异型纳米晶磁芯热处理工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种异型纳米晶磁芯热处理工艺，其步骤为：S1：将纳米晶材料放入对应的模具，压制形成纳米晶铁芯，模具包括内模和外模；S2：将S1所得的纳米晶铁芯进行定型热处理，其温度低于微晶化温度，以使磁芯表面发生轻微氧化；S3：将S2所得的定型热处理后的纳米晶铁芯放置冷却至常温后，拆除内、外模具；S4：将S3所得的纳米晶铁芯进行真空退火热处理，避免磁芯再次氧化。本发明专利技术的工艺能够有效解决纳米晶异型磁芯带工装退火时应力难以消除的问题，有效改善性能低和稳定性，显著提高磁芯的合格率。显著提高磁芯的合格率。显著提高磁芯的合格率。

【技术实现步骤摘要】
异型纳米晶磁芯热处理工艺


[0001]本专利技术涉及磁芯加工工艺
，具体涉及一种异型纳米晶磁芯热处理工艺。

技术介绍

[0002]纳米晶异型磁芯，一般都需要内、外模具定型，定型完成后其模具随磁芯一起进行普通真空热处理。磁芯热处理的目的之一就是消除内应力，定型后的应力主要集中在磁芯的4个 R角位置，在热处理过程中，磁芯会发生吸热和放热过程以及内窗尺寸会产生收缩，由于受內、外模具吸热以及限位的影响，造成磁芯的应力无法完全释放，最终导致磁芯性能低且一致性差、磁导率降低等影响。

技术实现思路

[0003]针对现有技术的不足，本专利技术提供一种异型纳米晶磁芯热处理工艺。
[0004]为实现上述目的，本专利技术的技术方案为：
[0005]一种异型纳米晶磁芯热处理工艺，其步骤为：
[0006]S1：将纳米晶材料放入对应的模具，压制形成纳米晶铁芯，模具包括内模和外模；
[0007]S2：将S1所得的纳米晶铁芯进行定型热处理，其温度低于微晶化温度，以使磁芯表面发生轻微氧化；
[0008]S3：将S2所得的定型热处理后的纳米晶铁芯放置冷却至常温后，拆除内、外模具；
[0009]S4：将S3所得的纳米晶铁芯进行真空退火热处理，避免磁芯再次氧化。
[0010]进一步地，所述所述S3中的内模为2段式或3段式结构。
[0011]进一步地，所述S3中拆除内、外模具时，保留1段内模。
[0012]进一步地，所述S2中定型热处理时，从400℃升温至440r/>‑
480℃，保温60
‑
90min再降温至400℃出炉。
[0013]进一步地，所述S4中的真空退火热处理时，先将真空炉预热至250
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300℃，再在50
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60min 内升温至420
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430℃，保温30min后再在50
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60min内升温至480
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490℃，保温90min后再在 60
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90min内升温至540
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560℃并保温90
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140min，最后退出炉体，打开风机快速降温至炉温 350℃左右出炉。
[0014]本专利技术与现有技术相比，具有如下优点：
[0015]本专利技术的工艺能够有效解决纳米晶异型磁芯带工装退火时应力难以消除的问题，有效改善性能低和稳定性，显著提高磁芯的合格率。
附图说明
[0016]图1为异型纳米晶磁芯热处理工艺的流程框图；
[0017]图2为异型纳米晶磁芯热处理工艺的定型热处理工艺曲线图；
[0018]图3为异型纳米晶磁芯热处理工艺的真空退火热处理工艺曲线图；
具体实施方式
[0019]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0020]实施例
[0021]如图1所示，一种异型纳米晶磁芯热处理工艺，其步骤为：
[0022]S1：将纳米晶材料放入对应的模具，压制形成纳米晶铁芯，模具包括内模和外模；
[0023]S2：将S1所得的纳米晶铁芯进行定型热处理，其温度低于微晶化温度，以使磁芯表面发生轻微氧化、形状得到基本固定；
[0024]S3：将S2所得的定型热处理后的纳米晶铁芯放置冷却至常温后，拆除内、外模具；
[0025]S4：将S3所得的纳米晶铁芯进行真空退火热处理，避免磁芯再次氧化并得到相应的磁芯性能。
[0026]具体地，本工艺包括两次热处理过程，首先是对纳米晶材料进行定型热处理，然后是对其进行普通的真空热处理，先利用低于微晶化的温度对纳米晶铁芯进行定型热处理，待冷却至常温后再拆除内、外模具，进行真空热处理。在进行的时候，首先需要将纳米晶材料放入对应的模具，压制形成异型的磁芯，而模具包括内模和外模，内模的结构为2段式或3段式， 2段式内模与3段式内模均为常用的内模样式，在制造的时候应能够根据实际情况选用。当定型热处理后，即在S3中拆除内、外模具，在拆除的时候，需要保留1段内模不取出，目的是放置磁芯在后续普通真空热处理时由于热胀冷缩造成磁芯内窗收缩变形。
[0027]当纳米晶铁芯的内、外模具安装好后，即可进行定型热处理，定型热处理包括升温、保温、降温过程，具体在定型热处理时，即在S2步骤中，先将其放置于热处理炉中，从400℃升温至440
‑
480℃，保温90min后再在60
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90min内降温至400℃出炉。定型热处理期间可以不抽真空或者充氮气处理，使磁芯表面发生轻微的氧化，可以改善磁芯由于浸漆后电感衰减的程度。
[0028]纳米晶磁芯定型热处理前的温度为常温，先将热处理炉内的温度预热至400℃左右再放入磁芯，由于存在温差，定型热处理过程会发生热量的交换，即磁芯进行吸热，热处理炉不断进行加热，通过加热一定时间直到磁芯表面温度达到需要的加热温度，此过程为升温。保温过程是为了使各纳米晶C型磁芯的内部温度和表面温度达到平衡，使各个磁芯的温度保持均匀，同时也是起到定系的作用，即拆除内、外模具后磁芯不会复原。降温至一定温度的目的是放置高温烫伤同时也便于出炉操作。
[0029]普通真空热处理包括三段升温、三段保温、一段降温过程，合计七段。其中各升温段的目的是为了调整磁芯的升温速率，使磁芯进行缓慢吸热。保温的目的是使各磁芯均温以及应力的释放，降温的目的是为了防止磁芯高温出炉造成氧化和应力的产生。在进行真空退火热处理时，即在进行S4步骤中，与进行定型热处理不同，需要全程抽真空处理，以保证炉内的真空度，由于普通真空热处理最终温度在560℃左右，是不允许磁芯再次氧化的，否则将会导致磁特性不良。具体在进行的时候，先将真空炉预热至250
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300℃，再在50
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60min内升温至420
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430℃，即第一段升温，保温30min后再在50
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60min内升温至480
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490℃，即第一段保温和第二段升温，保温90min再在60
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90min内升温至540
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560℃，即第二段保温和第三段升温，然后保温90
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140min，即第三段保温，最后退出炉体，打开风机快速降温至炉温350℃左右出炉，即可完成。
[0030]上述实施例只是为了说明本专利技术的技术构思及特点，其目的是在于让本领域内的普通技术人员能够了解本专利技术的内容并据以实施，并不能以此限制本专利技术的保护范围。凡是根据本
技术实现思路
的实质所做出的等效的变化或修饰，都应涵盖在本专利技术的保护范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异型纳米晶磁芯热处理工艺，其特征在于：S1：将纳米晶材料放入对应的模具，压制形成纳米晶铁芯，模具包括内模和外模；S2：将S1所得的纳米晶铁芯进行定型热处理，其温度低于微晶化温度，以使磁芯表面发生轻微氧化；S3：将S2所得的定型热处理后的纳米晶铁芯放置冷却至常温后，拆除内、外模具；S4：将S3所得的纳米晶铁芯进行真空退火热处理，避免磁芯再次氧化。2.根据权利要求1所述的异型纳米晶磁芯热处理工艺，其特征在于：所述所述S3中的内模为2段式或3段式结构。3.根据权利要求2所述的异型纳米晶磁芯热处理工艺，其特征在于：所述S3中拆除内、外模具时，保留1段内模。4.根据权利要求1所述的异型纳米晶磁芯热处理工艺，其特征在于：所述S2中定型热处理时，从400℃升温至440
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【专利技术属性】
技术研发人员：王秀帅，黄旭文，徐猛，谢双，
申请(专利权)人：佛山市中研非晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：