一种同时分选碳化硅粉料密度和粒径的装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术属于碳化硅分选技术领域，特别涉及一种同时分选碳化硅粉料密度和粒径的装置和方法。本发明专利技术提供的装置，包括主管线，沿水平分选方向，所述主管线依次划分为连通的进气‑进料部1、沉降部2和降尘部3；所述进气‑进料部1包括并列设置的进气口1‑1和进料口1‑2；所述主管线的沉降部2位置设置有向下的沉降口，所述沉降口连通有分级沉积‑振动腔4，沿垂直分选方向，所述分级沉积‑振动腔4包括由上至下的多级分选腔4‑1和振筛机4‑3；所述多级分选腔4‑1中设置有分选筛网4‑2，所述多级分选腔4‑1与所述沉降部2连通。采用本发明专利技术提供的装置可以高效的实现不同密度、不同粒径的碳化硅粉料的筛分，且无扬尘出现。

【技术实现步骤摘要】
一种同时分选碳化硅粉料密度和粒径的装置和方法
本专利技术属于碳化硅分选
，特别涉及一种同时分选碳化硅粉料密度和粒径的装置和方法。
技术介绍
SiC材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子迁移率高和热导率高的特性，成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料。高纯SiC粉料是SiC单晶生长的关键原材料，SiC粉料的粒径和密度对SiC晶体的结晶质量起到至关重要的作用：粉料粒径过小，容易随着生长腔中的气流漂浮，在晶体中产生包裹物缺陷；粉料粒径过大，则容易分解不均匀，在晶体中诱发微管缺陷；粉料密度过小，容易造成填料量不足，造成生长中后期组分失衡，产生多型缺陷；粉料密度过大，容易造成分解过快，增加过饱和度，在晶体诱发微管缺陷。因此，需要粒径和密度可控的SiC粉料以满足SiC单晶生长的需要，进而有利于提高SiC单晶生长质量。SiC粉料通常通过自蔓延燃烧获得，自蔓延SiC粉料合成过程中，坩埚不同区域合成的SiC粉料粒径、密度不相同，需要对粉料进行分选。但是传统振动筛分选方式，分选过程中只能筛分粒径，不能对密度进行筛分，而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种同时分选碳化硅粉料密度和粒径的装置，包括主管线，沿水平分选方向，所述主管线依次划分为连通的进气-进料部(1)、沉降部(2)和降尘部(3)；/n所述进气-进料部(1)包括并列设置的进气口(1-1)和进料口(1-2)；/n所述主管线的沉降部(2)位置设置有向下的沉降口，所述沉降口连通有分级沉积-振动腔(4)，沿垂直分选方向，所述分级沉积-振动腔(4)包括由上至下的多级分选腔(4-1)和振筛机(4-3)；所述多级分选腔(4-1)中设置有分选筛网(4-2)，所述多级分选腔(4-1)与所述沉降部(2)连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种同时分选碳化硅粉料密度和粒径的装置，包括主管线，沿水平分选方向，所述主管线依次划分为连通的进气-进料部(1)、沉降部(2)和降尘部(3)；
所述进气-进料部(1)包括并列设置的进气口(1-1)和进料口(1-2)；
所述主管线的沉降部(2)位置设置有向下的沉降口，所述沉降口连通有分级沉积-振动腔(4)，沿垂直分选方向，所述分级沉积-振动腔(4)包括由上至下的多级分选腔(4-1)和振筛机(4-3)；所述多级分选腔(4-1)中设置有分选筛网(4-2)，所述多级分选腔(4-1)与所述沉降部(2)连通。


2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述多级分选腔(4-1)分割为多个竖直腔体；
所述多级分选腔(4-1)的每个竖直腔体中设置有一个筛网，沿水平分选方向，所述多个竖直腔体内筛网的孔径逐渐减小。


3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述分选筛网(4-2)包括6个筛网；沿水平分选方向，所述多级分选筛网(4-2)的6个筛网的孔径依次为0.5mm、0.4mm、0.3mm、0.2mm、0.1mm和0.05mm。


4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述降尘部(3)包括除尘风机(3-1)和除尘袋(3-2)；
沿水平分选方向，所述除尘袋连接于主管线尾端端部；所述除尘风机(3-1)设置在主管线上沉降部(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏汝省，李斌，赵丽霞，马康夫，靳霄曦，樊晓，
申请(专利权)人：山西烁科晶体有限公司，
类型：发明
国别省市：山西;14