【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于快速热处理设施的冷却系统
[0001]本申请要求于2019年9月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2019
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0109885的优先权，其公开内容在此引入作为参考。
[0002]本公开涉及一种用于快速热处理设施的冷却系统，更具体地，涉及一种用于快速热处理设施的冷却系统，其采用涡流管作为冷却气体供应源，从而通过快速冷却来改善基材的工艺特性。
技术介绍
[0003]本部分提供与不一定是现有技术的本公开相关的背景信息。
[0004]通常，制造半导体元件的工艺包括各种类型的热处理。近来，随着半导体元件逐渐变得高度集成，半导体元件的所需尺寸减小，并且片馈送快速热处理(RTP)设施主要用于减小在制造过程中接收的总热预算。
[0005]快速热处理设施不仅可以执行相关技术中在扩散炉中执行的大多数各种工艺，而且可以高速加热和冷却晶片，使得快速热处理设施具有防止适用于超大规模集成(VLSI)的杂质的再扩散和从扩散炉的壁表面发出的污染的优点。
[0006]由快...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于快速热处理设施的冷却系统，所述冷却系统包括：涡流管，所述涡流管被构造成将压缩空气分离成高温空气和低温空气并输出所述高温空气和所述低温空气；冷却气体供应源，所述冷却气体供应源被构造成从所述涡流管接收所述低温空气；和冷却单元，所述冷却单元被构造成使用来自所述冷却气体供应源的所述低温空气来冷却在其中执行快速热处理RTP的处理室的内部。2.根据权利要求1所述的冷却系统，其中，所述涡流管包括：壳体，所述壳体具有压缩空气注入口；涡流产生器，所述涡流产生器设置在所述壳体中并被构造成将注入的压缩空气转换成主涡流V1；第一管，所述第一管在所述主涡流V1流动的方向上延伸并且在所述第一管的端部处形成有第一排放口；回流阀，所述回流阀设置在所述第一管的端部内，并被构造成将所述主涡流V1转换成副涡流V2；和第二管，所述第二管沿与所述第一管相反的方向延伸并且在所述第二管的端部处形成有第二排放口。3.根据权利要求2所述的冷却系统，其中，所述冷却单元包括：冷却气体供应线路，所述冷却气体供应线路被构造成将从所述冷却气体供应源提供的低温空气供应到所述处理室中；供应量调节阀，所述供应量调节阀安装在所述冷却气体供应线路上，并被构造成调节待供应的低温空气的供应量；冷却气体排放线路，所述冷却气体排放线路被构造成将已经用于冷...
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