本实用新型专利技术涉及低压馈线回路电压补偿装置，包括互感器、三相变压器、可控硅触发板、电容器、电阻器和可控硅，三相变压器初级绕组连接馈线柜，三相变压器初级绕组的A、B、C相上均串联有互感器，可控硅触发板的三个电压采样端分别接在三相变压器初级绕组的A、B、C相上，三相变压器次级绕组的A、B、C相上均串联有可控硅，可控硅均与可控硅触发板连接，三相变压器次级绕组的A、B、C相上均并联有相互串联的电容器和电阻器，三相变压器次级绕组连接负载。本实用新型专利技术的有益效果为：能达到电压输出一致，从而实现稳定电压的恒定输出，满足负载对电压精度高的要求。精度高的要求。精度高的要求。
【技术实现步骤摘要】
一种低压馈线回路电压补偿装置
[0001]本技术涉及低压补偿
，具体涉及一种低压馈线回路电压补偿装置。
技术介绍
[0002]对于低压电路的补偿现有技术中采用的是整体无功补偿的方式，这种补偿的方式，当负载满负荷运转时，电网电压会忽然减小，而当电网半负荷运行时，电网电压会升高。从而导致电网电压产生较大的波动，导致负载设备的不稳定，甚至可能会烧坏负载设备，从而造成不可估量的经济损失。
技术实现思路
[0003]本技术所要解决的技术问题是提供一种低压馈线回路电压补偿装置，以克服上述现有技术中的不足。
[0004]本技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种低压馈线回路电压补偿装置，包括互感器、三相变压器、可控硅触发板、电容器、电阻器和可控硅，三相变压器初级绕组连接馈线柜，三相变压器初级绕组的A、B、C相上均串联有互感器，可控硅触发板的三个电压采样端分别接在三相变压器初级绕组的A、B、C相上，三相变压器次级绕组的A、B、C相上均串联有可控硅，可控硅均与可控硅触发板连接，三相变压器次级绕组的A、B、C相上均并联有相互串联的电容器和电阻器，三相变压器次级绕组连接负载。
[0005]进一步，互感器的型号为：BH
‑
0.66 1000/5 0.5级。
[0006]进一步，三相变压器的型号为：隔离变压器SG 380V/380V
±
10％Dyn11。
[0007]进一步，可控硅触发板的型号为：HSC6F
‑
2。
[0008]进一步，电容器的型号为：CH82 0.22UF/1000V。
[0009]进一步，电阻器的型号为：RX5/10W。
[0010]进一步，可控硅的型号为：KP 500A
‑
30 SF12。
[0011]本技术的有益效果是：通过馈线柜取电压后通过三相变压器对电压进行调节输出，再由电容器和电阻器对电路进行优化，提高电能质量后，可控硅触发板通过采样电流和电压并进行计算，通过对可控硅二次阀度的调节，使回路中A、B、C三相电压能够同时进行调节，达到一次侧的电压输出一致，从而实现稳定电压的恒定输出，满足负载对电压精度高的要求。
附图说明
[0012]图1为本技术所述低压馈线回路电压补偿装置的电路图。
[0013]附图中，各标号所代表的部件列表如下：
[0014]1、互感器；2、三相变压器；3、可控硅触发板；4、电容器；5、电阻器；6、可控硅。
具体实施方式
[0015]以下结合附图对本技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本技术，并非用于限定本技术的范围。
[0016]实施例1
[0017]如图1所示，一种低压馈线回路电压补偿装置，包括互感器1、三相变压器2、可控硅触发板3、电容器4、电阻器5和可控硅6，三相变压器2初级绕组连接馈线柜，三相变压器2初级绕组的A、B、C相上均串联有互感器1，可控硅触发板3的三个电压采样端分别接在三相变压器2初级绕组的A、B、C相上，三相变压器2次级绕组的A、B、C相上均串联有可控硅6，可控硅6均与可控硅触发板3连接，三相变压器2次级绕组的A、B、C相上均并联有相互串联的电容器4和电阻器5，三相变压器2次级绕组连接负载；
[0018]互感器1作为一个采集电流的设备，可以向可控硅触发板3输入电流信号；
[0019]三相变压器2主要是对电压进行升压和隔离的作用，三相变压器2本身设备上面可以对电压进行
±
2.5％调节，可以更好的控制电压和保护用电设备；
[0020]可控硅触发板3用于控制可控硅6门级电路的调节，从而能够准确的给馈线设备供电；
[0021]电容器4用于对电路进行补偿，防止电压波动过大；
[0022]电阻器5吸收电路中不稳定的电压，与电容器4串联使用，防止电路超前或者滞后；
[0023]可控硅6用于控制电路的输出，调节电压的范围，实现稳定输出电压。
[0024]通过馈线柜取电压后通过三相变压器2对电压进行调节输出，再由电容器4和电阻器5对电路进行优化，提高电能质量后，可控硅触发板3通过计算，调节可控硅6的阀度从而来调整电压大小，从而来稳定电压的恒定输出。
[0025]实施例2，如图1所示，本实施例为在实施例1的基础上所进行的进一步改进，其具体如下：
[0026]互感器1、三相变压器2、可控硅触发板3、电容器4、电阻器5和可控硅6均采用现有技术中的成熟产品，本实施例中，列举出一个满足使用要求的型号，分别具体如下：
[0027]互感器1的型号为：BH
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0.66 1000/5 0.5级；三相变压器2的型号为：隔离变压器SG 380V/380V
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10％Dyn11；可控硅触发板3的型号为：HSC6F
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2；电容器4的型号为：CH82 0.22UF/1000V；电阻器5的型号为：RX5/10W；可控硅6的型号为：KP 500A
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30 SF12。
[0028]尽管上面已经示出和描述了本技术的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本技术的限制，本领域的普通技术人员在本技术的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种低压馈线回路电压补偿装置，其特征在于，包括互感器(1)、三相变压器(2)、可控硅触发板(3)、电容器(4)、电阻器(5)和可控硅(6)，所述三相变压器(2)初级绕组连接馈线柜，所述三相变压器(2)初级绕组的A、B、C相上均串联有互感器(1)，所述可控硅触发板(3)的三个电压采样端分别接在所述三相变压器(2)初级绕组的A、B、C相上，所述三相变压器(2)次级绕组的A、B、C相上均串联有可控硅(6)，所述可控硅(6)均与所述可控硅触发板(3)连接，所述三相变压器(2)次级绕组的A、B、C相上均并联有相互串联的电容器(4)和电阻器(5)，所述三相变压器(2)次级绕组连接负载。2.根据权利要求1所述的一种低压馈线回路电压补偿装置，其特征在于，所述互感器(1)的型号为：BH
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0.66 1000/5...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴岭松，孙攀，
申请(专利权)人：湖北世纪森源电气集团有限公司，
类型：新型
国别省市：
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