一种存储设备电源芯片稳定性的测试方法、装置及设备制造方法及图纸

技术编号:28556681 阅读:34 留言:0更新日期:2021-05-25 17:50
本发明专利技术公开了一种存储设备电源芯片稳定性的测试方法、装置、设备及计算机可读存储介质,将包括输入输出扩展器和升降压转换器的测试治具连接于测试主机与被测存储设备之间,测试主机向输入输出扩展器发送拉偏电压控制命令使升降压转换器对被测存储设备输出与拉偏电压控制命令对应的非正常输出电压,在被测存储设备的电路参数为与拉偏电压控制命令对应的电路参数后,向被测存储设备发送负载命令,以对被测存储设备在输入电压被拉偏的情况下进行运行测试,从而确定被测存储设备的电源芯片稳定性测试结果。弥补了现有技术中模拟被测存储设备电源芯片输入电压被拉偏场景下测试的空白,得到更符合实际场景的测试结果,有助于提高被测存储设备的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种存储设备电源芯片稳定性的测试方法、装置及设备
本专利技术涉及存储
,特别是涉及一种存储设备电源芯片稳定性的测试方法、装置、设备及计算机可读存储介质。
技术介绍
存储设备电源芯片的稳定性决定了存储设备性能的可靠性。在对存储设备电源芯片的稳定性测试进行测试时,需要对存储设备的电源芯片处于实际应用场景中的各种异常情况进行测试,由此才能对电源芯片进行有效地优化改进,提高存储设备投入实际使用后的可靠性。如何有效地模拟存储设备电源芯片处于实际应用场景中的异常情况,是本领域技术人员需要解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种存储设备电源芯片稳定性的测试方法、装置、设备及计算机可读存储介质,用于通过模拟存储设备电源芯片处于实际应用场景中的异常情况,以提高存储设备电源芯片的稳定性测试结果的准确性。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种存储设备电源芯片稳定性的测试方法,基于测试主机,包括:向测试治具的输入输出扩展器发送拉偏电压控制命令,以使所述测试治具的升降压转换器对被测存储设备输出与所述拉偏电压控制命令对应的非正常输出电压;获取所述被测存储设备的电路参数;若所述电路参数为与所述拉偏电压控制命令对应的电路参数,则向所述被测存储设备发送负载命令;若所述被测存储设备在所述非正常输出电压下正常工作于所述负载命令对应的工作状态,则确定所述被测存储设备通过电源芯片稳定性测试;若所述被测存储设备在所述非正常输出电压下未正常工作于所述负载命令对应的工作状态,则确定所述被测存储设备未通过电源芯片稳定性测试;其中,所述测试主机的第一数据输出端与所述输入输出扩展器的输入端连接,所述测试主机的第一数据输出端与第二数据输出端与所述被测存储设备的数据输入端连接,所述输入输出扩展器的输出端与所述升降压转换器的控制端连接,所述升降压转换器的电源输入端与所述测试主机的电源输出端连接,所述升降压转换器的电源输出端与所述被测存储设备的电源输入端连接。可选的,所述负载命令具体包括:负载任务项、所述负载任务项的执行顺序和所述负载任务项的执行次数;其中,所述负载任务项包括读写操作任务、格式化任务、低级格式化任务、高级格式化任务、创建删除名称空间任务、不间断业务的固件升降级任务、设备重置任务和读写校验操作任务。可选的,所述被测存储设备的数量具体为多个,且所述被测存储设备与所述测试治具一一对应。可选的,所述测试主机的第一数据输出端具体为集成电路总线信号接口,所述测试主机的第二数据输出端具体为PEIC接口;相应的,所述拉偏电压控制命令具体为智能平台管理接口命令。可选的,所述获取所述被测存储设备的电路参数,具体为:基于所述测试主机的第二数据端与所述被测存储设备的数据输入端之间的PCIE总线,利用NVMe命令获取所述被测存储设备的电路参数。可选的,所述获取所述被测存储设备的电路参数,具体为:向所述输入输出扩展器发送设备状态查询命令以获取所述被测存储设备的设备状态。可选的,所述输入输出扩展器具体为PCA9555,所述升降压转换器具体为SY9329C。为解决上述技术问题,本专利技术还提供一种存储设备电源芯片稳定性的测试装置,包括:第一发送单元,用于向测试治具的输入输出扩展器发送拉偏电压控制命令,以使所述测试治具的升降压转换器对被测存储设备输出与所述拉偏电压控制命令对应的非正常输出电压;获取单元,用于获取所述被测存储设备的电路参数;第二发送单元,用于若所述电路参数为与所述拉偏电压控制命令对应的电路参数,则向所述被测存储设备发送负载命令;确定单元,用于若所述被测存储设备在所述非正常输出电压下正常工作于所述负载命令对应的工作状态,则确定所述被测存储设备通过电源芯片稳定性测试;若所述被测存储设备在所述非正常输出电压下未正常工作于所述负载命令对应的工作状态,则确定所述被测存储设备未通过电源芯片稳定性测试;其中,所述测试主机的第一数据输出端与所述输入输出扩展器的输入端连接,所述测试主机的第一数据输出端与第二数据输出端与所述被测存储设备的数据输入端连接,所述输入输出扩展器的输出端与所述升降压转换器的控制端连接,所述升降压转换器的电源输入端与所述测试主机的电源输出端连接,所述升降压转换器的电源输出端与所述被测存储设备的电源输入端连接。为解决上述技术问题,本专利技术还提供一种存储设备电源芯片稳定性的测试设备,包括:存储器,用于存储指令,所述指令包括上述任意一项所述存储设备电源芯片稳定性的测试方法的步骤;处理器,用于执行所述指令。为解决上述技术问题,本专利技术还提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任意一项所述存储设备电源芯片稳定性的测试方法的步骤。本专利技术所提供的存储设备电源芯片稳定性的测试方法,通过将一种包括输入输出扩展器和升降压转换器的测试治具连接于测试主机与被测存储设备之间,测试主机向该测试治具的输入输出扩展器发送拉偏电压控制命令以使测试治具的升降压转换器对被测存储设备输出与拉偏电压控制命令对应的非正常输出电压,在被测存储设备的电路参数为与拉偏电压控制命令对应的电路参数后,向被测存储设备发送负载命令,以对被测存储设备在输入电压被拉偏的情况下进行运行测试,从而确定被测存储设备的电源芯片稳定性测试结果。弥补了现有技术中未能模拟被测存储设备的电源芯片输入电压被拉偏场景下测试的空白,得到更符合被测存储设备的电源芯片实际应用场景的测试结果,有助于提高被测存储设备的可靠性。本专利技术还提供一种存储设备电源芯片稳定性的测试装置、设备及计算机可读存储介质,具有上述有益效果,在此不再赘述。附图说明为了更清楚的说明本专利技术实施例或现有技术的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种测试治具的结构示意图;图2为本专利技术实施例提供的一种存储设备电源芯片稳定性的测试方法的流程图;图3为本专利技术实施例提供的一种输入输出扩展器的电路图;图4为本专利技术实施例提供的一种测试治具的部分电路图;图5为本专利技术实施例提供的一种存储设备电源芯片稳定性的测试装置的结构示意图;图6为本专利技术实施例提供的一种存储设备电源芯片稳定性的测试设备的结构示意图。具体实施方式本专利技术的核心是提供一种存储设备电源芯片稳定性的测试方法、装置、设备及计算机可读存储介质,用于通过模拟存储设备电源芯片处于实际应用场景中的异常情况,以提高存储设备电源芯片的稳定性测试结果的准确性。下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储设备电源芯片稳定性的测试方法,其特征在于,基于测试主机,包括:/n向测试治具的输入输出扩展器发送拉偏电压控制命令,以使所述测试治具的升降压转换器对被测存储设备输出与所述拉偏电压控制命令对应的非正常输出电压;/n获取所述被测存储设备的电路参数;/n若所述电路参数为与所述拉偏电压控制命令对应的电路参数,则向所述被测存储设备发送负载命令;/n若所述被测存储设备在所述非正常输出电压下正常工作于所述负载命令对应的工作状态,则确定所述被测存储设备通过电源芯片稳定性测试;/n若所述被测存储设备在所述非正常输出电压下未正常工作于所述负载命令对应的工作状态,则确定所述被测存储设备未通过电源芯片稳定性测试;/n其中,所述测试主机的第一数据输出端与所述输入输出扩展器的输入端连接,所述测试主机的第一数据输出端与第二数据输出端与所述被测存储设备的数据输入端连接,所述输入输出扩展器的输出端与所述升降压转换器的控制端连接,所述升降压转换器的电源输入端与所述测试主机的电源输出端连接,所述升降压转换器的电源输出端与所述被测存储设备的电源输入端连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储设备电源芯片稳定性的测试方法,其特征在于,基于测试主机,包括:
向测试治具的输入输出扩展器发送拉偏电压控制命令,以使所述测试治具的升降压转换器对被测存储设备输出与所述拉偏电压控制命令对应的非正常输出电压;
获取所述被测存储设备的电路参数;
若所述电路参数为与所述拉偏电压控制命令对应的电路参数,则向所述被测存储设备发送负载命令;
若所述被测存储设备在所述非正常输出电压下正常工作于所述负载命令对应的工作状态,则确定所述被测存储设备通过电源芯片稳定性测试;
若所述被测存储设备在所述非正常输出电压下未正常工作于所述负载命令对应的工作状态,则确定所述被测存储设备未通过电源芯片稳定性测试;
其中,所述测试主机的第一数据输出端与所述输入输出扩展器的输入端连接,所述测试主机的第一数据输出端与第二数据输出端与所述被测存储设备的数据输入端连接,所述输入输出扩展器的输出端与所述升降压转换器的控制端连接,所述升降压转换器的电源输入端与所述测试主机的电源输出端连接,所述升降压转换器的电源输出端与所述被测存储设备的电源输入端连接。


2.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述负载命令具体包括:负载任务项、所述负载任务项的执行顺序和所述负载任务项的执行次数;
其中,所述负载任务项包括读写操作任务、格式化任务、低级格式化任务、高级格式化任务、创建删除名称空间任务、不间断业务的固件升降级任务、设备重置任务和读写校验操作任务。


3.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述被测存储设备的数量具体为多个,且所述被测存储设备与所述测试治具一一对应。


4.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述测试主机的第一数据输出端具体为集成电路总线信号接口,所述测试主机的第二数据输出端具体为PEIC接口;
相应的,所述拉偏电压控制命令具体为智能平台管理接口命令。


5.根据权利要求4所述的测试方法,其特征在于,所述获取所述被测存储设备的电路参数,具体为:
基于所述测试主机的第二数据端与所述被测存储设备的数据输入端...

【专利技术属性】
技术研发人员:靳嘉晖
申请(专利权)人:北京浪潮数据技术有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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