【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及半导体装置的制造方法
[0001]本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体晶片、模块以及电子设备。
[0002]注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。除了晶体管等的半导体元件之外，半导体电路、运算装置或存储装置也是半导体装置的一个方式。显示装置(液晶显示装置、发光显示装置等)、投影装置、照明装置、电光装置、蓄电装置、存储装置、半导体电路、摄像装置及电子设备等有时包括半导体装置。
[0003]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。
技术介绍
[0004]近年来，已对半导体装置进行开发，主要使用LSI、CPU、存储器。CPU是包括从半导体晶片分开的半导体集成电...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，包括：第一氧化物；所述第一氧化物上的第一导电体及第二导电体；所述第一导电体上的第一绝缘体；所述第二导电体上的第二绝缘体；所述第一绝缘体及所述第二绝缘体上的第三绝缘体；在所述第一氧化物上配置在所述第一导电体与所述第二导电体之间的第二氧化物；所述第二氧化物上的第四绝缘体；所述第四绝缘体上的第三导电体；接触于所述第三绝缘体的顶面、所述第二氧化物的顶面、所述第四绝缘体的顶面及所述第三导电体的顶面的第五绝缘体；嵌入到形成在所述第一绝缘体、所述第三绝缘体及所述第五绝缘体中的开口中且与所述第一导电体接触的第四导电体；以及嵌入到形成在所述第二绝缘体、所述第三绝缘体及所述第五绝缘体中的开口中且与所述第二导电体接触的第五导电体，其中，所述第三绝缘体在与所述第四导电体的界面附近及与所述第五导电体的界面附近具有其氮浓度高于所述第三绝缘体的其他区域的区域。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一导电体在与所述第四导电体的界面附近具有其氮浓度高于所述第一导电体的其他区域的区域，并且所述第二导电体在与所述第五导电体的界面附近具有其氮浓度高于所述第二导电体的其他区域的区域。3.一种半导体装置，包括：第一绝缘体；所述第一绝缘体上的第一导电体；所述第一导电体上的第二绝缘体；所述第二绝缘体上的第一氧化物；所述第一氧化物上的第二导电体及第三导电体；所述第二导电体上的第三绝缘体；所述第三导电体上的第四绝缘体；所述第三绝缘体及所述第四绝缘体上的第五绝缘体；在所述第一氧化物上配置在所述第二导电体与所述第三导电体之间的第二氧化物；所述第二氧化物上的第六绝缘体；所述第六绝缘体上的第四导电体；接触于所述第五绝缘体的顶面、所述第二氧化物的顶面、所述第六绝缘体的顶面及所述第四导电体的顶面的第七绝缘体；接触于所述第七绝缘体的顶面及侧面、所述第五绝缘体的侧面、所述第二绝缘体的侧面及所述第一绝缘体的顶面的第八绝缘体；嵌入到形成在所述第三绝缘体、所述第五绝缘体、所述第七绝缘体及所述第八绝缘体
中的开口中且与所述第二导电体接触的第五导电体；以及嵌入到形成在所述第四绝缘体、所述第五绝缘体、所述第七绝缘体及所述第八绝缘体中的开口中且与所述第三导电体接触的第六导电体，其中，所述第五绝缘体在与所述第五导电体的界面附近、与所述第六导电体的界面附近及与所述第八绝缘体的界面附近具有其氮浓度高于所述第五绝缘体的其他区域的区域。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第二导电体在与所述第五导电体的界面附近具有其氮浓度高于所述第二导电体的其他区域的区域，并且所述第三导电体在与所述第六导电体的界面附近具有其氮浓度高于所述第三导电体的其他区域的区域。5.一种包括第一至第五导电体、第一至第五绝缘体以及第一及第二氧化物的半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在衬底上形成所述第一氧化物、所述第一氧化物上的第一导电体层及所述第一导电体层上的第一绝缘体层；在所述第一绝缘体层上形成所述第三绝缘体；在所述第三绝缘体中形成到达所述第一绝缘体层的开口；去除所述第一导电体层及所述第一绝缘体层中的重叠于该开口的区域而形成所述第一导电体、所述第二导电体、所述第一绝缘体及所述第二绝缘体；以在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，神保安弘，石川纯，手塚祐朗，掛端哲弥，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：
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