控制电路以及传感器装置制造方法及图纸

本发明专利技术抑制电源断路时电流从信号线向电源线的回绕而防止中间电位的输出。本发明专利技术为一种控制电路(11)，其接受来自电源线(L11)的电源电压而将输出信号输出至信号线(L12)，其具备：负载(R11)，其设置在电源线与信号线之间；第一晶体管(P11)，其设置在负载与信号线之间；第二晶体管(P12)，其设置在第一晶体管的阱与电源线之间；以及栅极控制电路(15)，其在电源断路时将第一晶体管的栅极端子以及第二晶体管的栅极端子连接至信号线，截断第一晶体管及第二晶体管。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】控制电路以及传感器装置
本专利技术涉及控制电路以及传感器装置。
技术介绍
以往，作为接受电源电压进行动作的控制电路，已知有利用电源的反接来保护电路的控制电路(例如参考专利文献1)。专利文献1记载的控制电路在电源线与信号线之间设置有第一晶体管(PMOS晶体管)，在电源线与第一晶体管的阱(体)之间设置有阱控制用的第二晶体管(PMOS晶体管)。第一晶体管、第二晶体管的栅极端子连接到接地。在电源反接时，第一晶体管、第二晶体管被截断，从而防止从接地去往电源线的电流。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2016-192838号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在专利文献1记载的控制电路中，在电源断路时，第一晶体管、第二晶体管的栅极变为接地电位，由此使得第一晶体管、第二晶体管导通。此外，电源线变为接地电位，因此在信号电位为High时第一晶体管、第二晶体管导通，从而存在电流从信号线回绕至电源线而输出中间电位这一问题。本专利技术要解决所述问题，其目的在于提供一种能够抑制电源断路时电流本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种控制电路，其接受来自电源线的电源电压而将输出信号输出至信号线，其特征在于，具备：/n负载，其设置在所述电源线与所述信号线之间；/n第一晶体管，其设置在所述负载与所述信号线之间或者所述电源线与所述负载之间；/n第二晶体管，其设置在所述第一晶体管的阱与所述电源线之间；以及/n栅极控制电路，其在电源断路时将所述第一晶体管的栅极端子以及所述第二晶体管的栅极端子连接至所述信号线，截断所述第一晶体管及所述第二晶体管。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181018 JP 2018-1962951.一种控制电路，其接受来自电源线的电源电压而将输出信号输出至信号线，其特征在于，具备：
负载，其设置在所述电源线与所述信号线之间；
第一晶体管，其设置在所述负载与所述信号线之间或者所述电源线与所述负载之间；
第二晶体管，其设置在所述第一晶体管的阱与所述电源线之间；以及
栅极控制电路，其在电源断路时将所述第一晶体管的栅极端子以及所述第二晶体管的栅极端子连接至所述信号线，截断所述第一晶体管及所述第二晶体管。


2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，
在平常动作时，所述栅极控制电路将所述第一晶体管的栅极端子以及所述第二晶体管的栅极端子连接至接地，经由所述第二晶体管将所述第一晶体管的阱电位设为电源电位，由此使所述第一晶体管导通。


3.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，
所述第一晶体管为第一PMOS晶体管，
所述第二晶体管为第二PMOS晶体管，
所述栅极控制电路具有：
第一元件，其设置在所述第一PMOS晶体管的栅极端子以及所述第二PMOS晶体管的栅极端子的连接点与接地之间；以及
第二元件，其设置在所述第一PMOS晶体管的栅极端子以及所述第二PMOS晶体管的栅极端子的连接点与所述信号线之间，
在平常动作时，经由所述第一元件将所述第一PMOS晶体管的栅极端子以及所述第二PMOS晶体管的栅极端子连接至接地，在电源断路时，经由所述第二元件将所述第一PMOS晶体管的栅极端子以及所述第二PMOS晶体管的栅极端子连接至所述信号线。


4.根据权利要求3所述的控制电路，其特征在于，
所述第一元件为NMOS晶体管，所述第二元件为第三PMOS晶体管，
所述NMOS晶体管的栅极端子连接到所述电源线，所述第三PMOS晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤尭生，小田部晃，中川树生，
申请(专利权)人：日立安斯泰莫株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP