一种硫化锡（SnS）@二硫化铌（NbS2）核壳异质结及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种硫化锡(SnS)@二硫化铌(NbS2)核壳异质结的制备方法及其应用，属于功能纳米材料制备技术领域。以五氯化铌、五水合四氯化锡、二硫化碳为原料，通过溶剂热法以油胺为溶剂、还原剂、表面活性剂，合成了SnS@NbS2核壳异质结；将异质结的乙醇溶液滴涂在叉指电极上，制得了其对应的光电探测器。制得了其对应的光电探测器。制得了其对应的光电探测器。

【技术实现步骤摘要】
一种硫化锡(SnS)@二硫化铌(NbS2)核壳异质结及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及SnS@NbS2核壳异质的结制备方法和应用，属于功能纳米材料制备

技术背景
[0002]层状金属硫族化合物(Layered metal chalcogenides,LMCs)是一类典型的二维材料，因其在下一代电子和光电子领域的巨大潜力而受到人们的广泛关注。与目前主要研究的n型半导体LMCs(如：钼二硫化(MoS2)和钨二硫化(WS2)等)不同，硫化锡(SnS)是为数不多的天然p型半导体，其间接带隙为1.1eV，直接带隙为1.3eV。由于具有低加工成本、无毒、地球储量丰富、稳定性良好以及优异的电子、光学和光电性能，近年来SnS被人们广泛研究。目前，SnS已被成功应用于太阳能电池、电池、光电探测器等领域。
[0003]与许多半导体LCMs类似，基于SnS的电子/光电器件的性能会受到接触电阻的影响。对于半导体LMCs，构建金属/半导体异质结，可以有效减弱费米能级钉扎效应，调节肖特基势垒，进而降低接触电阻。通常人们将半导体与贵金属(如：金本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硫化锡(SnS)@二硫化铌(NbS2)核壳异质结的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)将摩尔比为2:8～4:6的五氯化铌和五水合四氯化锡溶解于油胺，并在高温下脱气；(2)将上述溶液进一步加热，随后注入二硫化碳硫化，硫化温度为300℃～350℃，得到SnS@NbS2核壳异质结；(3)将步骤(2)中的所得的SnS@NbS2核壳异质结中添加乙醇、异丙醇和正己烷的混合液进行洗涤，再用洗涤液洗涤并分散于分散液中。2.根据权利要求1所述的SnS@NbS2核壳异质结的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中SnS@NbS2核壳异质结的制备方法是五氯化铌、五水合四氯化锡为原料，通过溶剂热法合成。3.根据权利要求1所述的SnS@NbS2核壳异质结的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，油胺作为溶剂、还原剂以及表面活性剂。4.根据权利要求1所述的SnS@NbS2核壳异质结的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，脱气温度为100℃至150℃，脱气时间为10～20min。5.根据权利要求1所述的SnS@NbS2核壳异质结的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，二...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志伟，王翔，黄晓，黄维，
申请(专利权)人：南京工业大学，
类型：发明
国别省市：