一种组合物及包含其的有机电致发光元件制造技术

本发明专利技术属于有机光电领域，具体涉及一种包含一种铱金属配合物和一种有机化合物的组合物及包含该组合物的有机电致发光元件，特别是有机电致发光二极管，其中铱金属配合物的结构如式(I)所示，有机化合物的结构式(II)或式(III)所示：铱金属配合物式(I)、有机化合物式(II)或式(III)和有机光电元件可通过参照本文中提供的具体描述进行理解。本发明专利技术的组合物应用于有机电致发光二极管的发光层中，使发光元件的电流效率提升，驱动电压明显降低，使用寿命延长，具有很好的商业化前景。的商业化前景。

【技术实现步骤摘要】
一种组合物及包含其的有机电致发光元件


[0001]本专利技术属于有机电致发光领域，具体涉及一种铱金属配合物和一种有机化合物的组合物，及包含该组合物的有机电致发光元件。

技术介绍

[0002]有机电致发光元件作为一种新型的显示技术，具有自发光、宽视角、低能耗、效率高、薄、色彩丰富、响应速度快，适用温度范围广、低驱动电压、可制作柔性可弯曲与透明的显示面板以及环境友好等独特优点，可以应用在平板显示器和新一代照明上，也可以作为LCD的背光源。
[0003]20世纪80年代底专利技术以来，有机电致发光器件已经在产业上有所应用，比如手机等显示屏幕，但目前的OLED器件由于效率低，使用寿命短等因素制约其更广泛的应用，特别是大屏幕显示器。而制约其广泛应用的最重要一个因素是有机电致发光材料的性能。同时由于OLED器件在施加电压运行时，会产生焦耳热，使得有机材料容易发生结晶，影响器件的寿命和效率，因此，也需要开发稳定高效的有机电致发光材料。
[0004]OLED发光分为荧光发光和磷光发光两种方式，根据理论推测，由电荷的在结合而引起的单重激发态与三重激发态的比例为1:3，所以使用小分子荧光材料是，能用于发光的仅为全部能量的25％，其余的75％的能量因三重激发态的非发光机制而损失掉，故一般认为荧光材料的内部量子效率极限为25％。1998年Baldo和Forrest教授等人发现三线态磷光可以在室温下利用，并将原来内量子效率的上限提升到100％，三重态磷光体常常都是重金属原子，组成的络合物，利用重原子效应，强烈的自旋轨域耦合作用造成单重激发态和三重激发态的能阶相互混合，使得原本被禁止的三重态能量缓解以磷光的形式发光，量子效率也随之大幅提升。
[0005]目前有机OLED组件中的发光层几乎全部使用主客体发光体系机构，即在主体材料中掺杂客体发光材料，一般来说，有机主体材料的能系要比客体材料大，即能量由主体传递给客体，使客体材料被激发而发光。常用的磷光有机主体材料如CBP(4，4
′‑
bis(9
‑
carbazolyl)
‑
biphenyl)具有高效和高三线态能级，当其作为有机材料时，三线态能量能够有效地从发光有机材料转移到客体磷光发光材料。常用的有机客体材料为铱金属配合物。
[0006]本专利技术发现特定有机化合物和铱金属化合物组合，作为有机电致发光元件的发光层可显著提高有机电致发光器件的电流效率、降低元器件的操作电压、延长元件的使用寿命。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的是提供一种铱金属配合物和一种有机化合物的组合物及包含该组合物的有机电致发光元件。
[0008]本专利技术提供的一种铱金属配合物和一种有机化合物的组合物，其中铱金属配合物的结构如式(I)所示，有机化合物的结构式(II)或式(III)所示：
[0009][0010]在式(I)中,A1构成五元环以上选自C1～C60烷基、C1～C60烷氧基、含C1～C60烷硅基、含C1～C60烷氧硅基、C6～C40的芳基，C1～C40的杂芳基；X选自NR1、O、S、CR1R2、SiR1R2、O＝P
‑
R1或B
‑
R1；Y选自N或C
‑
R2；R1至R8独立选自氢、氘、卤素、C1～C8烷基、C1～C8烷氧基、含C1～C8烷硅基、含C1～C8烷氧硅基、C6～C40的芳基，C1～C40的杂芳基、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基、取代或未取代的氧膦基的任意一种,；(L^Z)为辅助配体，为二齿配体，其与上述结构式左侧的主配体相同或不同；所有基团可以被部分氘代或全氘代；m取自1、2或3，且m+n＝3；杂芳基是指含有B、N、O、S、P(＝O)、Si、P中至少一个杂原子。
[0011]在式(II)和式(III)中，X1至X6为CR或N；Y1至Y8为CR或N，且至少有2个为N；L不存在或选自单键、O、S、CRR、SiRR、NR；A和B各自独立地选自C6
‑
C30芳基、C2
‑
C30杂芳基；R独立地选自取代或未取代的C1
‑
C15烷基、取代或未取代的C6
‑
C60芳基、取代或未取代的C2
‑
C60杂芳基、芳基或杂芳基取代的胺基；n为0至6的整数；相邻的X或Y可以形成环。
[0012]优选地所述的组合物中其中式(I)所述的铱金属配合物的(L^Z)选自以下代表结构式的一种：
[0013][0014]其中，X独立选自O或N；R1至R3独立选自C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40的芳基、C1～C40的杂芳基；A和B成环或未成环地选自C1～C60烷基、C1～C60烷氧基、含C1～C60烷硅基、含C1～C60烷氧硅基、C6～C40的芳基，C1～C40的杂芳基，A2和B2可以根据价键原则进行单取代或多取代，所有基团可以被部分氘代
或全氘代。
[0015]优选地，本专利技术所述的组合物，其中式(I)所述的铱金属配合物结构式选自下列代表性的结构：
[0016][0017][0018]其中X，Y，R1至R8，A2和B2与上述相同。
[0019]优选地，本专利技术所述的组合物，其中式(I)所述的铱金属配合物中(L^Z)选自以下代表结构式的一种：
[0020][0021]其中X选自NR1、O、S、CR1R2、SiR1R2、O＝P
‑
R1或B
‑
R1；R1至R5独立地选自C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40的芳基、C1～C40的杂芳基，可以被部分氘代或全氘代。
[0022]优选地，本专利技术所述的组合物，式(I)所述的铱金属配合物，选自下列结构的一种，但不代表限于此：
[0023][0024][0025][0026][0027][0028][0029][0030][0031][0032][0033][0034][0035][0036][0037][0038][0039][0040][0041][0042][0043][0044][0045][0046][0047]本专利技术提供的组合物，其中有机化合物结构为式(II)时优选自II
‑
1至II
‑
7所述的化合物，但不代表限于此：
[0048][0049]其中，X1至X6，L，A,B,R，n与上述相同。
[0050]优选地，式中A和B选自以下结构所述的基团，但不代表限于此：
[0051][0052]其中，X1至X6，L，R，n与上述相同。
[0053]优选地，式(II)或式(III)代表的一种有机化合物选自下列代表性结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种组合物，其特征在于，包含一种铱金属配合物和一种有机化合物，其中铱金属配合物的结构式如式(I)所示；有机化合物的结构式(II)或式(III)所示在式(I)中,A1构成五元环以上选自C1～C60烷基、C1～C60烷氧基、含C1～C60烷硅基、含C1～C60烷氧硅基、C6～C40的芳基，C1～C40的杂芳基；X选自NR1、O、S、CR1R2、SiR1R2、O＝P
‑
R1或B
‑
R1；Y选自N或C
‑
R2；R1至R8独立选自氢、氘、卤素、C1～C8烷基、C1～C8烷氧基、含C1～C8烷硅基、含C1～C8烷氧硅基、C6～C40的芳基，C1～C40的杂芳基、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基、取代或未取代的氧膦基的任意一种,；(L^Z)为辅助配体，为二齿配体，其与上述结构式左侧的主配体相同或不同；所有基团可以被部分氘代或全氘代；m取自1、2或3，且m+n＝3；杂芳基是指含有B、N、O、S、P(＝O)、Si、P中至少一个杂原子。在式(II)和式(III)中，X1至X6为CR或N；Y1至Y8为CR或N，且至少有2个为N；L不存在或选自单键、O、S、CRR、SiRR、NR；A和B各自独立地选自C6
‑
C30芳基、C2
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C30杂芳基；R独立地选自取代或未取代的C1
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C15烷基、取代或未取代的C6
‑
C60芳基、取代或未取代的C2
‑
C60杂芳基、芳基或杂芳基取代的胺基；n为0至6的整数；相邻的X或Y可以形成环。2.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，其中式(I)所述的铱金属配合物的(L^Z)选自以下代表结构式的一种：其中的X选自O或N；R1至R3独立选自C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40的芳基、C1～C40的杂芳基；A和B成环或未成环地选自C1～C60
烷基、C1～C60烷氧基、含C1～C60烷硅基、含C1～C60烷氧硅基、C6～C40的芳基，C1～C40的杂芳基，A2和B2可以根据价键原则进行单取代或多取代，所有基团可以被部分氘代或全氘代。3.根据权利要求1至2任一项所述的组合物，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：王子兴，夏蓉蓉，陈清泉，吴空物，赵晓宇，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：