时刻的触发与时间间隔(称为“谐振时间间隔”)同步,在所述谐振时间间隔期间, ...
【技术保护点】
1.将用于切换准谐振直流到直流电压转换器(1)的晶体管(30)置于导通状态的触发方法,所述转换器(1)被馈送有输入电压(V
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180710 FR 18563131.将用于切换准谐振直流到直流电压转换器(1)的晶体管(30)置于导通状态的触发方法,所述转换器(1)被馈送有输入电压(VIN)并且包括控制模块(10)和感应线圈(20),感应线圈(20)连接到包括漏极(D)、源极(S)和栅极(G)的场效应晶体管(30),所述栅极(G)连接到控制模块(10)以使所述控制模块(10)操控晶体管(30)处于导通状态或阻断状态,在导通状态中电流在漏极(D)和源极(S)之间导通,在阻断状态中阻断漏极(D)和源极(S)之间的电流,在晶体管(30)断开时,在漏极(D)处测得的电压呈现以下形式:方波随后是阻尼正弦振荡,所述阻尼正弦振荡绕转换器(1)的输入电压(VIN)为中心并且以其周期(TRES)为特征,所述方法包括以下步骤:
•将晶体管(30)的漏极电压(VDRAIN)相移预定时间相移值,预定时间相移值对应于以下两个持续时间之差:一个持续时间为阻尼正弦振荡的周期(TRES)的四分之一,并且另一个持续时间为操控晶体管(30)置于导通状态与所述晶体管(30)实际传导之间经过的持续时间,
•当相移后的电压(VDRAIN_DPH)等于转换器(1)的输入电压(VIN)时,触发操控晶体管(30)置于导通状态,以使晶体管(30)在漏极电压(VDRAIN)的值最小时开始传导。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,预定时间相移值是通过使用RC型相移滤波器获得的,所述RC型相移滤波器的电阻(R)的值与电容(C)的值的乘积等于:
其中,TRES是阻尼正弦振荡的周期,并且tM是操控晶体管(30)置于导通状态与所述晶体管(30)实际传导之间经过的持续时间。
3.根据前一权利要求所述的方法,其中,相移滤波器的电阻(R)的值与电容(C)的值的乘积例如在0至300ns之间。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,其中,晶体管(30)是MOS型晶体管。
5.用于机动车辆的准谐振直流到直流电压转换器(1),所述转换器(1)被馈送有输入电压(VIN)并且包括控制模块(10)和感应线圈(20),感应线圈(20)连接到包括漏极(D)、源极(S)和栅极(G)的场效应晶体管(30),所述栅极(G)连接到控制模块(10)以使所述控制模块(10)操控晶体管(30)处于导通状态或阻断状态,在导通状态中电流在漏极(D)和源极(S)之间导通,在阻断状态中阻断漏极(D)和源极(S)之间的电流,在晶体管(30)断开时,在漏极(D)处测得的电压(VDRAIN)呈现以下形式:方...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·卡纳沃,C·比尔曼,T·巴伏瓦,
申请(专利权)人:纬湃科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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