一种集成电路散热性能测试方法技术

本发明专利技术属于集成电路性能测试技术领域，尤其为一种集成电路散热性能测试方法，包括以下步骤：步骤S1：将集成电路元器件固定于风洞中；步骤S2：在室温一定，自然对流，加热功率恒定的条件下进行一次测试；步骤S3：在加热功率恒定，按照一定的通过集成电路元器件的冷空气流量条件下，进行二次测试；步骤S4：在室温一定的条件下，按设定的温变速率，将集成电路元器件加热或降温至预设温度，对集成电路元器件在整个过程中进行测试。本发明专利技术采用多环境综合散热性能测试方式，能够准确反映集成电路在各环境条件下的散热性能特性，有效获取集成电路应用在模拟环境中的散热性能参数，对促进集成电路质量及可靠性研究设计具有重要意义。

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路散热性能测试方法
本专利技术涉及集成电路性能测试
，具体为一种集成电路散热性能测试方法。
技术介绍
在集成电路
中，几乎所有芯片在进入市场前，都需要经过很多环节严格的测试，而每个环节的都会产生海量信息数据，包括整合验证数据、功能性能测试数据、测试条件、测试环境信息等芯片全套数测试相关信息。半导体集成电路制程的最后一道工序，是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电学性能，如响应时间、消耗功率、精度和噪声、运行速度、电压耐压度等等。其中的一些电学性能相对于温度的变化会产生一定的漂移或变化，所以为了保证芯片最终应用时的可靠性，很多集成电路产品都需要进行散热性能测试，尤其是针对一些汽车级、工业级产品。不同温度下产品的电学性能表现会影响到整机系统的稳定性、安全性等，所以评估集成电路散热性能显得尤为重要。但现有的应用于集成电路散热性能测试方法测试所得数据的精确性及可靠性较低，多为在单一环境下完成集成电路的散热性能测试，缺乏在综合条件下的测试手段，获取的参考数据不能满足集成电路质量及可靠性研究设计需求。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路散热性能测试方法，其特征在于：包括以下步骤：/n步骤S1：将集成电路元器件固定于风洞中；/n步骤S2：在室温一定，自然对流，加热功率恒定的条件下，将集成电路元器件加热到一定温度不变后，对集成电路元器件散热性能进行一次测试，并记录综合数据；/n步骤S3：在加热功率恒定的条件下，将集成电路元器件加热到一定温度不变后，按照一定的通过集成电路元器件的冷空气流量条件下，对集成电路元器件散热性能进行二次测试，并记录综合数据；/n步骤S4：在室温一定的条件下，按设定的温变速率，将集成电路元器件加热或降温至预设温度，对集成电路元器件加热或降温整个过程中其散热性能进行监测，并记录综合数据；/n步...

【技术特征摘要】
1.一种集成电路散热性能测试方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤S1：将集成电路元器件固定于风洞中；
步骤S2：在室温一定，自然对流，加热功率恒定的条件下，将集成电路元器件加热到一定温度不变后，对集成电路元器件散热性能进行一次测试，并记录综合数据；
步骤S3：在加热功率恒定的条件下，将集成电路元器件加热到一定温度不变后，按照一定的通过集成电路元器件的冷空气流量条件下，对集成电路元器件散热性能进行二次测试，并记录综合数据；
步骤S4：在室温一定的条件下，按设定的温变速率，将集成电路元器件加热或降温至预设温度，对集成电路元器件加热或降温整个过程中其散热性能进行监测，并记录综合数据；
步骤S5：将经S2步骤、S3步骤及S4步骤监测所得的综合数据上传至服务器，由服务器对各项测试综合数据进行整合及综合分析处理。


2.根据权利要求1所述的一种集成电路散热性能测试方法，其特征在于：所述S2步骤与S4步骤中，室温设置为25℃。


3.根据权利要求1所述的一种集成电路散热性能测试方法，其特征在于：所述S2步骤中，综合性能包括室温条件、对流条件、加热功率条件、集成电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：余执钧，邓焕，
申请(专利权)人：南京能晶电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32