一种气相沉积装置及碳/碳复合材料的制备方法制造方法及图纸

本申请提供一种气相沉积装置，包括底座、料板、沉积室，沉积室包括外筒体、排气口，以及设于外筒体内的排气套筒；排气套筒包括内筒和套设在内筒外部的套筒，内筒与套筒围合形成气流通道，且套筒的侧壁上设有通气孔；料板上设有第一进气孔，第一进气孔位于套筒和内筒之间；料板上还设有进气结构，进气结构包括进气孔阵列，进气孔阵列以排气套筒为中心呈放射状分布；进气孔阵列远离排气套筒的一侧设有第四进气孔。该设备能够有效控制沉积过程中气体的流动方向，使其与待处理坯体充分接触。另外，本发明专利技术还提供一种利用该设备制备碳/碳复合材料的方法，包括确定碳源气体流量大小的准则及随CVD次数增加而递减的原则。

【技术实现步骤摘要】
一种气相沉积装置及碳/碳复合材料的制备方法
本专利技术涉及复合材料制备
，特别涉及一种气相沉积装置及碳/碳复合材料的制备方法。
技术介绍
碳/碳复合材料具有低密度、高强度、高比模量、高导热性、低膨胀系数、摩擦性能好，以及抗热冲击性能好、尺寸稳定性高等优点，常用于耐高温烧蚀材料、高温结构材料，在航空、航天、核能、医学等领域都具有良好的应用前景，可用于制作火箭和导弹发动机喷管、飞行器天线、飞机及轨道交通刹车制动装置、光伏领域等部件。化学气相沉积(CVD)是制备高性能碳/碳复合材料的首选方法，该方法制备的碳/碳复合材料具有力学性能高、导热性能好、线膨胀系数低等优点，是航空航天用碳/碳复合材料的关键制备技术，但现有CVD工艺不适用于超大超厚(1000mm×300mm×150mm以上)碳/碳复合材料增密，由于碳源气与坯体接触不充分、不均匀，渗透不深入，导致CVD后坯体密度难以超过1.30g/cm3，内外密度差异超过0.2g/cm3，增密工艺周期长(约600-800h)，制备成本高。因此，如何提供一种结构简单，使用方便，沉积效率高且均本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种气相沉积装置，其特征在于，包括底座，以及设于所述底座上方的沉积室；/n所述底座的下方设有进气口，所述底座的上方设有料板，所述沉积室安装在所述料板上；/n所述沉积室包括外筒体，设于所述外筒体顶部的排气口，以及设于所述外筒体内的排气套筒；/n所述排气套筒包括内筒和套设在所述内筒外部的套筒，所述内筒与所述套筒围合形成气流通道，且所述套筒的侧壁上设有通气孔；/n所述料板上设有第一进气孔，所述第一进气孔位于所述套筒和所述内筒之间；/n所述料板上还设有进气结构，所述进气结构位于所述排气套筒与所述外筒体的内壁之间，/n所述进气结构包括进气孔阵列，所述进气孔阵列以所述排气套筒为中心呈放射状分布，/n所...

【技术特征摘要】
1.一种气相沉积装置，其特征在于，包括底座，以及设于所述底座上方的沉积室；
所述底座的下方设有进气口，所述底座的上方设有料板，所述沉积室安装在所述料板上；
所述沉积室包括外筒体，设于所述外筒体顶部的排气口，以及设于所述外筒体内的排气套筒；
所述排气套筒包括内筒和套设在所述内筒外部的套筒，所述内筒与所述套筒围合形成气流通道，且所述套筒的侧壁上设有通气孔；
所述料板上设有第一进气孔，所述第一进气孔位于所述套筒和所述内筒之间；
所述料板上还设有进气结构，所述进气结构位于所述排气套筒与所述外筒体的内壁之间，
所述进气结构包括进气孔阵列，所述进气孔阵列以所述排气套筒为中心呈放射状分布，
所述进气孔阵列包括第二进气孔和第三进气孔，所述第二进气孔和所述第三进气孔均呈列状布置，且所述第二进气孔与所述第三进气孔之间预留坯体放置位置；
所述进气孔阵列远离所述排气套筒的一侧设有第四进气孔，所述第四进气孔环绕所述进气孔阵列布置。


2.根据权利要求1所述的气相沉积装置，其特征在于，所述第一进气孔环绕所述内筒设置。


3.根据权利要求1所述的气相沉积装置，其特征在于，所述套筒的侧壁包括排气区域与无孔区域，所述排气区域与所述无孔区域交替布置，所述通气孔分布在所述排气区域内；
一个所述排气区域对应一个所述进气孔阵列。


4.根据权利要求1所述的气相沉积装置，其特征在于，所述通气孔的直径为20-60mm；
所述第一进气孔的直径为20-60mm；
所述第二进气孔的直径为20-60mm；
所述第三进气孔的直径为20-60mm；
所述第四进气孔的直径...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊翔，张红波，左劲旅，熊杰，徐慧娟，王雅雷，杨波，江丙武，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43