光检测装置、光检测装置的控制方法和测距装置制造方法及图纸

根据本公开的光检测装置设置有：光接收元件、连接到该光接收元件的负载电路、以及被配置为根据该光接收元件的元件特性来控制流过负载电路的再充电电流的控制单元。此外，根据本公开的测距装置设置有：光源和光检测装置，该光源用光照射测量目标对象，该光检测装置检测由该测量目标对象反射的光，其中如上所述配置的光检测装置被用作光检测装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光检测装置、光检测装置的控制方法和测距装置
本公开涉及光检测装置和光检测装置的控制方法、以及测距装置。
技术介绍
作为执行光检测的光接收元件(光接收部)，存在使用响应于接收光子而产生信号的元件的测距装置(例如，参考专利文献1)。利用根据传统技术的测距装置，基于ToF(飞行时间)的测量结果，当光强度低时测量脉冲的数量，而当光强度高时测量脉冲的宽度。现有技术文献专利文献专利文献1：JP2014-081254A
技术实现思路
技术问题当使用响应于接收光检测的光子而产生信号的光接收元件时，例如，当使用SPAD(单光子雪崩二极管)元件时，必须执行使再充电电流通过光接收元件的再充电操作，以便恢复已经被雪崩电流降低的阴极电压。然而，当再充电电流太大时，产生阴极电压没有充分下降并且直通电流继续流动的状态，或者换言之，在光检测期间出现所谓的闭锁电流问题。虽然必须考虑雪崩电流来确定再充电电流，以防止闭锁电流问题的发生，但是由于雪崩电流高度依赖于温度，雪崩电流的设置要考虑最坏的情况。然而，当光接收元件的工作本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光检测装置，包括：/n光接收元件；/n负载电路，连接到所述光接收元件；以及/n控制部，被配置为根据所述光接收元件的元件特性来控制流经所述负载电路的再充电电流。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181205 JP 2018-2278091.一种光检测装置，包括：
光接收元件；
负载电路，连接到所述光接收元件；以及
控制部，被配置为根据所述光接收元件的元件特性来控制流经所述负载电路的再充电电流。


2.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，
所述光接收元件的所述元件特性是由温度传感器检测的所述光接收元件的温度。


3.根据权利要求2所述的光检测装置，其中，
所述控制部被配置为执行涉及根据所述光接收元件的所述温度的下降来提高所述再充电电流的控制。


4.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，
所述光接收元件的所述元件特性是所述光接收元件的雪崩电流。


5.根据权利要求4所述的光检测装置，其中，
所述控制部被配置为控制所述再充电电流，使得所述光接收元件的所述雪崩电流和所述再充电电流之间的比率变得恒定。


6.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，
所述光接收元件的所述元件特性是所述光接收元件的击穿电压。


7.根据权利要求6所述的光检测装置，其中，
所述控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：小泽治，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP