控制电路以及传感器装置制造方法及图纸

本发明专利技术抑制电源断路时电流从信号线向电源线的回绕而防止中间电位的输出。本发明专利技术为一种控制电路(11)，其接受来自电源线(L11)的电源电压而将输出信号输出至信号线(L12)，其具备：负载(R11)，其设置在电源线与信号线之间；第一晶体管(P11)，其设置在负载与信号线之间；第二晶体管(P12)，其设置在第一晶体管的阱与电源线之间；以及栅极控制电路(15)，其在电源断路时将第一晶体管的栅极端子以及第二晶体管的栅极端子连接至信号线，截断第一晶体管及第二晶体管。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】控制电路以及传感器装置
本专利技术涉及控制电路以及传感器装置。
技术介绍
以往，作为接受电源电压进行动作的控制电路，已知有利用电源的反接来保护电路的控制电路(例如参考专利文献1)。专利文献1记载的控制电路在电源线与信号线之间设置有第一晶体管(PMOS晶体管)，在电源线与第一晶体管的阱(体)之间设置有阱控制用的第二晶体管(PMOS晶体管)。第一晶体管、第二晶体管的栅极端子连接到接地。在电源反接时，第一晶体管、第二晶体管被截断，从而防止从接地去往电源线的电流。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2016-192838号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在专利文献1记载的控制电路中，在电源断路时，第一晶体管、第二晶体管的栅极变为接地电位，由此使得第一晶体管、第二晶体管导通。此外，电源线变为接地电位，因此在信号电位为High时第一晶体管、第二晶体管导通，从而存在电流从信号线回绕至电源线而输出中间电位这一问题。本专利技术要解决所述问题，其目的在于提供一种能够抑制电源断路时电流从信号线向电源线的回绕而防止中间电位的输出的控制电路以及传感器装置。解决问题的技术手段本专利技术的一形态的控制电路接受来自电源线的电源电压而将输出信号输出至信号线，其特征在于，具备：负载，其设置在所述电源线与所述信号线之间；第一晶体管，其设置在所述负载与所述信号线之间或者所述电源线与所述负载之间；第二晶体管，其设置在所述第一晶体管的阱与所述电源线之间；以及栅极控制电路，其在电源断路时将所述第一晶体管的栅极端子以及所述第二晶体管的栅极端子连接至所述信号线，截断所述第一晶体管及所述第二晶体管。专利技术的效果根据本专利技术，通过在电源断路时截断第一晶体管、第二晶体管，能够抑制电流从信号线向电源线的回绕而防止中间电位的输出。本专利技术相关的更多特征将根据本说明书的记述、附图而加以明确。此外，根据以下实施方式的说明，将明确上述以外的课题、构成及效果。附图说明图1为第一实施方式的传感器装置的电路图。图2为第一实施方式的平常动作时的说明图。图3为第一实施方式的电源断路时的说明图。图4为第二实施方式的传感器装置的电路图。图5为第3实施方式的传感器装置的电路图。图6为第4实施方式的传感器装置的电路图。图7为第5实施方式的传感器装置的电路图。图8为第6实施方式的传感器装置的电路图。图9为第7实施方式的传感器装置的电路图。图10为第8实施方式的传感器装置的电路图。具体实施方式[第一实施方式]下面，参考图1至图3，对第一实施方式的传感器装置进行说明。图1为第一实施方式的传感器装置的电路图。再者，作为传感器装置，例如可列举空气流量传感器，但只要是电特性根据物理量发生变化的装置便并无特别限定。如图1所示，传感器装置10经由电源端子12及信号端子13连接到ECU(未图示)等上位装置，具备安装有传感元件的LSI内部电路(检测电路)14和对来自传感元件的检测信号进行处理的控制电路11。LSI内部电路14与连到电源端子12的电源线L11连接，通过电源线L11从上位装置接受电源电压而使传感元件等进行动作。此外，LSI内部电路14对传感元件检测到的物理量实施各种处理，将与物理量相应的控制信号输出到控制电路11。控制电路11经由连到电源端子12的电源线L11从上位装置接受电源电压，经由连到信号端子13的信号线L12将与LSI内部电路14的控制信号相应的输出信号输出到上位装置。控制电路11中，在信号线L12与接地G11之间设置有电路驱动用的第一NMOS晶体管N11。此外，控制电路11中设置有连接到电源线L11的电流调整用的负载R11、设置在负载R11与信号线L12之间的电流截断用的第一PMOS晶体管(第一晶体管)P11、以及设置在第一PMOS晶体管P11的阱与电源线L11之间的阱控制用的第二PMOS晶体管(第二晶体管)P12。进而，控制电路11中设置有在电源断路时截断第一PMOS晶体管P11、第二PMOS晶体管P12的栅极控制电路15。栅极控制电路15中设置有第二NMOS晶体管N12和第三PMOS晶体管P13。第二NMOS晶体管N12设置在第一PMOS晶体管P11的栅极端子以及第二PMOS晶体管P12的栅极端子的连接点17与接地G12之间。第三PMOS晶体管P13设置在第一PMOS晶体管P11的栅极端子以及第二PMOS晶体管P12的栅极端子的连接点17与信号线L12之间。更详细而言，电路驱动用的第一NMOS晶体管N11的漏极端子连接到信号线L12，第一NMOS晶体管N11的源极端子连接到接地G11。LSI内部电路14连接到第一NMOS晶体管N11的栅极端子，第一NMOS晶体管N11接受来自LSI内部电路14的控制信号而得到驱动。第一NMOS晶体管N11根据来自LSI内部电路14的控制信号进行ON/OFF驱动，生成与LSI内部电路14内的传感元件检测到的物理量相应的输出信号。电流截断用的第一PMOS晶体管P11的一输入输出端子连接到负载R11，另一输入输出端子连接到信号线L12。第一PMOS晶体管P11用于切断从信号线L12去往电源线L11的电流路径。阱控制用的第二PMOS晶体管P12的一输入输出端子连接到电源线L11，另一输入输出端子连接到第一PMOS晶体管P11-第三PMOS晶体管P13的阱。第二PMOS晶体管P12将第一PMOS晶体管P11-第三PMOS晶体管P13的阱电位固定为恒定值。栅极控制电路15的第二NMOS晶体管N12的漏极端子连接到第一PMOS晶体管P11、第二PMOS晶体管P12的栅极端子，源极端子连接到自身的阱以及接地G12。第二NMOS晶体管N12的栅极端子连接到电源线L11。在第二NMOS晶体管N12的栅极电位为电源电位的平常动作时，第二NMOS晶体管N12导通。由此，第一PMOS晶体管P11、第二PMOS晶体管P12的栅极端子连接至接地G12，第一PMOS晶体管P11、第二PMOS晶体管P12导通。栅极控制电路15的第三PMOS晶体管P13的一输入输出端子连接到第一PMOS晶体管P11、第二PMOS晶体管P12的栅极端子，另一输入输出端子连接到信号线L12。第三PMOS晶体管P13的栅极端子连接到电源线L11。在第三PMOS晶体管P13的栅极电位为接地电位的电源断路时，第三PMOS晶体管P13导通。由此，第一PMOS晶体管P11、第二PMOS晶体管P12的栅极端子连接至信号线L12，第一PMOS晶体管P11、第二PMOS晶体管P12被截断。如此，在本实施方式的传感器装置10中，借助栅极控制电路15在电源断路时截断第一PMOS晶体管P11、第二PMOS晶体管P12，以避免电源断路时电流从信号线L12回绕至电源线L11。借助第一PMOS晶体管P11来切断从信号线L12去往电源线L11的直流路径。借助第二PMOS晶体管P12来切断从本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种控制电路，其接受来自电源线的电源电压而将输出信号输出至信号线，其特征在于，具备：/n负载，其设置在所述电源线与所述信号线之间；/n第一晶体管，其设置在所述负载与所述信号线之间或者所述电源线与所述负载之间；/n第二晶体管，其设置在所述第一晶体管的阱与所述电源线之间；以及/n栅极控制电路，其在电源断路时将所述第一晶体管的栅极端子以及所述第二晶体管的栅极端子连接至所述信号线，截断所述第一晶体管及所述第二晶体管。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181018 JP 2018-1962951.一种控制电路，其接受来自电源线的电源电压而将输出信号输出至信号线，其特征在于，具备：
负载，其设置在所述电源线与所述信号线之间；
第一晶体管，其设置在所述负载与所述信号线之间或者所述电源线与所述负载之间；
第二晶体管，其设置在所述第一晶体管的阱与所述电源线之间；以及
栅极控制电路，其在电源断路时将所述第一晶体管的栅极端子以及所述第二晶体管的栅极端子连接至所述信号线，截断所述第一晶体管及所述第二晶体管。


2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，
在平常动作时，所述栅极控制电路将所述第一晶体管的栅极端子以及所述第二晶体管的栅极端子连接至接地，经由所述第二晶体管将所述第一晶体管的阱电位设为电源电位，由此使所述第一晶体管导通。


3.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，
所述第一晶体管为第一PMOS晶体管，
所述第二晶体管为第二PMOS晶体管，
所述栅极控制电路具有：
第一元件，其设置在所述第一PMOS晶体管的栅极端子以及所述第二PMOS晶体管的栅极端子的连接点与接地之间；以及
第二元件，其设置在所述第一PMOS晶体管的栅极端子以及所述第二PMOS晶体管的栅极端子的连接点与所述信号线之间，
在平常动作时，经由所述第一元件将所述第一PMOS晶体管的栅极端子以及所述第二PMOS晶体管的栅极端子连接至接地，在电源断路时，经由所述第二元件将所述第一PMOS晶体管的栅极端子以及所述第二PMOS晶体管的栅极端子连接至所述信号线。


4.根据权利要求3所述的控制电路，其特征在于，
所述第一元件为NMOS晶体管，所述第二元件为第三PMOS晶体管，
所述NMOS晶体管的栅极端子连接到所述电源线，所述第三PMOS晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤尭生，小田部晃，中川树生，
申请(专利权)人：日立安斯泰莫株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP