【技术实现步骤摘要】
双栅极氮化镓MIS
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HEMT器件及其制备方法
[0001]本专利技术涉及一种双栅极氮化镓MIS
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HEMT器件及其制备方法，属于半导体器件制备领域。
技术介绍
[0002]传统的增强型器件使用的是氟离子注入，PGaN和凹槽栅等方式实现的，但这几种增强型器件都有缺陷，并且器件的阈值在使用中是不可控的。
[0003]由于压电极化效应，在GaN和AlGaN的界面上存在2DEG，基于AlGaN/GaN的HEMT具有耗尽型的特性，即栅极偏压为零时，晶体管处于常开的状态。这使得HEMT作为功率器件有很大的隐患，形成增强型晶体管成为了研究的热点。目前传统的增强型晶体管主要使用的方法是氟离子注入(implanted gate structure)，P型GaN栅极(pGaN gate structure)和凹槽栅(recessed gate structure)等方式，但这几种增强型器件都有缺陷：
[0004](1)P型GaN栅极
[0005]首先，对于具有肖特基栅极接触的p
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双栅极氮化镓MIS
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HEMT器件，其特征在于，包括衬底和依次设置在所述衬底上的GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、电子储存层和钝化层，在所述GaN沟道层和AlGaN势垒层的有源区上设有源电极、漏电极和第一栅极，用于调控所述电子储存层中的电子；所述AlGaN势垒层上设有凹槽，所述凹槽上设有第二栅极，用于控制沟道。2.如权利要求1所述的双栅极氮化镓MIS
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HEMT器件，其特征在于，所述第一栅极与所述AlGaN势垒层上形成欧姆接触或肖特基接触。3.如权利要求2所述的双栅极氮化镓MIS
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HEMT器件，其特征在于，所述源电极和漏电极分别设置在所述GaN沟道层和AlGaN势垒层的两侧，所述第一栅极设置在所述源电极和第二栅极之间。4.如权利要求1至3中任一项所述的双栅极氮化镓MIS
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HEMT器件，其特征在于，所述第一栅极为Ti/Al/Ni/TiN的金属叠层。5.如权利要求1所述的双栅极氮化镓MIS
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HEMT器件，其特征在于，所述第二栅极为Ni/TiN的金属叠层。6.如权利要求1所述的双栅极氮化镓MIS
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HEMT器件，其特征在于，所述电子储存层为Al2O...
【专利技术属性】
技术研发人员：张元雷，蔡宇韬，梁烨，刘雯，赵策洲，
申请(专利权)人：西交利物浦大学，
类型：发明
国别省市：
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