一种半导体发光元件和发光装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种半导体发光元件和发光装置，其中半导体发光元件包括：半导体发光序列层，半导体发光序列层包括发光层；绝缘透光层，位于半导体发光序列层的出光面上；其特征在于：绝缘透光层包括底层和底层上的折射率渐变层，折射率渐变层由至少两层组成，底层介于半导体发光序列层和折射率渐变层之间，底层的折射率低于折射率渐变层的折射率，随着远离底层的方向折射率渐变层的折射率逐渐降低。所述发光装置包括所述的半导体发光元件。述发光装置包括所述的半导体发光元件。述发光装置包括所述的半导体发光元件。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体发光元件和发光装置


[0001]本技术涉及半导体发光领域，具体为一种半导体发光元件。

技术介绍

[0002]半导体发光元件，又称发光二极管（LED），是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，它在照明领域应用广泛。发光二极管可高效地将电能转化为光能，在现代社会具有广泛的用途，如照明、平板显示、医疗器件等。
[0003]传统的发光二极管包括正装、倒装以及垂直结构。其中正装和垂直都依赖于半导体发光序列层的表面提供出光面，倒装依赖于衬底一侧表面提供出光面。正装和垂直的半导体发光序列层的表面都会设置P电极和N电极，电极周围的半导体发光序列层的表面以及半导体发光序列层的侧壁周围被绝缘透光层包覆住，当半导体发光序列层内部辐射的光到达绝缘透光层表面后，需要穿过绝缘透光层以辐射出半导体发光元件。其中绝缘透光层的透光率会一定程度上影响半导体发光元件的光效。并且发光元件如果通过硅树脂或者环氧树脂进行密封形成封装体，则还需要考虑绝缘透光层与硅胶、环氧树脂之间的界面对光取出的影响。
[0004]现有正装或者垂直LED的绝缘透光层为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体发光元件，其包括：半导体发光序列层，半导体发光序列层包括发光层；绝缘透光层，位于半导体发光序列层的出光面上；其特征在于：绝缘透光层包括底层和底层上的折射率渐变层，折射率渐变层由至少两层组成，底层介于半导体发光序列层和折射率渐变层之间，底层的折射率低于折射率渐变层的折射率，随着远离底层的方向折射率渐变层的折射率逐渐降低。2.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述折射率渐变层的折射率为1.6以上。3.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：半导体发光序列层的至少部分出光面与绝缘透光层之间还有透明导电层，其中透明导电层的折射率高于所述绝缘透光层的折射率。4.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的绝缘透光层的底层为不含氮层。5.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的绝缘透光层的底层具有低于1.5的折射率。6.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的绝缘透光层的底层的厚度为1~80nm。7.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的绝缘透光层的底层的厚度为1~20nm或者底层的厚度与折射率渐变层的厚度比例不高于20%。8.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的折射率渐变层包括第一层为含氮层。9.根据权利要求7所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的绝缘透光层的第一层为氮化硅或者氮氧化硅。10.根据权利要求9所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的绝缘透光层包括第二层为氮氧化硅或者氧化铝。11.一种半导体发光元件，其包括：半导体发光序列层，半导体发光序列层包括发光层；绝缘透光层，位于半导体发光序列层的出光面上；其特征在于：绝缘透光层包括底层和底层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王庆，马全扬，陈大钟，陈功，洪灵愿，彭康伟，林素慧，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：