一种发光二极管芯片及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种发光二极管芯片及其制作方法，该制作方法在LED晶圆上的LED单元的功能区外表面形成对激光波长具有反射能力的激光反射层，该激光反射层在激光切割时，对照射于LED单元上的激光产生反射,使激光束在进行切割的工艺过程中不会对LED单元的外延结构造成影响，解决了现有激光切割过程中易损伤外延结构的问题。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种发光二极管芯片及其制作方法
本专利技术涉及发光二极管芯片领域，具体是涉及一种发光二极管芯片及其制作方法。
技术介绍
现有发光二极管芯片制程中，将LED晶圆切割分离成单颗的LED芯片的工艺通常采用激光切割或激光隐切的方式。在激光切割过程中，因激光束最小尺寸的限制以及机台的对位精度的公差存在，并且芯片与芯片之间的切割道设计过狭窄的关系，会出现激光束灼烧芯片功能区而造成芯片的漏电等不良问题。尤其是在芯片尺寸越小时其影响越明显，如mini-LED与Micro-LED。而在激光隐切过程中，由于激光精度偏差，以及劈裂时存在斜裂的问题，使得切割道的尺寸难以缩小(通常在20μm以上，以保证外延结构在切割时不受损伤)。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种发光二极管芯片及其制作制作方法，以解决现有激光切割过程中易损伤外延结构的问题。具体方案如下：一种发光二极管芯片的制作方法，包括以下工艺步骤：(1)提供LED晶圆以及激光器，该LED晶圆包括衬底以及位于衬底上的多个LED单元，相邻两LED单元之间具有一切割道；...

【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，包括以下工艺步骤：/n(1)提供LED晶圆以及激光器，该LED晶圆包括衬底以及位于衬底上的多个LED单元，相邻两LED单元之间具有一切割道；/n(2)在LED单元的外表面上形成对激光器的激光波长具有反射能力的激光反射层，该激光反射层至少将LED单元位于切割道边缘的侧壁区域覆盖住；/n(3)沿切割道进行激光正切或者激光束从LED单元侧入射进行激光隐切，得到发光二极管芯片。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20200410 CN 20201027987551.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，包括以下工艺步骤：
(1)提供LED晶圆以及激光器，该LED晶圆包括衬底以及位于衬底上的多个LED单元，相邻两LED单元之间具有一切割道；
(2)在LED单元的外表面上形成对激光器的激光波长具有反射能力的激光反射层，该激光反射层至少将LED单元位于切割道边缘的侧壁区域覆盖住；
(3)沿切割道进行激光正切或者激光束从LED单元侧入射进行激光隐切，得到发光二极管芯片。


2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述激光反射层对激光器的激光波长反射率为80％以上。


3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述激光反射层包含针对激光器的激光波长设计的布拉格反射层、光子晶体反射层或者布拉格反射层和光子晶体反射层两者混和的反射层结构。


4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述激光反射层采用电子束蒸镀或者离子束溅射技术形成于LED单元的外表面上。


5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述激光反射层还将LED单元背离衬底一侧的顶面边沿区域覆盖住。


6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述LED单元的外表面上具有对该LED单元出射光线波长具有反射能力的芯片反射层，所述激光反射层形成于芯片反射层上。


7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述激光反射层对LED单元出射的光线波长具有反射能力。


8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于：所述激光反射层包含布拉格反射层，该布拉格反射层由第一物质层和第二物质层交替层叠设置而成。


9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于：所述第一物质层和第二物质层的厚度均随层数增加而减小。


10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于：所述第一物质层和第二物质层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林宗民，黄苡叡，张中英，邓有财，陈艳萍，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35