一种适用于单晶小硅块的拼棒方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种适用于单晶小硅块的拼棒方法和应用，所述拼棒方法为利用拼棒胶膜将单晶小硅块沿厚度方向拼接形成一定长度的方棒，再对方棒进行高温固化。本发明专利技术拼棒方法所用的拼棒胶膜，具备超强的粘接力和耐磨性，较小的固化收缩率，易于存储，可粘接不同厚度的小硅块，而且胶缝密封且平整。本发明专利技术拼棒方法的施胶工艺简单易操作。本发明专利技术拼棒方法实现了不分线网切割小硅块，解决了现有分线网切割所产生的厚片多，分线网切割布线复杂，操作时间长的问题。本发明专利技术制备硅片的方法提高了单晶硅棒边皮料和单晶硅棒头尾料的利用率，提高了切片产能。片产能。片产能。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于单晶小硅块的拼棒方法及应用


[0001]本专利技术涉及硅棒切片领域，尤其涉及一种适用于单晶小硅块的拼棒方法及应用。

技术介绍

[0002]目前国内外通用的硅棒切割技术为金刚石线切割技术，该技术采用切削液替代砂浆以及采用金刚石线替代钢线升级换代的切割技术，虽然在硅棒切割领域取得了很大的突破和进步，但在单晶硅棒边皮料或头尾料切割形成的小硅块拼接方面，该技术依然存在着如下缺陷：一是现有的单晶硅棒边皮料或头尾料切割形成的单晶小硅块的切片方法，是将多个单晶小硅块垂直叠加或水平拼接在一起形成方棒，相邻两个单晶小硅块的缝隙处未施加任何胶状物，切割线网只能采用分线网的方式切割，导致布线操作复杂，耗时长，严重影响生产效率；二是分线网切割方棒时，相邻两个单晶小硅块的缝隙两侧形成的厚片较多，导致硅片产能较低。

技术实现思路

[0003]专利技术目的：本专利技术提出一种适用于单晶小硅块的拼棒方法，能够提高单晶小硅块拼接缝隙两侧的厚片利用率，进一步提高硅片产能。
[0004]本专利技术的另一目的是提出一种基于上述拼棒方法的应用。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于单晶小硅块的拼棒方法，其特征在于：利用拼棒胶膜将至少两个单晶小硅块沿厚度方向拼接形成一定长度的方棒，再对方棒进行高温固化。2.根据权利要求1所述的拼棒方法，其特征在于：所述拼棒胶膜选自双组份氧化铜无机胶、耐高温陶瓷胶、双组份常温固化陶瓷胶、双组份耐磨陶瓷胶、有机粘接固体胶、酚醛丁腈类树脂、双马结构胶、氰酸脂类胶、环氧结构胶和丙烯酸改性环氧胶中的一种。3.根据权利要求1所述的拼棒方法，其特征在于：所述拼棒胶膜的厚度为50~200um。4.根据权利要求1所述的拼棒方法，其特征在于：所述高温固化的温度为120~160℃，所述高温固化的时间为30~120min。5.根据权利要求1所述的拼棒方法，其特征在于：利用拼棒胶膜将至少两个所述单晶小硅块沿厚度方向拼接形成一定长度的方棒之前，还包括对拼棒胶膜进行预处理。6.根据权利要求5所述的拼棒方法，其特征在于：所述预处理是将拼棒胶膜常温放置0.5~1h或使用热风设备对拼棒胶膜进行预热。7.根据权利要求1所述的拼棒方法，其特征在于：在利用拼棒胶膜将至少两个单晶小硅块沿厚度方向拼...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓舜，李佳，
申请(专利权)人：常州时创能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：