一种晶圆棒拼接用涂胶模板及其涂胶方法技术

技术编号:28596331 阅读:41 留言:0更新日期:2021-05-28 15:47
本发明专利技术提供一种晶圆棒拼接用涂胶模板及其涂胶方法,包括本体,本体与晶圆棒结构相适配;本体侧面设有切割区,切割区将本体侧面分割成主区和副区,主区位于切割区内侧,副区位于切割区外侧,切割区和主区均与本体同轴设置;主区至少包括一个主涂胶区,主涂胶区面积之和小于主区面积且大于非主涂胶区面积之和;副区包括若干副涂胶区,副涂胶区面积之和小于副区面积;主涂胶区和副涂胶区均为封闭结构,主涂胶区和副涂胶区靠近切割区的最小距离均不小于10mm。本发明专利技术涂胶模板,可控制胶液涂覆范围,保证在切割硅棒边皮料或磨削硅方棒时没有胶液粘接在金刚线或砂轮上,保证产品质量,提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆棒拼接用涂胶模板及其涂胶方法
本专利技术属于太阳能单晶硅棒生产
,尤其是涉及一种晶圆棒拼接用涂胶模板及其涂胶方法。
技术介绍
降低切割成本是发展太阳能光伏生产技术的大趋势,而单刀切割满载量是降低切割成本的主要方式之一,因此线切设备中单刀切割晶圆棒整棒的棒长有标准要求,在定向划线取标准整棒的情况下,无法避免出现许多非标准的晶圆棒,这些非标准晶圆棒可一起拼接形成标准长度的。将非标准长度的晶圆棒拼接后形成长度与标准整棒长度一样的硅棒,可以进一步提高设备的满载量,降低非标准短晶圆棒的库存,进而降低生产成本。目前在生产硅片过程中,需要先用金刚线切割去除晶圆棒的边皮料形成硅方棒,再将硅方棒用砂轮进行磨削加工,对硅方棒侧平面和倒角进行磨削。而晶圆棒拼接是在晶圆棒端面进行满面涂胶,即拼接后的胶液会填满整个拼缝空隙,但在去除晶圆棒边皮料以及在后续磨削加工时,拼接面上的胶液会附着在线切用的金刚线和磨削用的砂轮上,进而影响金刚线或砂轮的磨削速度,严重影响加工质量,使得金刚线和砂轮使用寿命也会大大减少。目前也有在粘接时,仅在晶圆棒端面上四本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆棒拼接用涂胶模板,其特征在于,包括本体,所述本体与晶圆棒结构相适配;所述本体侧面设有切割区,所述切割区将所述本体侧面分割成主区和副区,所述主区位于所述切割区内侧,所述副区位于所述切割区外侧,所述切割区和所述主区均与所述本体同轴设置;所述主区至少包括一个主涂胶区,所述主涂胶区面积之和小于所述主区面积且大于非所述主涂胶区面积之和;所述副区包括若干副涂胶区,所述副涂胶区面积之和小于所述副区面积;所述主涂胶区和所述副涂胶区靠近所述切割区的最小距离均不小于10mm。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆棒拼接用涂胶模板,其特征在于,包括本体,所述本体与晶圆棒结构相适配;所述本体侧面设有切割区,所述切割区将所述本体侧面分割成主区和副区,所述主区位于所述切割区内侧,所述副区位于所述切割区外侧,所述切割区和所述主区均与所述本体同轴设置;所述主区至少包括一个主涂胶区,所述主涂胶区面积之和小于所述主区面积且大于非所述主涂胶区面积之和;所述副区包括若干副涂胶区,所述副涂胶区面积之和小于所述副区面积;所述主涂胶区和所述副涂胶区靠近所述切割区的最小距离均不小于10mm。


2.根据权利要求1所述的一种晶圆棒拼接用涂胶模板,其特征在于,所述主涂胶区对称设置在所述主区内且与所述主区同轴心;置于所述主区中心位置的所述主涂胶区为实心结构。


3.根据权利要求2所述的一种晶圆棒拼接用涂胶模板,其特征在于,所述主涂胶区间隔设置在所述主区内,相邻所述主涂胶区之间的距离小于所述主涂胶区的宽度。


4.根据权利要求1-3任一项所述的一种晶圆棒拼接用涂胶模板,其特征在于,所述主涂胶区为圆形或正方形结构。


5.根据权利要求4所述的一种晶圆棒拼接用涂胶模板,其特征在于,所述副...

【专利技术属性】
技术研发人员:白建军张红霞杨田磊王倬赵晓明
申请(专利权)人:内蒙古中环光伏材料有限公司
类型:发明
国别省市:内蒙古;15

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