【技术实现步骤摘要】
存储器器件及提供写入电压的方法
[0001]本专利技术的实施例提供一种存储器器件及提供写入电压的方法。
技术介绍
[0002]集成电路(IC)存储器器件包括电阻性存储器,诸如电阻性随机存取存储器(RRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)、相变随机存取存储器(PCRAM)等。电阻性存储器通过改变介电材料的电阻存储信息。例如,RRAM是包括RRAM单元阵列的存储器结构,每个RRAM单元使用电阻值而不是电荷来存储数据的位。特别地,每个RRAM单元包括电阻材料层,电阻材料层的电阻可以被调整为代表逻辑“0”或逻辑“1”。
技术实现思路
[0003]根据本专利技术的实施例的一个方面,提供了一种存储器器件,包括:多个单元,布置成包括多个行和多个列的矩阵;多个位线,其中,多个位线中的每个连接到布置在多个列的列中的多个单元中的第一多个单元;以及电压控制电路,与多个位线中的所选择的位线可连接,其中,电压控制电路包括:电压检测电路,其中,电压检测电路检测瞬时电源电压;以及电压源选择电路,连接到电压检测电路,其中,电压源选择电路基 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器器件,包括:多个单元,布置成包括多个行和多个列的矩阵;多个位线,其中,所述多个位线中的每个连接到布置在所述多个列的列中的所述多个单元中的第一多个单元;以及电压控制电路,与所述多个位线中的所选择的位线可连接,其中,所述电压控制电路包括:电压检测电路,其中,所述电压检测电路检测瞬时电源电压;以及电压源选择电路,连接到所述电压检测电路,其中,所述电压源选择电路基于检测到的所述瞬时电源电压从多个电压源中选择电压源,并且其中,所述电压源选择电路包括将所选择的所述电压源连接至所选择的所述位线的开关,以提供写入电压。2.根据权利要求1所述的存储器器件,其中,所述电压检测电路包括:连接至电源电压节点的电阻器阶梯以及接至所述电阻器阶梯的比较器,其中,所述电阻器阶梯检测所述瞬时电源电压,并且其中,所述比较器将检测的所述瞬时电压与参考电压进行比较。3.根据权利要求2所述的存储器器件,其中,所述比较器的输出端子连接至所述开关,并且其中,所述开关基于所述比较器的输出从所述多个电压源中选择所述电压源。4.根据权利要求3所述的存储器器件,其中,当所述瞬时电源电压小于所述参考电压时,所述开关选择所述多个电压源中的第一电压源,并且其中,当所述瞬时电源电压大于所述参考电压时,所述开关选择所述多个电压源中的第二电压源。5.根据权利要求2所述的存储器器件,其中,所述电压控制电路还包括计时器,其中,所述计时器跟踪时间段,并且在所述时间段期满之后生成比较器使能信号,...
【专利技术属性】
技术研发人员:赖建安,邹宗成,池育德,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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