【技术实现步骤摘要】
一种基于SIW的多层介质板过渡转换结构
本专利技术涉及微波毫米波电路工程
,具体涉及一种基于SIW的多层介质板过渡转换结构。
技术介绍
由于具有高Q、低插损以及高功率容量等优点,传统金属波导已经在微波毫米波电路系统里面被广泛采用,可是金属波导体积大,价格高,不方便与平面电路集成。而微带线虽然加工集成方便,但是其在高频时具有很大的插入损耗微波,为了结合金属波导和微带线共同的优点,前些年一些学者提出一种基片集成波导技术,这种技术采用在介质上打金属孔,从而形成介质填充波导的形式。基片集成波导很适合与平面集成,并且可以使用多种加工工艺(PCB工艺、半导体工艺)大规模制造。在微波毫米波电路系统中,层间过渡转换结构是非常常见的电路组成部分。关于SIW(基片集成波导)结构的转换结构已经很多,比如微带线到SIW转换,矩形波导到SIW的转换,层间缝隙耦合结构,层间矩形窗耦合结构等等,在实际应用的过程中,涉及到层间转换,可能会面临更为复杂的状况,比如上下层SIW结构的层叠厚度差异很大,导致波导阻抗差异大,正常的缝隙矩形窗耦合已无法 ...
【技术保护点】
1.一种基于SIW的多层介质板过渡转换结构,其特征在于:包括多层微波毫米波介质板、SIW导波结构、耦合线结构、辐射耦合部,所述SIW导波结构包括多个金属孔与设置在各层微波毫米波介质板上下表面的金属层,金属层之间通过所述金属孔连接,所述耦合线结构设置在多层所述微波毫米波介质板的两端,两端的所述耦合线结构通过所述辐射耦合部连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于SIW的多层介质板过渡转换结构,其特征在于:包括多层微波毫米波介质板、SIW导波结构、耦合线结构、辐射耦合部,所述SIW导波结构包括多个金属孔与设置在各层微波毫米波介质板上下表面的金属层,金属层之间通过所述金属孔连接,所述耦合线结构设置在多层所述微波毫米波介质板的两端,两端的所述耦合线结构通过所述辐射耦合部连接。
2.根据权利要求1所述的一种基于SIW的多层介质板过渡转换结构,其特征在于:所述辐射耦合部包括单个金属孔磁耦合结构、金属层电耦合结构,一端耦合线结构、所述单个金属孔磁耦合结构、所述金属层电耦合结构、另一端耦合线结构依次连接。
3.根据权利要求2所述的一种基于SIW的多层介质板过渡转换结构,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:廖胜宝,陈林,姚武生,涂昊,
申请(专利权)人:博微太赫兹信息科技有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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