一种以Ni-Cu膜为基底的压电陶瓷频率元器件芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及元器件芯片技术领域，且公开了一种以Ni

【技术实现步骤摘要】
一种以Ni
‑
Cu膜为基底的压电陶瓷频率元器件芯片


[0001]本技术涉及元器件芯片
，尤其涉及一种以Ni
‑
Cu膜为基底的压电陶瓷频率元器件芯片。

技术介绍

[0002]压电陶瓷元件是利用压电效应的可逆性，在其上施加音频电压，使其产生机械振动，发出声音的陶瓷片。
[0003]现有的压电陶瓷频率元器件芯片应用广泛，涉及的方面众多，随着使用时间的增强，压电陶瓷频率元器件芯片往往会受到外界物质的侵蚀，造成使用寿命的降低，同时在压电陶瓷频率元器件芯片损坏时，由于压电陶瓷频率元器件芯片的体积较小，固定在保护壳内的压电陶瓷频率元器件芯片难以取出，需要连同保护壳一起丢弃，较为浪费资源，不方便人们的使用。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是为了解决现有技术中压电陶瓷频率元器件芯片容易受到外界物质侵蚀且拆卸更换较为困难的问题，而提出的一种以Ni
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Cu膜为基底的压电陶瓷频率元器件芯片。
[0005]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
[0006]一种以Ni
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Cu膜为基底的压电陶瓷频率元器件芯片，包括壳体和压电陶瓷频率元器件芯片本体，所述压电陶瓷频率元器件芯片本体放置于壳体的内侧壁，所述压电陶瓷频率元器件芯片本体的上端固定连接有第一Ni
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Cu膜层，所述第一Ni
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Cu膜层的上端固定包覆有第一Ag膜层，所述第一Ag膜层的上端固定连接有第一纳米抗氧化层，所述压电陶瓷频率元器件芯片本体的下端固定连接有第二Ni
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Cu膜层，所述第二Ni
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Cu膜层的下端固定包覆有第二Ag膜层，所述第二Ag膜层的下端固定连接有金属导出层，所述金属导出层的下端固定连接有绝缘层，所述绝缘层的下端固定包覆有第二纳米抗氧化层。
[0007]优选的，所述壳体包括最内侧的电磁隔离层，所述电磁隔离层的外侧壁固定连接有隔热防火层，所述隔热防火层的外侧壁固定连接有加强层，所述加强层的外侧壁固定连接有耐腐蚀层。
[0008]优选的，所述壳体的侧壁开设有开口且开口处对应卡接有盖板，所述盖板的侧壁固定连接有两个对称设置的楔形块，所述壳体的侧壁开设有两个与楔形块相匹配的燕尾槽。
[0009]优选的，所述盖板的侧壁开设有与金属导出层与相匹配的开口。
[0010]优选的，所述电磁隔离层的材质为镀铝玻纤。
[0011]优选的，所述金属导出层的侧边凸出于相邻的第二Ag膜层和绝缘层的侧边且金属导出层穿过开口连接至外界。
[0012]与现有技术相比，本技术提供了一种以Ni
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Cu膜为基底的压电陶瓷频率元器
件芯片，具备以下有益效果：
[0013]1、该以Ni
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Cu膜为基底的压电陶瓷频率元器件芯片，通过设有的第一纳米抗氧化层、第二纳米抗氧化层、电磁隔离层、隔热防火层、加强层和耐腐蚀层，在日常使用中，能够通过第一纳米抗氧化层和第二纳米抗氧化层来提高设备的抗氧化效果，通过电磁隔离层来减少电磁对设备的干扰，通过隔热防火层来减少温度对设备的干扰，然后通过耐腐蚀层来减少外界物质对芯片的干扰，提高了设备的使用寿命，减少了设备损坏，方便了人们使用。
[0014]2、该以Ni
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Cu膜为基底的压电陶瓷频率元器件芯片，通过设有的盖板、楔形块、燕尾槽和开口，在需要取出芯片时，先将盖板向有开口的一边方向推动，使得楔形块从燕尾槽处滑出，同时带动金属导出层从开口处滑出，进而将盖板取下，从而解除对压电陶瓷频率元器件芯片本体的限位，提高了人们对芯片的拆卸更换效率，方便了人们使用。
[0015]而且该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现，本技术提高了设备的使用寿命，减少了设备损坏，提高了人们对芯片的拆卸更换效率，方便了人们使用。
附图说明
[0016]图1为本技术提出的一种以Ni
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Cu膜为基底的压电陶瓷频率元器件芯片的结构示意图；
[0017]图2为本技术提出的一种以Ni
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Cu膜为基底的压电陶瓷频率元器件芯片盖板的侧视图；
[0018]图3为本技术提出的一种以Ni
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Cu膜为基底的压电陶瓷频率元器件芯片A部分的结构示意图。
[0019]图中：1壳体、2压电陶瓷频率元器件芯片本体、3第一Ni
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Cu膜层、4第一Ag膜层、5第一纳米抗氧化层、6第二Ni
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Cu膜层、7第二Ag膜层、8金属导出层、9绝缘层、10第二纳米抗氧化层、11电磁隔离层、12隔热防火层、13加强层、14耐腐蚀层、15盖板、16楔形块、17燕尾槽、18开口。
具体实施方式
[0020]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0021]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0022]参照图1
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3，一种以Ni
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Cu膜为基底的压电陶瓷频率元器件芯片，包括壳体1和压电陶瓷频率元器件芯片本体2，压电陶瓷频率元器件芯片本体2放置于壳体1的内侧壁，压电陶瓷频率元器件芯片本体2的上端固定连接有第一Ni
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Cu膜层3，第一Ni
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Cu膜层3的上端固定包覆有第一Ag膜层4，第一Ag膜层4的上端固定连接有第一纳米抗氧化层5，压电陶瓷频率元器件芯片本体2的下端固定连接有第二Ni
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Cu膜层6，第二Ni
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Cu膜层6的下端固定包覆有第
二Ag膜层7，第二Ag膜层7的下端固定连接有金属导出层8，金属导出层8的下端固定连接有绝缘层9，绝缘层9的下端固定包覆有第二纳米抗氧化层10。
[0023]壳体1包括最内侧的电磁隔离层11，电磁隔离层11的外侧壁固定连接有隔热防火层12，隔热防火层12的外侧壁固定连接有加强层13，加强层13的外侧壁固定连接有耐腐蚀层14，能够提高对芯片的保护效果。
[0024]壳体1的侧壁开设有开口且开口处对应卡接有盖板15，盖板15的侧壁固定连接有两个对称设置的楔形块16，壳体1的侧壁开设有两个与楔形块16相匹配的燕尾槽17，能够便于Udine盖板15进行限位。
[0025]盖板15的侧壁开设有与金属导出层8与相匹配的开口18，能够便于取下盖板15。
[0026]电磁隔离层11的材质为镀铝玻纤，能够本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种以Ni
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Cu膜为基底的压电陶瓷频率元器件芯片，包括壳体(1)和压电陶瓷频率元器件芯片本体(2)，其特征在于，所述压电陶瓷频率元器件芯片本体(2)放置于壳体(1)的内侧壁，所述压电陶瓷频率元器件芯片本体(2)的上端固定连接有第一Ni
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Cu膜层(3)，所述第一Ni
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Cu膜层(3)的上端固定包覆有第一Ag膜层(4)，所述第一Ag膜层(4)的上端固定连接有第一纳米抗氧化层(5)，所述压电陶瓷频率元器件芯片本体(2)的下端固定连接有第二Ni
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Cu膜层(6)，所述第二Ni
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Cu膜层(6)的下端固定包覆有第二Ag膜层(7)，所述第二Ag膜层(7)的下端固定连接有金属导出层(8)，所述金属导出层(8)的下端固定连接有绝缘层(9)，所述绝缘层(9)的下端固定包覆有第二纳米抗氧化层(10)。2.根据权利要求1所述的一种以Ni
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Cu膜为基底的压电陶瓷频率元器件芯片，其特征在于，所述壳体(1)包括最内侧的电磁隔离层(11)，所述电磁隔离层(11)的外侧壁固定连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：武锦涛，
申请(专利权)人：西安祥泰电器有限公司，
类型：新型
国别省市：