【技术实现步骤摘要】
一种基于同质结摩尔纹尺寸预测界面摩擦系数的方法
本专利技术涉及计算分子
,具体而言,涉及一种基于同质结摩尔纹尺寸预测界面摩擦系数的方法。
技术介绍
二维材料因其较高的比表面以及特殊的物理效应,如界面效应、量子效应、尺寸效应和量子隧道效应,使得宏观摩擦规律不再适用,研究并建立二维材料的摩擦学规律,对于二维材料在纳米器件中的应用十分重要。二维同质结相对扭转一定角度后,由于晶格失配产生摩尔纹结构,摩尔纹的形成会改变二维材料原有的电荷分布;原子结构和电荷分布的变化使得二维同质结展现出独特的性能,如石墨烯魔角:1.1°扭转角激发了石墨烯的常温超导特性。鉴于此,研究二维同质结层间摩擦学规律,对二维同质结材料在纳米器件领域的应用和精确设计必要且重要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基于同质结摩尔纹尺寸预测界面摩擦系数的方法。为实现上述目的,本专利技术所提供的技术解决方案是:一种基于同质结摩尔纹尺寸预测界面摩擦系数的方法,其特殊之处在于,包括以下步骤:1)通过建模软件建立 ...
【技术保护点】
1.一种基于同质结摩尔纹尺寸预测界面摩擦系数的方法,其特征在于,包括以下步骤:/n1)通过建模软件建立公度接触的二维双层同质结模型;转动二维双层同质结模型的其中一层,形成不同扭转角度的非公度接触同质结模型;分别提取不同扭转角度形成的摩尔纹结构的摩尔超晶胞,并将其转换为分子动力学模拟软件可识别的模型;/n2)选取能够反映所述二维双层同质结模型中所有原子之间相互作用力的势函数;/n3)设定模拟系综、边界条件以及分子动力学模拟参数;/n4)在设定的模拟系综和边界条件下,对提取的所有摩尔超晶胞分别进行结构优化,使所有摩尔超晶胞的结构达到能量最低点;/n5)在设定的模拟系综和边界条件 ...
【技术特征摘要】
1.一种基于同质结摩尔纹尺寸预测界面摩擦系数的方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)通过建模软件建立公度接触的二维双层同质结模型;转动二维双层同质结模型的其中一层,形成不同扭转角度的非公度接触同质结模型;分别提取不同扭转角度形成的摩尔纹结构的摩尔超晶胞,并将其转换为分子动力学模拟软件可识别的模型;
2)选取能够反映所述二维双层同质结模型中所有原子之间相互作用力的势函数;
3)设定模拟系综、边界条件以及分子动力学模拟参数;
4)在设定的模拟系综和边界条件下,对提取的所有摩尔超晶胞分别进行结构优化,使所有摩尔超晶胞的结构达到能量最低点;
5)在设定的模拟系综和边界条件下,根据设定的分子动力学模拟参数,采用分子动力学模拟软件模拟摩尔超晶胞的层间相对滑动,计算并输出不同摩尔纹尺寸摩尔超晶胞层间滑动的摩擦系数,并拟合得到同质结摩尔纹尺寸与层间摩擦系数的数值关系;
6)根据步骤5)获得的数值关系,预测摩擦系数。
2.根据权利要求1所述基于同质结摩尔纹尺寸预测界面摩擦系数的方法,其特征在于:
所述建模软件为LAMMPS内部建模工具或者MaterialsStudio;
所述分子动力学模拟软件采用LAMMPS。
3.根据权利要求2所述基于同质结摩尔纹尺寸预测界面摩擦系数的方法,其特征在于,步骤1)具体为:
通过建模软件MaterialsStudio建立公度接触的二维双层同质结模型,并使二维双层同质结模型的上层以其结构中心为原点,以Z轴为旋转轴,沿X-Y平面依次扭转,同时提取不同扭转角度形成的摩尔纹结构的摩尔超晶胞,并将其转换为LAMMPS可识别的模型;
其中,X-Y平面与上层所在平面平行,Z轴与上层所在平面垂直;
所述扭转角度范围根据摩尔超晶胞结构的对称性确定。
4.根据权利要求3所述基于同质结摩尔纹尺寸预测界面摩擦系数的方法,其特征在于:
所述二维双层同质结为双层石墨炔。
5.根据权利要求4所述基于同质结摩尔纹尺寸预测界面摩擦系数的方法,其特征在于:
步骤1)中,所述扭转角度为1°~59°,步长为1°。...
【专利技术属性】
技术研发人员:范晓丽,周峰,阮晓鹏,王晓梅,李璨,
申请(专利权)人:西北工业大学,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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