半导体装置用基板制造方法及图纸

半导体装置用基板(2)具备陶瓷烧结体(3)、第1电路板(4)和第2电路板(4')。在陶瓷烧结体(3)中，将Mg的以MgO换算的含量设为S1质量％，将Zr的以ZrO2换算的含量设为S2质量％的情况下，下述的式1成立。将第1电路板(4)的厚度设为T1mm，将第2电路板(4')的厚度设为T2mm，并将陶瓷烧结体(3)的厚度设为T3mm的情况下，下述的式2、3、4成立。－0.004

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置用基板


[0001]本专利技术涉及半导体装置用基板。

技术介绍

[0002]作为用于功率晶体管模块等的半导体装置用基板，已知在陶瓷烧结体的表背面具备电路板的DBOC基板(Direct Bonding of Copper Substrate，直接覆铜基板)、在陶瓷烧结体的表背面具备铝板的DBOA基板(Direct Bonding of Aluminum Substrate，直接覆铜铝板)。
[0003]在专利文献1中，公开了具备包含氧化铝、部分稳定化氧化锆和氧化镁的陶瓷烧结体的半导体装置用基板。在专利文献1记载的陶瓷烧结体中，部分稳定化氧化锆的含量为1～30wt％，氧化镁的含量为0.05～0.50wt％，部分稳定化氧化锆中的三氧化二钇的摩尔分数为0.015～0.035，陶瓷烧结体中包含的氧化锆晶体之中的80～100％为正方晶相。根据专利文献1记载的陶瓷烧结体，能够抑制在陶瓷烧结体与电路板或铝板的接合界面产生裂纹，并且能够使热传导率提高。
[0004]在专利文献2中公开了具备包含氧化铝、氧化锆和三氧化二钇的陶瓷烧结体的半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置用基板，其具备：陶瓷烧结体，形成为板状，具有第1主面和第2主面；第1电路板，配置在所述第1主面上，由铜或铝构成；和第2电路板，配置在所述第2主面上，由铜或铝构成，所述陶瓷烧结体包含Al、Zr、Y以及Mg，将陶瓷烧结体中的Mg的以MgO换算的含量设为S1质量％，并将Zr的以ZrO2换算的含量设为S2质量％的情况下，下述的式(1)成立，将第1电路板的厚度设为T1mm，将第2电路板的厚度设为T2mm，并将所述陶瓷烧结体的厚度设为T3mm的情况下，下述的式(2)、(3)、(4)成立，－0.004
×
S2+0.171＜S1＜－0.032
×
S2+1.427
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【专利技术属性】
技术研发人员：梅田勇治，
申请(专利权)人：NGK电子器件株式会社，
类型：发明
国别省市：