【技术实现步骤摘要】
一种棒外气相沉积的调控方法及设备
[0001]本申请涉及光纤预制棒制造
，特别涉及一种棒外气相沉积的调控方法及设备。
技术介绍
[0002]目前，随着光通讯行业的快速发展以及相关产业的不断升级，市场上对于光纤预制棒的质量要求越来越严格，在光通信制造领域，一般采用为轴向气相沉积VAD(Vapor Axial Deposition)结合外部气相沉积OVD(Outside Vapor Deposition)的“两步法”合成工艺来制得光纤预制棒，其中，VAD法用于沉积制备芯棒，OVD法则用于沉积外包层，疏松体玻璃化后就制成了光纤预制棒。具体的，OVD法采用专门设计的喷灯将四氯化硅蒸发原料燃烧后产生二氧化硅粉尘，随后喷射在芯棒表面形成光纤预制棒疏松体。
[0003]在沉积反应中会生成SiO2粉尘，因为生成的SiO2并未全部沉积在芯棒表面上，因此实际沉积中有相当比例的SiO2粉尘会以废气的形式排出。其中，在相关生产过程中，由于沉积是一个动态变化的过程，在SiO2粉尘排出的过程中，其在一定程度上会影响到SiO2沉积的效果和品...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种棒外气相沉积的调控方法，其特征在于，其步骤包括：分别确定沉积开始前多个排气阀（10）的开度值，根据多个所述开度值拟合形成多个所述排气阀（10）在沉积时开度值随位置变化的理论的调节曲线；在沉积过程中监测疏松体的外径尺寸，若监测到所述疏松体的外径尺寸每增加预设厚度，则将理论的所述调节曲线的对应段沿其所处坐标的纵坐标方向向下移动第一预设距离，若监测到所述疏松体的外径尺寸增加的厚度小于所述预设厚度，则保持理论的所述调节曲线的对应段的形态不变；根据所述调节曲线的实际形态分别实时调节各个所述排气阀（10）的开度值。2.如权利要求1所述的一种棒外气相沉积的调控方法，其特征在于，所述调控方法还包括：在沉积过程中监测所述疏松体对应位置的实际沉积密度，若监测到所述实际沉积密度每大于理论沉积密度的预设百分比时，则将所述调节曲线对应所述疏松体对应位置的对应段沿其所处坐标的纵坐标方向向上移动第二预设距离；若监测到所述实际沉积密度每小于所述理论沉积密度的预设百分比时，则将所述调节曲线对应所述疏松体对应位置的对应段沿其所处坐标的纵坐标方向向下移动所述第二预设距离；若监测到所述实际沉积密度与理论沉积密度之间的差值不大于所述理论沉积密度的预设百分比时，则保持所述调节曲线的形态不变。3.如权利要求1所述的一种棒外气相沉积的调控方法，其特征在于，所述在沉积过程中监测所述疏松体对应位置的实际沉积密度，具体包括：利用外径测量仪（21）分别监测所述疏松体位于喷嘴（50）两侧对应位置的外径尺寸D1和D2；利用质量测试仪监测预设时间段内所述疏松体增加的质量
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m，并获取所述疏松体的移动速度v；根据所述D1、D2、
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m和v计算得到所述疏松体对应位置的实际沉积密度。4.如权利要求1所述的一种棒外气相沉积的调控方法，其特征在于：所述预设厚度为沉积前所述疏松体与沉积罩内壁之间的距离s0同理论沉积结束后所述疏松体与沉积罩内壁之间的距离s2的差值的5%，所述第一预设距离为处于对应位置的所述排气阀（10）的开度值的1%。5.如权利要求2所述的一种棒外气相沉积的调控方法，其特征在于：所述预设百分比为2%，所述第二预设距离为处于对应位置的所述排气阀（10）的开度值的5%。6.如权利要求5所述的一种棒外气相沉积的调控方法，其特征在于：实际的所述调节曲线沿其所处坐标的纵坐标方向的调节范围为理论的所述调节曲线沿其所处坐标的纵坐标取值的85%~115%。7.一种棒外气相沉积的设备，其特征在于，该设备用于实现如权利要求1所述的棒外气相沉积的调控方法，其包括：排气单元（1），其包括多个并列间隔设置的排气阀（10），所述排气阀（10）用于与疏松体同步沿水平方向左右移动；监测单元（2），其用于监测多个所述排气阀（10）的位置参数，还用于监测所述疏松体的
外径尺寸；调控单元（3），其与所述监测单元（2）和多个所述排气阀（10）均相连，所述调控单元（3）用于根据所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：王卫勇，高志维，
申请(专利权)人：藤仓烽火光电材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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