一种PEI薄膜电容器热定型工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种PEI薄膜电容器热定型工艺,PEI薄膜电容器包括芯子，芯子热定型方法为：将芯子置于烘箱内，使烘箱内的温度经过28

【技术实现步骤摘要】
一种PEI薄膜电容器热定型工艺


[0001]本专利技术涉及电力电子器件
，尤其是涉及一种PEI(Polyetherimide，聚醚酰亚胺)薄膜电容器的制备工艺。

技术介绍

[0002]宽禁带半导体材料一般都具有比硅高得多的临界雪崩击穿电场强度、载流子饱和漂移速度、较高的热导率和相差不大的载流子迁移率。因此，基于宽禁带半导体材料(如碳化硅)的电力电子器件将具有比硅器件高得多的耐受高电压的能力、低得多的通态电阻、更好的导热性能和热稳定性以及更强的耐受高温和射线辐射的能力，并且相对于硅器件来说，宽禁带半导体材料许多方面的性能都是成数量级地提高。
[0003]随着开关器件的发展，新一代开关器件的应用环境正在逐渐向高温、高压、大电流、高频等方向接轨，这就对与之配合的电容器提出了新的要求：耐高温、耐高压、耐大电流、耐高频等。而宽禁带半导体器件的优势可满足新型开关器件的高要求。PEI薄膜电容器能够满足新一代开关器件的应用要求，但是很难摸索出能够满足PEI材料的热定型温度参数和热定型时间参数。选择合适的热定型温度和时间对电容器的电性能有非常重要的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PEI薄膜电容器热定型工艺，其特征在于，所述PEI薄膜电容器包括芯子(1)，所述芯子(1)由两层金属化PEI薄膜(61)绕制而成，所述芯子(1)两端设置有喷金层(2)，所述带有喷金层(2)的芯子(1)进行烘烤热定型处理，所述热定型处理的方法为：将所述芯子(1)置于烘箱内，使烘箱内的温度经过28
‑
32分钟从室温升温至60
±
3℃，使所述芯子(1)在温度为60
±
3℃时保持58
‑
62分钟；然后使所述烘箱内的温度经过28
‑
32分钟从60
±
3℃升温至90
±
3℃，使所述芯子(1)在温度为90
±
3℃时保持58
‑
62分钟；然后使所述烘箱内的温度经过28
‑
32分钟从90
±
3℃升温至120
±
3℃，使所述芯子(1)在温度为120
±
3℃保持230
‑
250分钟；然后使所述烘箱内的温度经过28
‑
32分钟从120
±
3℃升温至150
±
3℃，使所述芯子(1)在温度为150
±
3℃时保持470
‑
490分钟，最后使所述芯子(1)在烘箱内利用烘箱自带的风机自然冷却至室温。2.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢平，李嘉雄，王亚民，
申请(专利权)人：艾华新动力电容苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：