射频压力传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种射频压力传感器，包括带有空腔的衬底，沉积在衬底上表面的布拉格反射栅层结构以及形成在反射栅层结构上的压电堆叠结构。布拉格反射栅层结构从下至上依次为低声阻抗层和高声阻抗层的交替叠加；压电堆叠结构从下至上依次为底电极、压电层及顶电极。当压力作用于传感器时，由于空腔的存在，压电堆叠结构、反射栅层结构及空腔上衬底薄层在压力的作用下发生相应形变，引起谐振频率的偏移，最终测量出压力的变化。通过设置的反射栅层结构和空腔上的衬底层，可以增加传感器的稳定性；传感器可承受更大的压力，即可测量压力范围更大，应用范围更广。同时，SiO2薄膜层可以减少谐振器的温漂问题，进一步增大传感器的稳定性与准确性。性与准确性。性与准确性。

【技术实现步骤摘要】
射频压力传感器


[0001]本专利技术涉及传感器
，具体涉及一种射频压力传感器。

技术介绍

[0002]传感器作为一种将机械能与电能相互转换的换能器，现在已经广泛用于手机、电脑、照相机等消费性电子产品以及工业界、生命健康监测等领域中。传统的传感器主要包括电容式和压电式两种，电容式传感器采用双层膜结构，利用导体间的电容充放电原理，改变导体间的电压，从而实现机械能到电能的转换。虽然电容式传感器具有极为宽广的频率响应范围，能够快速的瞬时响应等优点，但是电容式传感器脆弱，怕潮怕摔，需要直流电压，在实际应用中依然存在较大问题。近年来随着压电式微机电系统(MEMS)技术的不断发展，特别是基于氮化铝薄膜材料MEMS技术的逐渐成熟，压电MEMS传感器也不断的发展起来。压电MEMS传感器是一种新型的MEMS产品，利用集成在硅基底表面的压电材料进行能量转换，其采用单一隔膜结构，能够不受灰尘、水、焊剂蒸汽影响，在高端电子产品上已经逐渐取代传统的电容式传感器，成为新一代MEMS传感器市场的主流。
[0003]压力传感器是应用最为广泛的传感器之一。目前压力本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频压力传感器，其特征在于：包括衬底、沉积在衬底上表面的布拉格反射栅层结构和形成在反射栅层结构上的压电堆叠结构；所述衬底内部具有密闭的空腔；所述布拉格反射栅层结构从下至上依次为低声阻抗层和高声阻抗层的交替叠加；所述压电堆叠结构从下至上依次为底电极、压电层及顶电极。2.根据权利要求1所述的射频压力传感器，其特征在于：所述带有空腔的衬底为带有空腔的硅衬底或者是带有空腔的SOI衬底。3.根据权利要求1或2所述的射频压力传感器，其特征在于：所述衬底中的空腔呈圆柱型、长方体型或不规则六面体型中任一种。4.根据权利要求1或2所述的射频压力传感器，其特征在于：所述布拉格反射栅层结构中的低声阻抗层薄膜为SiO2薄膜；所述布拉格反射栅层结构中的高声阻抗层薄膜为Mo薄膜、SiC薄膜、SiN薄膜、W薄膜或AlN薄膜中任一种。5.根据权利要求3所述的射频压力传感器，其特征在于：所述布拉格反射栅层结构中的低声阻抗层薄膜为SiO2薄膜；所述布拉格反射栅层结构中的高声阻抗层薄膜为Mo薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙成亮，谢英，王雅馨，杨超翔，曲远航，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：