单晶片的内建温度侦测装置及其保护机制制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种单晶片的内建温度侦测装置及其保护机制，其中，该单晶片的内建温度侦测装置包含一内建温度侦测器与一温度比较器。该内建温度侦测器侦测所述单晶片的一单晶片温度。该温度比较器接收该单晶片温度与一临界温度，且比较该单晶片温度与该临界温度，以产生一输出信号，以采取必要的保护机制。

【技术实现步骤摘要】
单晶片的内建温度侦测装置及其保护机制
本专利技术有关一种温度侦测装置，尤指一种单晶片的内建温度侦测装置及其保护机制。
技术介绍
随着可携式(portable)或穿戴式(wearable)电子装置的推陈出新与功能的强大化，人们在日常生活中已经与该些可携式或穿戴式电子装置有紧密的连结与共融。因此，对于可携式或穿戴式电子装置的系统开发者而言，能够确保其可靠度与安全性乃是一个重大课题。随着电子装置，例如手机其操作与充电的使用频繁，对于其过温度侦测与保护而言更显重要。若因过温度的发生，而没有对电子装置进行必要的防护措施，不仅影响电子装置的使用寿命，甚至影响到使用者的生命、财产安全。为此，如何设计出一种单晶片的内建温度侦测装置及其保护机制，来解决前述的技术问题，乃为本案专利技术人所研究的重要课题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种单晶片的内建温度侦测装置，解决现有技术之问题。为达成前揭目的，本专利技术所提出的单晶片的内建温度侦测装置，其包含一内建温度侦测器、一温度比较器以及一数字模拟转换器。该内建温度侦本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶片的内建温度侦测装置，其特征在于，包含：/n一内建温度侦测器，侦测所述单晶片的一单晶片温度；/n一温度比较器，接收该单晶片温度与一临界温度，且比较该单晶片温度与该临界温度，以产生一输出信号；及/n一数字模拟转换器，耦接该温度比较器，以转换一数字临界温度为该临界温度；其中，当该单晶片温度大于该临界温度时，该输出信号为一第一准位信号。/n

【技术特征摘要】
20191121 TW 108142246;20191226 TW 1081479141.一种单晶片的内建温度侦测装置，其特征在于，包含：
一内建温度侦测器，侦测所述单晶片的一单晶片温度；
一温度比较器，接收该单晶片温度与一临界温度，且比较该单晶片温度与该临界温度，以产生一输出信号；及
一数字模拟转换器，耦接该温度比较器，以转换一数字临界温度为该临界温度；其中，当该单晶片温度大于该临界温度时，该输出信号为一第一准位信号。


2.如权利要求1所述的单晶片的内建温度侦测装置，其特征在于，更包含：
一延时控制器，接收该输出信号，且产生一时间延迟信号。


3.如权利要求1所述的单晶片的内建温度侦测装置，其特征在于，更包含：
一中断控制器，接收该输出信号，且产生一中断控制信号；及
一中央处理器，接收该中断控制信号，且产生该数字临界温度。


4.如权利要求1所述的单晶片的内建温度侦测装置，其特征在于，更包含：
一警示控制器，接收该输出信号，且产生一警示控制信号；及
一禁能控制器，接收该输出信号，且产生一禁能控制信号。


5.如权利要求4所述的单晶片的内建温度侦测装置，其特征在于，该警示控制器耦接一外部警示装置，且通过该警示控制信号启动该外部警示装置动作；其中该禁能控制器耦接一外部电子装置，且通过该禁...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂结盛，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71