一种改善的PON_ONU语音摘机电路制造技术

本发明专利技术公开了一种改善的PON_ONU语音摘机电路，包括：依次连接的供电电路、升压电路、储能滤波电路和滤波电路；升压电路包括：第一三极管（VQ1），第三三极管（VQ3）、电感（VL2）、若干电阻并联形成的电阻对和二极管（VD4）；本改善电路还包括加速电容（VC26），加速电容（VC26）的一端连接在第二电阻（VR35）和第三电阻（VR33）之间，另一端连接在第一三极管（VQ1）的基极上。通过在第一三极管VQ1的基极与脉冲开关信号间增加加速电容VC26,加快第一三极管VQ1的导通与截止的响应时间,使第一三极管VQ1真正工作在开关状态,电感VL2工作在饱和电流以下。在开关状态,电感VL2工作在饱和电流以下。在开关状态,电感VL2工作在饱和电流以下。

【技术实现步骤摘要】
一种改善的PON_ONU语音摘机电路


[0001]本专利技术属于开关管电路领域，具体涉及到一种改善的PON_ONU语音摘机电路。

技术介绍

[0002]PON是Passive Optical Network的简写，指的是无源光纤网络；ONU是Optical Network Unit的简写，指的是光网络单元，是家庭网络终端，通俗的讲叫做光猫，PON_ONU意思是无源光纤网络单元。参考图1，PON _ONU的语音接口,摘机或振铃时,烧坏升压电路的开关三极管。ONU的语音升压电路如图1，开关脉冲信号通过第二三极管VQ2控制第一三极管VQ1的导通与截止, 继而控制输出高电压的的占空比,当开关脉冲频率较高时, 将造成第一三极管VQ1 的导通与截止不彻底；电感VL2上持续有电流,继而造成储能电感饱和, 在饱和的状态下,电感交流阻抗急剧下降, 电流急剧增加, 最终烧坏第一三极管VQ1以及电感VL2。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种改善的PON_ONU语音摘机电路，其目的在于解决在升压电路中第一三极管VQ1以及电感VL2被烧坏的问题。
[0004]本专利技术的技术方案如下：一种改善的PON_ONU语音摘机电路，包括：依次连接的供电电路、升压电路、储能滤波电路和滤波电路；所述升压电路包括：第一三极管VQ1，第三三极管VQ3、电感VL2、若干电阻并联形成的电阻对和二极管VD4；所述第一三极管VQ1的基极和所述第三三极管VQ3的基极连接；所述第一三极管VQ1的集电极和所述第三三极管VQ3的集电极连接；所述第一三极管VQ1的发射极和所述第三三极管VQ3的发射极连接；所述二极管VD4的阴极和所述第一三极管VQ1的集电极连接，阳极和所述储能滤波电路连接；所述电感VL2的一端和所述二极管VD4的阴极连接，另一端和所述电阻对的一端连接；所述电阻对的另一端接地；所述改善的PON_ONU语音摘机电路还包括：第一电阻VR31、第二电阻VR35、第三电阻VR33、第二三极管VQ2；所述第一电阻VR31的一端连接在所述第一三极管VQ1的基极，另一端连接在所述第二三极管VQ2的集电极，所述第二电阻VR35的一端和所述第二三极管VQ2的发射极连接，另一端和所述第三电阻（VR33）连接；还包括加速电容VC26，所述加速电容VC26的一端连接在所述第二电阻VR35和所述第三电阻VR33之间，另一端连接在所述第一三极管（VQ1）的基极上。
[0005]本专利技术的技术优点：本专利技术通过在第一三极管VQ1的基极与脉冲开关信号间增加加速电容VC26, 加快第一三极管VQ1的导通与截止的响应时间,使第一三极管VQ1真正工作在开关状态, 电感VL2工作在饱和电流以下。
附图说明
[0006]图1为现有技术中PON_ONU语音摘机烧开关管的电路；
图2为改进后的PON_ONU语音摘机烧开关管的电路。
具体实施方式
[0007]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本 专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本 专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0008]本专利申请文档中，若有类似“第一电阻”、“第二电阻”的表述，并不必然表示“第一电阻”在本文中一定会出现在“第二电阻”之前，其目的仅仅是为了表示这是两种不同规格的电阻。有时，为了配合对电路图的描述，在权利要求书或者说明书中，“第二电阻”可能会出现在“第一电阻”的前面。此外，本专利申请中所说的连接，是指的电路意义上的连接，非机械上的连接。
[0009]参考图2，本专利技术所述的改善的PON_ONU语音摘机电路，包括：依次连接的供电电路、升压电路、储能滤波电路和滤波电路。其中，升压电路包括：第一三极管VQ1，第三三极管VQ3、电感VL2、若干电阻并联形成的电阻对和二极管VD4。第一三极管VQ1的基极和第三三极管VQ3的基极连接；第一三极管VQ1的集电极和第三三极管VQ3的集电极连接；第一三极管VQ1的发射极和第三三极管VQ3的发射极连接；二极管VD4的阴极和第一三极管VQ1的集电极连接，阳极和储能滤波电路连接。电感VL2的一端和二极管VD4的阴极连接，另一端和前面所说的电阻对的一端连接；电阻对的另一端接地。
[0010]在图2中，本专利技术所说的改善的PON_ONU语音摘机电路还包括：第一电阻VR31、第二电阻VR35、第三电阻VR33和第二三极管VQ2。第一电阻VR31的一端和第一三极管VQ1的基极连接，另一端和第二三极管VQ2的集电极连接，第二电阻R35的一端和所述第二三极管VQ2的发射极连接，另一端和所第三电阻VR33连接。本专利技术的改进点在于，该语音摘机电路还包括加速电容VC26，加速电容VC26的一端连接在第二电阻VR35和所述第三电阻VR33之间，另一端连接在所述第一三极管VQ1的基极上。通过在第一三极管VQ1的基极与脉冲开关信号间增加加速电容VC26, 加快第一三极管VQ1的导通与截止的响应时间,使第一三极管VQ1真正工作在开关状态, 电感VL2工作在饱和电流以下，解决了在升压电路中的第一三极管VQ1以及电感VL2被烧坏的问题。
[0011]进一步地，图2中的升压电路还包括：第四电阻VR28,其两端分别连接在所述第一三极管VQ1的发射极和基极上。
[0012]作为其中的一个实施例，请参考图2，前面所说的电阻对包括并联在一起的第五电阻VR36、第六电阻VR37、第七电阻VR38和第八电阻VR39。这四个电阻并联后，一端和电感VL2连接，另一端接地。
[0013]图2中，作为其中的一个实施例：前面所说的储能滤波电路包括并联在一起的第一电容VC27和第一有极电容VEC4。第一电容VC27和第一有极电容VEC4并联后一端接地，另一端和二极管VD4的阳极连接。
[0014]图2中，作为其中的一个实施例：前面所说的滤波电路包括：并联在一起的第二电容VC28和第二有极电容（VEC5）。滤波电路的一端接地，另一端通过第九电阻VR30和储能滤波电路连接。
[0015]图2中，作为其中的一个实施例：供电电路包括：第十电阻VR40、第十一电阻VR41和第三电容VC29；第十一电阻VR41和所述第三电容VC29并联后一端接地，另一端通过第十电阻VR40和电阻对连接。
[0016]进一步地： 第一三极管VQ1优选为PNP型，第二三极管VQ2为NPN型。
[0017]进一步地：第三三极管VQ3优选为PNP型。
[0018] 本专利技术通过在第一三极管VQ1的基极与脉冲开关信号间增加加速电容VC26, 加快第一三极管VQ1的导通与截止的响应时间,使第一三极管VQ1真正工作在开关状态, 电感VL2工作在饱和电流以下，解决了在升压电路中的第一三极管VQ1以及电感VL2被烧坏的问题。
[0019]尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善的PON_ONU语音摘机电路，包括：依次连接的供电电路、升压电路、储能滤波电路和滤波电路；所述升压电路包括：第一三极管（VQ1），第三三极管（VQ3）、电感（VL2）、若干电阻并联形成的电阻对和二极管（VD4）；所述第一三极管（VQ1）的基极和所述第三三极管（VQ3）的基极连接；所述第一三极管（VQ1）的集电极和所述第三三极管（VQ3）的集电极连接；所述第一三极管（VQ1）的发射极和所述第三三极管（VQ3）的发射极连接；所述二极管（VD4）的阴极和所述第一三极管（VQ1）的集电极连接，阳极和所述储能滤波电路连接；所述电感（VL2）的一端和所述二极管（VD4）的阴极连接，另一端和所述电阻对的一端连接；所述电阻对的另一端接地；所述改善的PON_ONU语音摘机电路还包括：第一电阻（VR31）、第二电阻（VR35）、第三电阻（VR33）、第二三极管（VQ2）；所述第一电阻（VR31）的一端连接在所述第一三极管（VQ1）的基极，另一端连接在所述第二三极管（VQ2）的集电极，所述第二电阻（VR35）的一端和所述第二三极管（VQ2）的发射极连接，另一端和所述第三电阻（VR33）连接；其特征在于：还包括加速电容（VC26），所述加速电容（VC26）的一端连接在所述第二电阻（VR35）和所述第三电阻（VR33）之间，另一端连接在所述第一三极管（VQ1）的基极上。2.如权利要求1所述的改善的PON_ONU语音摘机电路，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐浩，陈传荣，
申请(专利权)人：深圳特发东智科技有限公司，
类型：发明
国别省市：