【技术实现步骤摘要】
H桥转换器的软转换技术
本公开涉及开关电路,并且更具体地涉及启动和关闭H桥开关电路。
技术介绍
H桥转换器可用于许多不同的应用,诸如但不限于低压差开关电源的驱动器电路、负载(诸如电动机负载、其他电感性负载、电阻性负载、电容性负载或其组合)的驱动器。在H桥的启动和关闭期间,系统可能会遇到电压或电流尖峰。在关闭期间,系统的剩余能量在无控制的情况下会耗散。
技术实现思路
根据本公开的一个方面,提供有一种用于终端控制和切换耦合到负载的H桥转换器的方法,所述H桥转换器具有在第一节点耦合到所述负载的第一半桥和在第二节点耦合到所述负载的第二半桥,每个半桥具有在第一桥节点处与第二开关串联耦合的第一开关,并且每个半桥耦合在第一电源轨和第二电源轨之间,所述方法包含:在第一间隔期间使参考电压在第一电平和第二电平之间倾斜;在所述第一间隔期间独立地控制所述第一半桥和所述第二半桥中的每个的输出电压;以及在第二定时间隔期间将所述第一半桥和所述第二半桥作为全H桥进行控制。根据本公开的另一个方面,提供有一种H桥转换器,其具有被配置 ...
【技术保护点】
1.一种用于终端控制和切换耦合到负载的H桥转换器的方法,所述H桥转换器具有在第一节点耦合到所述负载的第一半桥和在第二节点耦合到所述负载的第二半桥,每个半桥具有在第一桥节点处与第二开关串联耦合的第一开关,并且每个半桥耦合在第一电源轨和第二电源轨之间,所述方法包含:/n在第一间隔期间使参考电压在第一电平和第二电平之间倾斜;/n在所述第一间隔期间独立地控制所述第一半桥和所述第二半桥中的每个的输出电压;以及/n在第二定时间隔期间将所述第一半桥和所述第二半桥作为全H桥进行控制。/n
【技术特征摘要】
20190502 US 16/401,6331.一种用于终端控制和切换耦合到负载的H桥转换器的方法,所述H桥转换器具有在第一节点耦合到所述负载的第一半桥和在第二节点耦合到所述负载的第二半桥,每个半桥具有在第一桥节点处与第二开关串联耦合的第一开关,并且每个半桥耦合在第一电源轨和第二电源轨之间,所述方法包含:
在第一间隔期间使参考电压在第一电平和第二电平之间倾斜;
在所述第一间隔期间独立地控制所述第一半桥和所述第二半桥中的每个的输出电压;以及
在第二定时间隔期间将所述第一半桥和所述第二半桥作为全H桥进行控制。
2.根据权利要求1所述的方法,其中在所述第一间隔期间独立地控制所述第一半桥和所述第二半桥中的每个的输出电压包括:
在所述第一间隔期间将所述第一节点的电压电平伺服到所述参考电压;以及
在所述第一间隔期间将所述第二节点的电压电平伺服到所述参考电压。
3.根据权利要求2所述的方法,其中在第二定时间隔期间将所述第一半桥和所述第二半桥作为全H桥进行控制包括在所述第二定时间隔期间将所述第一节点与所述第二节点之间的差分电压伺服为零电压。
4.根据权利要求2所述的方法,其中所述第一间隔是当所述参考电压低于第一阈值时。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述第二间隔是当所述参考电压高于所述第一阈值时。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一间隔在所述第二间隔之前,以提供所述H桥转换器的软启动。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二间隔在所述第一间隔之前,以提供所述H桥转换器的软停止。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一电源轨与所述第二电源轨之间的电压差为所述H桥转换器提供电源电压;
其中所述参考电压的所述第一电平指示所述第二电源轨的电压电平;并且
其中所述参考电压的所述第二电平指示所述电源电压的一半。
9.根据权利要求1所述的方法,其包括:从在所述第一间隔期间独立地控制所述第一半桥和所述第二半桥中的每个转换到在第二定时间隔期间将所述第一半桥和所述第二半桥作为全H桥进行控制时,以所述第一间隔的开关周期的偏移量来调整所述第一半桥或所述第二半桥中的一个的开关序列。
10.根据权利要求1所述的方法,其中对所述第一节点的所述电压电平进行伺服包括:使耦合在所述第一半桥的所述桥节点与所述负载之间的第一LC电路通电。
11.根据权利要求1所述的方法,其中对所述第一节点的所述电压电平进行伺服包括:使耦合在所述第二半桥的所述桥节点与所述负载之间的第二LC电路通电。
12.一种H桥转换器,其具有被配置成耦合到负载的第一半桥和被配置成耦合到所述负载的第二半桥,每个半桥具有在桥节点处在第一电源轨与第二电源轨之间与第二开关串联耦合的第一开关,所述H桥转换器进一步包含:
第一误差放大器,其被配置成接收所述第一半桥的第一输出电压和第一参考的表示;
第二误差放大器,其被配置成接收所述第二半桥的第二输出电压和所述第一参考的表示;以及
控制器,其被配置成基于所述第一误差放大器的输出和所述第二误差放大器的输出来控制所述H桥转换器的所述第一半桥和所述第二半桥的所述第一和第二开...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈海,G·J·休吉斯,
申请(专利权)人:亚德诺半导体国际无限责任公司,
类型:发明
国别省市:爱尔兰;IE
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