【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅刻蚀制绒添加剂及其应用
[0001]本专利技术属于太阳能电池生产制绒工艺
,涉及一种单晶硅制绒添加剂以及制绒液的配制。
技术介绍
[0002]目前常规硅太阳电池生产的工艺流程为表面预清洗、制绒去除损伤层并形成减反射的绒面结构、化学清洗并干燥;通过液态源扩散的方法在硅片表面各点形成均匀掺杂的PN结;去除扩散过程中形成的周边PN结和表面磷硅玻璃;表面沉积钝化和减反射膜;制作太阳电池的背面电极、背面电场和正面电极;烧结形成欧姆接触,从而完成整个电池片的制作过程。其中制绒去除损伤层并形成减反射的绒面结构这一步骤,目前大都采用化学腐蚀的方法来实现。
[0003]制绒是用化学或物理方法去除硅片表面损伤层并形成减反射的绒面结构的过程,目前常规制绒工艺一般采用氢氧化钠或氢氧化钾,并添加适当异丙醇和硅酸钠的混合溶液进行制绒。其缺点是:制绒时间较长,制绒金字塔大而不均匀,对原始硅片表面状态要求高,化学品消耗也比较大,并且溶液寿命短,制绒重复性差,异丙醇等挥发量很大,需要不断调液,操作难度高,从而带来制绒外观不良率很高,电 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅刻蚀制绒添加剂,其特征在于:所述的单晶硅制绒添加剂为分子量10~13万的魔芋葡甘露聚糖。2.根据权利要求1所述单晶硅刻蚀制绒添加剂的应用,其特征在于,将单晶硅刻蚀制绒添加剂用于配制制绒液,所述制绒液按质量百分比计,由以下成分组成:分子量10~13万的魔芋葡甘露聚糖:0.5~2.0%;表面活性剂:3~5
‰
;抗坏血酸:3~5
‰
;氢氧化钠:5~10
‰
;炔二醇:2~5
‰
;磺酸钠:...
【专利技术属性】
技术研发人员:张小飞,
申请(专利权)人:常州高特新材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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