【技术实现步骤摘要】
在基于模拟控制器的功率转换器中减少静态功耗的方案
本公开涉及静态功耗并且，尤其是涉及处理模拟控制器集成电路用于启动电路装置的、不被期望的静态功耗的电路。
技术介绍
参考图1A，示出了用于功率转换器电路10的基本电路图。电路10的功能是将在节点12处的输入电压转换为在节点22处的输出电压。功率转换器，不仅用于AC-DC转换、还用于DC-DC转换，这在本领域是众所周知的。通常的是，这种功率转换器10包括电感器L，电感器L与功率晶体管Q1串联耦合在输入电压节点12与参考电压节点14(诸如接地)之间。功率晶体管Q1通常是n沟道MOSFET设备，具有耦合到在电感器L的端子处的中间节点16的漏极，和耦合到参考电压节点14的源极。模拟控制器18(诸如控制集成电路芯片)被配置为生成栅极驱动(GD)信号，该信号被应用于该功率晶体管Q1的控制端子，以在开关模式中控制功率晶体管的操作。电流感测电路20被耦合到功率晶体管Q1的源极-漏极路径，以便在功率晶体管由栅极驱动信号接通时感测流过电感器L的电流。所感测到的电流被提供给模拟控制器18。二极管D1...
【技术保护点】
1.一种电路装置，用于将DC电源电压供应给集成电路芯片，所述集成电路芯片具有电源输入端子，所述电路装置包括：/n第一电路，被耦合以接收输入电压，并且所述第一电路在所述电源输入端子处选择性地生成DC电源电压；以及/n第二电路，控制通过所述第一电路进行的选择性生成，所述第二电路被耦合以接收所述输入电压和所述DC电源电压，并且所述第二电路被配置为将所述DC电源电压与阈值进行比较，并且如果所述DC电源电压超过所述阈值，则引起所述第一电路终止选择性生成。/n
【技术特征摘要】
20191101 US 16/671,3181.一种电路装置，用于将DC电源电压供应给集成电路芯片，所述集成电路芯片具有电源输入端子，所述电路装置包括：
第一电路，被耦合以接收输入电压，并且所述第一电路在所述电源输入端子处选择性地生成DC电源电压；以及
第二电路，控制通过所述第一电路进行的选择性生成，所述第二电路被耦合以接收所述输入电压和所述DC电源电压，并且所述第二电路被配置为将所述DC电源电压与阈值进行比较，并且如果所述DC电源电压超过所述阈值，则引起所述第一电路终止选择性生成。
2.根据权利要求1所述的电路装置，其中所述第一电路在生成所述DC电源电压时具有第一静态功率耗散水平，以及其中所述第二电路具有小于所述第一静态功率耗散水平的第二静态功率耗散水平。
3.根据权利要求1所述的电路装置，其中所述集成电路芯片控制开关模式功率转换电路的操作，以及其中所述阈值高于所述集成电路芯片用于控制所述开关模式功率转换电路的操作的最小操作电压阈值。
4.根据权利要求3所述的电路装置，其中所述开关模式功率转换电路包括第一电感器，所述第一电感器与功率晶体管被串联耦合在参考节点与接收所述输入电压的输入节点之间，所述集成电路芯片被配置为控制所述功率晶体管的开关模式操作。
5.根据权利要求4所述的电路装置，还包括第二电感器，所述第二电感器被耦合到所述第一电感器，所述第二电感器被配置为响应于开关模式操作而生成另外的电压，并且所述电路装置还包括第三电路，所述第三电路被耦合以接收所述另外的电压，并且所述第三电路在所述电源输入端子处生成所述DC电源电压。
6.根据权利要求5所述的电路装置，其中所述第一电感器和所述第二电感器形成变压器。
7.根据权利要求1所述的电路装置，其中所述第一电路包括：
第一电阻器；以及
晶体管开关；
其中所述第一电阻器和晶体管开关被串联耦合在电源输入端子与接收所述输入电压的输入节点之间。
8.根据权利要求7所述的电路装置，其中所述晶体管开关是达灵顿晶体管。
9.根据权利要求7所述的电路装置，其中所述第二电路在所述DC电源电压小于所述阈值时，将所述晶体管开关控制在接通状态中，并且所述第二电路还在所述DC电源电压大于所述阈值时，将所述晶体管开关控制在关断状态中。
10.根据权利要求9所述的电路装置，其中所述第二电路包括偏置电路，所述偏置电路被配置为将所述晶体管开关偏置在所述接通状态中。
11.根据权利要求9所述的电路装置，其中所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·贾因，S·索纳，
申请(专利权)人：意法半导体国际有限公司，
类型：发明
国别省市：瑞士;CH
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