一种银胶填充导通孔的转印工艺方法技术

本发明专利技术提供一种银胶填充导通孔的转印工艺方法，涉及转印工艺银胶填充技术领域，所述银胶填充导通孔的转印工艺方法包括如下步骤：S1，首先将过孔银浆填入过孔中；S2，随后转印内侧图案；S3，随后再转印正面图案，相比于现有技术，通过模具过也及LASER通孔可解决产品正反面线路导通问题，同时也解决了一级外观面上线路与内侧导通问题，利于实际的使用，且操作过程简单和便利，还降低了埋铜钉的成本，并且在降低了成本的同时还解决了铜钉与导电油墨接合问题，进一步提高了创新性，通过点导通银胶及导电银油要以解决填孔内气泡问题，提高了导通性能，并且由于自动点胶机的运用，可以降低人力成本，较为经济。较为经济。较为经济。

【技术实现步骤摘要】
一种银胶填充导通孔的转印工艺方法


[0001]本专利技术涉及转印工艺银胶填充
，尤其涉及一种银胶填充导通孔的转印工艺方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，目前存储器制造技术已经逐步从简单的平面结构过渡到较为复杂的三维结构，三维存储器的技术研发是国际研发的主流之一，在半导体的版图中，有源区、多晶硅和金属层之间的连接都需要通过接触孔或导通孔实现。有源区、多晶硅和金属层之间的连接称为接触孔。不同金属层之间的连接称为导通孔。
[0003]目前的现有技术存在埋铜柱接风险及结构限制，不利于实际的使用，同时还存在盲孔单面导通结构限制，使得导通性能受到影响，并且还存在一级外观导通性能较低的问题，需要进行改进。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种银胶填充导通孔的转印工艺方法。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：一种银胶填充导通孔的转印工艺方法，所述银胶填充导通孔的转印工艺方法包括如下步骤：
[0006]S1，首先将过孔银浆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种银胶填充导通孔的转印工艺方法，其特征在于，所述银胶填充导通孔的转印工艺方法包括如下步骤：S1，首先将过孔银浆填入过孔中；S2，随后转印内侧图案；S3，随后再转印正面图案。2.根据权利要求1所述的一种银胶填充导通孔的转印工艺方法，其特征在于：在S1中，所述过孔银浆的粘度为2500
‑
2800cp，所述过孔银浆中添加有胺类固化剂或氰类固化剂。3.根据权利要求1所述的一种银胶填充导通孔的转印工艺方法，其特征在于：在S2中，通过自动点胶机将过孔银浆填入过孔中，所述自动点胶机的针头为内径0.21mm
‑
0.41mm的点...

【专利技术属性】
技术研发人员：张云青，李磊，史承春，
申请(专利权)人：昆山联滔电子有限公司，
类型：发明
国别省市：