用于BIPV的透光薄膜电池及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种用于BIPV的透光薄膜电池及其制作方法，利用激光刻线工艺对所述CIGS薄膜太阳能电池的钼背电极进行刻划，确定透光区域，并在组件完成后，将透光区域上的所有薄膜刻蚀形成透光区域。

【技术实现步骤摘要】
用于BIPV的透光薄膜电池及其制作方法
本专利技术涉及光伏领域，具体涉及一种用于BIPV的透光薄膜电池及其制作方法。
技术介绍
当今全球光伏市场是以晶体硅太阳能电池为主，但高能耗的生产工艺导致能源资源的快速消耗将使社会无法承受，也必将制约着光伏产业更大规模的发展。因此，发展低成本、新型薄膜太阳能电池是未来国际光伏产业的必然趋势。CIGS(CuInxGa(1-x)Se2的简称)薄膜太阳能电池，由Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)四种元素构成最佳比例的黄铜矿结晶薄膜太阳能电池，整个电池薄膜总厚度约3～4微米。该电池成本低、性能稳定、抗辐射能力强，其光电转换效率目前是各种薄膜太阳能电池之首，光谱响应范围宽，在阴雨天光强下输出功率高于其它任何种类太阳能电池，被称为下一代最有前途的太阳能电池之一。如图1所示(图中，CIGS代表CIGS+CdS+i-ZnO)，目前国内外的CIGS薄膜太阳能电池的产业流程为溅射Mo层、激光刻划Mo(化学元素：钼)层、形成CIGS吸收层、形成CdS(化学名称：硫化镉)缓冲层、氧化锌层、机械刻划CIGS层、溅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于BIPV的透光薄膜电池，包括长方体的子电池带，其特征在于，所述子电池带上设有若干透光区域，所述透光区域把所述子电池带分割为若干子电池；间隔一个子电池带的两个子电池带上设有的透光区域平行，相邻的两个子电池带上设有的透光区域在垂直于所述子电池的延伸方向上有间隔。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于BIPV的透光薄膜电池，包括长方体的子电池带，其特征在于，所述子电池带上设有若干透光区域，所述透光区域把所述子电池带分割为若干子电池；间隔一个子电池带的两个子电池带上设有的透光区域平行，相邻的两个子电池带上设有的透光区域在垂直于所述子电池的延伸方向上有间隔。


2.根据权利要求1所述的透光薄膜电池，其特征在于，所述透光区域为镂空区域。


3.根据权利要求1或2所述的透光薄膜电池，其特征在于，所述透光区域的宽度为所述子电池的宽度的0.5-1倍。


4.根据权利要求1或2所述的透光薄膜电池，其特征在于，所述相邻的两个子电池带上设有的透光区域在垂直于所述子电池带的延伸方向上的间隔的长度为所述子电池的宽度的0.5-2倍。


5.根据权利要求1-4任一所述的透光薄膜电池，其特征在于，所述子电池的宽度为2-5mm，长度为15-25mm，所述透光区域的宽度为2-5mm，长度为5-21mm，所述相邻的两个子电池带上设有的透光区域在垂直于所述子电池带的延伸方向上的间隔的长度为2-5mm。


6.根据权利要求1-5任一所述的透光薄膜电池，其特征在于，所述透光薄膜电池包括透明玻璃基板、背电极层、CIGS吸收层、CdS缓冲层、i-ZnO层和透明导电玻璃层，所述CIGS吸收层、CdS缓冲层、...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭凯，赵剑，张传升，韩青树，
申请(专利权)人：重庆神华薄膜太阳能科技有限公司，中国节能减排有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50