一种半导体工艺的废气处理系统及其废气的处理方法技术方案

本发明专利技术提供了一种半导体工艺的废气处理系统及其废气的处理方法，包括：第一传感器、第一三通阀、燃烧室、水洗支路和水洗室；第一三通阀的第一出口通过燃烧室与水洗室连通，第一三通阀的第二出口通过水洗支路与水洗室连通。本发明专利技术提供的半导体工艺的废气处理系统，通过在废气处理系统中增设水洗支路和第一三通阀，使第一三通的切换与第一传感器检测的信号进行联动，在第一传感器检测六氟化钨达到预设浓度时，第一三通阀将废气切换至水洗支路进行水解处理，并在第一传感器检测六氟化钨未达到预设浓度时，第一三通阀将废气切换至燃烧室进行处理，避免废气对燃烧室的腐蚀，提高处理效率与工艺机台利用率，延长设备的维护周期，减少对产线运行的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体工艺的废气处理系统及其废气的处理方法
本专利技术涉及半导体工业废气处理领域，尤其涉及一种半导体工艺的废气处理系统及其废气的处理方法。
技术介绍
半导体WCVD制程工艺中，钨通常是被用作高传导性的互连金属、金属层间的通孔和垂直接触的接触孔以及铝和硅间的隔离层。最常见的WCVD工艺的主要反应气体有六氟化钨、氢气、硅烷和三氟化氮。此工艺的气体对于半导体的废气处理设备极具挑战，设备维护周期在7天到10天时间不等，且对厂务的废气排放管路产生堵塞，严重影响半导体的产线运行与产能提高。此工艺涉及到的工艺废气为有毒有害气体，对人体和环境危害严重，必须经过处理才能进行排放。处理此工艺气体的废气处理设备的维护周期短的问题日益突出，亟待解决。
技术实现思路
本专利技术实施例提供的半导体工艺的废气处理系统及其废气的处理方法，用以解决上述问题，实现对工艺废气的处理，同时有效将废气处理设备的维护周期延长。本专利技术实施例提供的半导体工艺的废气处理系统，包括：第一传感器、第一三通阀、燃烧室、水洗支路和水洗室；...

【技术保护点】
1.一种半导体工艺的废气处理系统，其特征在于，包括：/n第一传感器、第一三通阀、燃烧室、水洗支路和水洗室；/n所述第一三通阀的第一出口通过所述燃烧室与所述水洗室连通，所述第一三通阀的第二出口通过所述水洗支路与所述水洗室连通，所述第一传感器与所述第一三通阀电连接，以在所述第一传感器检测六氟化钨达到预设浓度时，将所述第一三通阀的入口与其第二出口连通，并在所述第一传感器检测六氟化钨未达到预设浓度时，将所述第一三通阀的入口与其第一出口连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺的废气处理系统，其特征在于，包括：
第一传感器、第一三通阀、燃烧室、水洗支路和水洗室；
所述第一三通阀的第一出口通过所述燃烧室与所述水洗室连通，所述第一三通阀的第二出口通过所述水洗支路与所述水洗室连通，所述第一传感器与所述第一三通阀电连接，以在所述第一传感器检测六氟化钨达到预设浓度时，将所述第一三通阀的入口与其第二出口连通，并在所述第一传感器检测六氟化钨未达到预设浓度时，将所述第一三通阀的入口与其第一出口连通。


2.根据权利要求1所述的半导体工艺的废气处理系统，其特征在于，所述半导体工艺的废气处理系统还包括：废气管路；所述废气管路与所述水洗室的出口连通。


3.根据权利要求2所述的半导体工艺的废气处理系统，其特征在于，所述半导体工艺的废气处理系统还包括：连接管；所述废气管路通过所述连接管与所述水洗室的出口连通。


4.根据权利要求1所述的半导体工艺的废气处理系统，其特征在于，所述半导体工艺的废气处理系统还包括：水箱；
所述第一三通阀的第一出口通过所述燃烧室、所述水箱与所述水洗室连通，所述第一三通阀的第二出口通过所述水洗支路、所述水箱与所述水洗室连通。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体工艺的废气处理系统，其特征在于，所述半导体工艺的废气处理系统还包括：用于生产加工的工艺机台；所述第一传感器安装在所述工艺机台中，所述工艺机台与所述第一三通阀的入口连通。


6.根据权利要求5所述的半导体工艺的废气处理系统，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨春水，
申请(专利权)人：北京京仪自动化装备技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11