一种OLED显示屏的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种OLED显示屏的制备方法，该方法包括以下步骤：构造像素尺寸步骤：根据所需要的像素分辨率确定所需像素尺寸，基于像素微电极构造所需像素尺寸；建立三电极体系步骤：由工作电极搭配参比电极和辅助电极建立三电极体系，工作电极为超微电极阵列；电聚合薄膜步骤：在超微电极阵列基板上电聚合TCTA有机薄膜形成TCTA聚合薄膜，在TCTA聚合薄膜上电聚合OCBzC有机薄膜；制备电子传输层及电极层步骤：使用蒸镀法制备电子传输层及电极层，进而制备得到OLED器件；封装步骤：对制备后的OLED器件进行封装得到所需分辨率的OLED显示屏。该方法结合电化学沉积与超微电极，根据实际像素大小选择电聚合像素尺寸，使电化学方法适用不同分辨率的显示屏制备。

【技术实现步骤摘要】
一种OLED显示屏的制备方法
本专利技术属于OLED生产
，尤其涉及一种OLED显示屏的制备方法。
技术介绍
分辨率是显示器重要的性能指标之一，通常在不同的使用环境和使用距离下，选择不同的分辨率。不同的分辨率对应不同的像素尺寸、像素间距和像素密度，一种显示屏的制备方法通常适用于一部分像素尺寸，在不同的分辨率下需要使用不同的显示屏制备方法。电化学沉积技术是利用电活性单体在电极与溶液接触界面发生氧化或还原偶联反应，从而在电极上形成聚合物薄膜的方法，其特点是工艺简单，成本低，薄膜的形貌、厚度、聚集态结构等性质可以通过对电化学沉积方法及条件的选择进行精确调控，电化学沉积技术可以一步完成聚合物薄膜的合成和定向沉积成膜。在电化学沉积技术中，不同的电极尺寸沉积的方式和机理不同，这主要源于电场分布和物质扩散作用在电极边缘处的不同。在像素尺寸比较大的情况下，边缘电场和电极中部的电场强度明显不同，边缘的物质扩散作用除了垂直方向的轴向扩散以外也会附加新的径向扩散，造成边缘处薄膜质量差，发光效率低，像素电致发光面积难以调控，容易导致器件产生漏电流，发光不均匀甚至短路等问题。
技术实现思路
为了克服现有技术存在的缺陷与不足，本专利技术提出了一种OLED显示屏的制备方法，该方法通过复式像素的组合，在使用相同显示屏制备方法的情况下，生成不同分辨率的显示器件。为了达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种OLED显示屏的制备方法，包括以下步骤：构造像素尺寸步骤：根据所需要的像素分辨率确定所需像素尺寸，基于像素微电极构造所需像素尺寸；建立三电极体系步骤：由工作电极搭配参比电极和辅助电极建立三电极体系，所述工作电极为超微电极阵列；电聚合薄膜步骤：在超微电极阵列基板上电聚合TCTA有机薄膜形成TCTA聚合薄膜，在所述TCTA聚合薄膜上电聚合OCBzC有机薄膜；制备电子传输层及电极层步骤：使用蒸镀法制备电子传输层及电极层，进而制备得到OLED器件；封装步骤：对制备后的OLED器件进行封装得到所需分辨率的OLED显示屏。作为优选的技术方案，所述像素微电极的尺寸小于25微米。作为优选的技术方案，所述建立三电极体系步骤，具体为：以超微电极阵列作为工作电极，搭配参比电极和辅助电极建立三电极体系，将超微电极阵列置于电化学活性前体溶液中并加入支持电解质，通过电化学工作站装置输出电沉积信号，其中电沉积信号采用循环三角波信号。作为优选的技术方案，所述电聚合薄膜步骤，具体包括以下步骤：当电解池回路处于通电状态，基于电沉积信号在超微电极阵列基板的所有像素电极上沉积得到阵列薄膜：在超微电极阵列基板上电聚合TCTA有机薄膜形成TCTA聚合薄膜，将TCTA聚合薄膜作为空穴注入层：将电活性单体TCTA溶解在包含溶剂的电解液中，以超微电极阵列基板上的所有像素电极作为工作电极，参比电极为Ag/Ag+(0.01molL-1)电极，辅助电极为金属钛板，通过循环伏安法控制电聚合TCTA反应；在TCTA聚合薄膜上电聚合OCBzC有机薄膜，将OCBzC有机薄膜作为发光层：将电活性单体OCBzC溶解在电解液中，以沉积有TCTA薄膜的超微电极阵列基板上的所有像素电极作为工作电极，参比电极为Ag/Ag+(0.01molL-1)电极，辅助电极为金属钛板，通过循环伏安法控制电聚合OCBzC反应；调控薄膜结构状态：通过聚合条件进行调控薄膜的质量厚度平整度掺杂态，所述聚合条件包括波形、扫描范围、扫描速度、溶剂体系、溶液浓度、支持电解质、扫描圈数；薄膜沉积后处理：当电沉积结束后，通过溶剂进行清洗未发生电聚合的电活性和支持电解质。作为优选的技术方案，所述溶剂采用乙腈、二氯甲烷、聚碳酸酯、N,N-二甲基甲酰胺、四氢呋喃、乙醇、氯苯、三氟硼酸乙醚中的至少一种。作为优选的技术方案，所述支持电解质为0.1molL-1的四丁基六氟磷酸铵。作为优选的技术方案，所述制备电子传输层及电极层步骤，具体包括以下步骤：将清洗后的超微电极阵列薄膜放置在25摄氏度、100千帕、真空条件下进行烘干；烘干后，在低于3×10-4帕的真空条件下，蒸镀1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯作为电子传输层以及氟化铯和金属铝作为OLED器件的阴极，得到OLED器件的各个膜层结构依次为：氧化铟锡、TCTA、OCBzC、苯、氟化铯、铝。作为优选的技术方案，所述OLED器件的氧化铟锡、氟化铯和铝厚度分别为35nm、1nm和120nm。作为优选的技术方案，所述基于像素微电极构造所需像素尺寸，具体为：将预设数量的像素微电极按阵列相连形成平行的条带结构，并排布形成一个像素基元，将多个像素基元按照相等间隔进行排列，所述像素基元的尺寸为所述所需像素尺寸。作为优选的技术方案，所述像素微电极采用尺寸为4μm×12μm的像素微电极本专利技术与现有技术相比，具有如下优点和有益效果：(1)本专利技术根据电化学沉积方法在超微电极阵列上的优势，特别是像素越小效率越高的特点，根据实际像素大小选择合适的电聚合像素尺寸，有效地解决了微电极效应对电聚合像素尺寸的限制，使电化学方法适用各种不同尺寸和分辨率的显示屏制备，获得高效的不同分辨率的显示器件，在不同的分辨率中具有非常好的可移植性，与传统的OLED显示屏制备方法有明显的区别，在多分辨率的制备工艺中有明显的技术优势，本专利技术不需要大的生产设备和生产线，避免了边缘质量差引起的裁切和浪费，大大拓展了电化学聚合薄膜的应用。(2)本专利技术采用电聚合方法制备有机薄膜，通过在超微电极阵列基板上电聚合TCTA有机薄膜作为空穴注入层，通过界面层的修饰，改善了薄膜的形貌以及器件的载流子注入，从而提升了显示屏的发光性能。(3)本专利技术通过引入复式像素结构进行制备有机薄膜，解决了电场和扩散作用在边缘和本体的不均匀性，将像素阵列模块作为单个的显示像素基元，以减小大尺寸像素在活性层制备过程中存在的边缘效应，实现薄膜的厚度和发光强度的高均匀度，从而达到更加稳定均匀的电致发光。附图说明图1为本专利技术实施例1中OLED显示屏的制备方法的流程图；图2为本专利技术实施例1中的电化学工作站装置示意图；图3为本专利技术实施例1中超微电极阵列基板结构示意图图4为本专利技术实施例1中超微电极阵列基板上电化学循环伏安扫描曲线；图5(a)为本专利技术实施例1中超微电极阵列基板上电化学聚合薄膜显微镜下的光致发光照片；图5(b)为本专利技术实施例1中超微电极阵列基板上电化学聚合薄膜显微镜下的电致发光照片；图6(a)为本专利技术实施例2中根据超微电极阵列设计的分辨率为212PPI的复式像素显示基板结构示意图；图6(b)为本专利技术实施例2中根据超微电极阵列设计的分辨率为529PPI的复式像素显示基板结构示意图；图6(c)为本专利技术实施例2中根据超微电极阵列设计的分辨率为1058PPI的复式像素显示基板结构示意图。...

【技术保护点】
1.一种OLED显示屏的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n构造像素尺寸步骤：根据所需要的像素分辨率确定所需像素尺寸，基于像素微电极构造所需像素尺寸；/n建立三电极体系步骤：由工作电极搭配参比电极和辅助电极建立三电极体系，所述工作电极为超微电极阵列；/n电聚合薄膜步骤：在超微电极阵列基板上电聚合TCTA有机薄膜形成TCTA聚合薄膜，在所述TCTA聚合薄膜上电聚合OCBzC有机薄膜；/n制备电子传输层及电极层步骤：使用蒸镀法制备电子传输层及电极层，进而制备得到OLED器件；/n封装步骤：对制备后的OLED器件进行封装得到所需分辨率的OLED显示屏。/n

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示屏的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
构造像素尺寸步骤：根据所需要的像素分辨率确定所需像素尺寸，基于像素微电极构造所需像素尺寸；
建立三电极体系步骤：由工作电极搭配参比电极和辅助电极建立三电极体系，所述工作电极为超微电极阵列；
电聚合薄膜步骤：在超微电极阵列基板上电聚合TCTA有机薄膜形成TCTA聚合薄膜，在所述TCTA聚合薄膜上电聚合OCBzC有机薄膜；
制备电子传输层及电极层步骤：使用蒸镀法制备电子传输层及电极层，进而制备得到OLED器件；
封装步骤：对制备后的OLED器件进行封装得到所需分辨率的OLED显示屏。


2.根据权利要求1所述的OLED显示屏的制备方法，其特征在于，所述像素微电极的尺寸小于25微米。


3.根据权利要求1所述的OLED显示屏的制备方法，其特征在于，所述建立三电极体系步骤，具体为：以超微电极阵列作为工作电极，搭配参比电极和辅助电极建立三电极体系，将超微电极阵列置于电化学活性前体溶液中并加入支持电解质，通过电化学工作站装置输出电沉积信号，其中电沉积信号采用循环三角波信号。


4.根据权利要求3所述的OLED显示屏的制备方法，其特征在于，所述电聚合薄膜步骤，具体包括以下步骤：
当电解池回路处于通电状态，基于电沉积信号在超微电极阵列基板的所有像素电极上沉积得到阵列薄膜：
在超微电极阵列基板上电聚合TCTA有机薄膜形成TCTA聚合薄膜，将TCTA聚合薄膜作为空穴注入层：将电活性单体TCTA溶解在包含溶剂的电解液中，以超微电极阵列基板上的所有像素电极作为工作电极，参比电极为Ag/Ag+电极，辅助电极为金属钛板，通过循环伏安法控制电聚合TCTA反应；
在TCTA聚合薄膜上电聚合OCBzC有机薄膜，将OCBzC有机薄膜作为发光层：将电活性单体OCBzC溶解在电解液中，以沉积有TCTA薄膜的超微电极阵列基板上的所有像素电极作为工作电极，参比电极为A...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘琳琳，陈志华，梁依倩，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东;44