一种钙钛矿纳米线阵列及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种钙钛矿纳米线阵列及其制备方法，所述钙钛矿纳米线阵列制备方法包括以下步骤：S1、准备具有若干硅柱阵列的硅柱模板，并对所述硅柱模板进行选择修饰处理；S2、配制钙钛矿溶液；S3、将钙钛矿溶液滴加于所述硅柱模板的硅柱顶端；S4、在所述硅柱模板顶部覆盖基底，组成三明治组装体系；S5、对所述三明治组装体系进行加热烘干处理；S6、将加热烘干处理后的所述三明治组装体系静置冷却；S7、将所述三明治组装体系拆开。该制备方法在有效降低设备成本的同时实现简易、普适地制备并获得倍频转换效率远高于钙钛矿多晶薄膜的钙钛矿纳米线阵列。米线阵列。米线阵列。

【技术实现步骤摘要】
一种钙钛矿纳米线阵列及其制备方法


[0001]本专利技术涉及非线性光学材料领域，主要涉及一种钙钛矿纳米线阵列及 其制备方法。

技术介绍

[0002]钙钛矿是指一类陶瓷氧化物，其分子通式为ABX3,其中A和B位点 为大小不同的阳离子，X为卤化物阴离子(X＝Cl,Br,I)，可用于非线性光学 应用；非线性光学材料是指光学性质依赖于入射光强度的材料，可对光频 率进行变换；非线性光学材料常用于对入射光频率进行转换而获得频率与 入射光频率不同的激光，从而达到光频率变换的目的。
[0003]钙钛矿作为非线性光学材料使用时，一般制成钙钛矿多晶薄膜进行使 用，钙钛矿多晶薄膜的分子堆积方向无序、晶界大、倍频产生效率不高， 但是相比之下，若制成单晶纳米线阵列，则具有缺陷更少、表面更光滑的 优点；在利用钙钛矿产生二次谐波过程中，单晶纳米线阵列相对于多晶薄 膜也具有更高的倍频转换效率。
[0004]然而，若要制备纳米线阵列则需采用喷墨打印法或微米压印法进行加 工，两种加工方法均需配备昂贵的打印设备和复杂的操作流程，获取钙钛 矿纳米线阵列过程难度大而复杂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.准备具有若干硅柱阵列的硅柱模板，并对所述硅柱模板进行选择修饰处理，使其硅柱侧壁疏水、顶端亲水；S2.配制钙钛矿溶液；S3.取适量所述钙钛矿溶液，滴加于所述硅柱模板的硅柱顶端；S4.在所述硅柱模板顶部覆盖基底，形成基底
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钙钛矿溶液
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硅柱模板的三明治组装体系；S5.对所述三明治组装体系进行加热烘干处理，使所述钙钛矿溶液的溶剂完全挥发；S6.将加热烘干处理后的所述三明治组装体系静置冷却；S7.将所述三明治组装体系拆开，获得贴覆在所述基底上的钙钛矿纳米线阵列。2.根据权利要求1所述的钙钛矿纳米线阵列的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述硅柱模板的若干所述硅柱之间的间隙为5μm
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20μm，所述硅柱的宽度为2μm
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10μm，所述硅柱的高度为10
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15μm。3.根据权利要求1所述的钙钛矿纳米线阵列的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述钙钛矿溶液由R)
‑1‑
(4
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氯苯基)乙胺铅碘钙钛矿溶于N,N
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二甲基甲酰胺或二甲基亚砜中制得，配制浓度为5
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50mg/mL。4.根据权利要求1所述的钙钛矿纳米线阵列的制备方法，其特征在于，步骤S3中，采用移液枪进行钙钛矿溶液吸取转移，单次吸取量为7
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20μL。5.根据权利要求1所述的钙钛矿纳米线阵列的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：高寒飞，吴雨辰，江雷，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：