一种多形貌、多尺寸无机填料掺杂可降解薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种多形貌、多尺寸无机填料掺杂可降解薄膜的制备方法，方法包括：将厚度为0.1

【技术实现步骤摘要】
一种多形貌、多尺寸无机填料掺杂可降解薄膜的制备方法


[0001]本专利技术涉及可降解薄膜
，尤其涉及一种多形貌、多尺寸无机填料掺杂可降解薄膜的制备方法。

技术介绍

[0002]聚(己二酸丁二醇酯
‑
对苯二甲酸丁二醇酯)(简称PBAT)是一种常规的可降解聚合物，相对于常见的聚乙烯和聚丙烯而言，将PBAT直接应用于制备薄膜时，存在两方面的不足，一是PBAT的成本过高，二是薄膜挺度不足。这两个方面的原因大大限制了PBAT的大范围推广应用以及使用效果。
[0003]现有的大多是通过对PBAT进行掺杂改性，改性其PBAT的综合性能。现有的技术中，主要采用添加脆性较高的可降解聚合物，增加薄膜挺度，例如专利CN201910219597.1通过添加聚乳酸(PLA)，提高薄膜的耐冲击强度和韧性。但该方法中，PLA的成本远高于PBAT，限制了可降解塑料的应用推广。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供了一种多形貌、多尺寸无机填料掺杂可降解薄膜的制备方法，方法通过多形貌多尺寸的的无机粉体对PBAT进行改性，大大提高了可降解薄膜的综合性能。
[0005]一种多形貌、多尺寸无机填料掺杂可降解薄膜的制备方法，方法包括：
[0006]将厚度为0.1
‑
5μm、直径为1
‑
20μm的片状粉体，长度为0.5
‑
10μm、直径为10
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100nm的条状粉体，直径为3nm
‑
10μm的颗粒状粉体与PBAT颗粒按0.1
‑
60：40
‑
99.9比例加入至搅拌机中，搅拌5
‑
15min，共混均匀，得到共混原料；
[0007]将共混原料加入至螺杆挤出机中，挤出机区间温度设置为120
‑
150℃，机头温度为155
‑
165℃，挤出吹膜，水冷，得到厚度为5
‑
300μm多形貌、多尺寸无机填料掺杂可降解薄膜。
[0008]优选地，方法包括：
[0009]将厚度为0.2
‑
4μm、直径为5
‑
15μm的片状粉体，长度为2
‑
9μm、直径为25
‑
85nm的条状粉体，直径为5nm
‑
7μm的颗粒状粉体与PBAT颗粒按10
‑
55：45
‑
90比例加入至搅拌机中，搅拌6
‑
12min，共混均匀，得到共混原料；
[0010]将共混原料加入至螺杆挤出机中，挤出机区间温度设置为130
‑
145℃，机头温度为158
‑
162℃，挤出吹膜，水冷，得到厚度为20
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150μm多形貌、多尺寸无机填料掺杂可降解薄膜。
[0011]优选地，方法包括：
[0012]将厚度为3μm、直径为8μm的片状粉体，长度为6μm、直径为50nm的条状粉体，直径为5μm的颗粒状粉体与PBAT颗粒按30：70比例加入至搅拌机中，搅拌8min，共混均匀，得到共混原料；
[0013]将共混原料加入至螺杆挤出机中，挤出机区间温度设置为120
‑
145℃，机头温度为
160℃，挤出吹膜，水冷，得到厚度为100μm多形貌、多尺寸无机填料掺杂可降解薄膜。
[0014]优选地，所述片状粉体、条状粉体以及颗粒状粉体为硫酸钡、碳酸钙、二氧化硅、云母粉、氧化铝、滑石粉、蒙脱土以及硫酸钙中的一种或多种。
[0015]优选地，所述片状粉体、条状粉体以及颗粒状粉体为硫酸钡、二氧化硅、氧化铝、滑石粉、以及硫酸钙中的三种。
[0016]优选地，所述片状粉体为氧化铝，所述条状粉体为二氧化硅，所述颗粒状粉体为硫酸钡。
[0017]优选地，所述片状粉体、条状粉体、颗粒状粉体质量比为1
‑
3：0.5
‑
2：3
‑
5。
[0018]优选地，所述片状粉体、条状粉体、颗粒状粉体质量比为1：0.8：4。
[0019]本专利技术提供了一种无机填料掺杂可降解薄膜材料及其制备方法，本方法通过往PBAT颗粒中添加多形貌、多尺寸的无机粉体，对PBAT颗粒进行改性；即通过片状粉体在吹膜过程中会形成二维取向排列，从而有效提高薄膜的挺度，通过调节片状粉体的尺寸，还可调节薄膜的白度；条状粉体在吹膜过程中会形成一维取向排列，从而有效提高薄膜在一维方向的拉伸模量，也可提高薄膜的挺度；小尺寸的颗粒状粉体，能够在提高粉体添加量的同时，尽可能小的影响薄膜的白度和共混料的可加工性，可以大大降低生产成本，且可控地调节薄膜的力学强度、白度、挺度等系列指标，综合性能大大提高。
具体实施方式
[0020]下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0021]应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
[0022]还应当进一步理解，在本专利技术说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
[0023]一种多形貌、多尺寸无机填料掺杂可降解薄膜的制备方法，方法包括：
[0024]将厚度为0.1
‑
5μm、直径为1
‑
20μm的片状粉体，长度为0.5
‑
10μm、直径为10
‑
100nm的条状粉体，直径为3nm
‑
10μm的颗粒状粉体与PBAT颗粒按0.1
‑
60：40
‑
99.9比例加入至搅拌机中，搅拌5
‑
15min，共混均匀，得到共混原料；
[0025]将共混原料加入至螺杆挤出机中，挤出机区间温度设置为120
‑
150℃，机头温度为155
‑
165℃，挤出吹膜，水冷，得到厚度为5
‑
300μm多形貌、多尺寸无机填料掺杂可降解薄膜。
[0026]其中，片状粉体、条状粉体、颗粒状粉体质量比为1
‑
3：0.5
‑
2：3
‑
5；较好的，片状粉体、条状粉体、颗粒状粉体质量比为1：0.8：4；片状粉体、条状粉体以及颗粒状粉体为硫酸钡、碳酸钙、二氧化硅、云母粉、氧化铝、滑石粉、蒙脱土以及硫酸钙中的一种或多种；一般地，片状粉体、条状粉体以及颗粒状粉体为硫本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多形貌、多尺寸无机填料掺杂可降解薄膜的制备方法，其特征在于，方法包括：将厚度为0.1
‑
5μm、直径为1
‑
20μm的片状粉体，长度为0.5
‑
10μm、直径为10
‑
100nm的条状粉体，直径为3nm
‑
10μm的颗粒状粉体与PBAT颗粒按0.1
‑
60：40
‑
99.9比例加入至搅拌机中，搅拌5
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15min，共混均匀，得到共混原料；将共混原料加入至螺杆挤出机中，挤出机区间温度设置为120
‑
150℃，机头温度为155
‑
165℃，挤出吹膜，水冷，得到厚度为5
‑
300μm多形貌、多尺寸无机填料掺杂可降解薄膜。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，方法包括：将厚度为0.2
‑
4μm、直径为5
‑
15μm的片状粉体，长度为2
‑
9μm、直径为25
‑
85nm的条状粉体，直径为5nm
‑
7μm的颗粒状粉体与PBAT颗粒按10
‑
55：45
‑
90比例加入至搅拌机中，搅拌6
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12min，共混均匀，得到共混原料；将共混原料加入至螺杆挤出机中，挤出机区间温度设置为...

【专利技术属性】
技术研发人员：苗磊，陈焰，胡广齐，郑明东，冼慧敏，
申请(专利权)人：佛山安亿纳米材料有限公司，
类型：发明
国别省市：