制造光传感器的方法技术

制造光传感器的方法包括：在基板上形成第一导电层，第一导电层包括金属层和形成在金属层上的透明导电氧化物层；在第一导电层上形成光电导层；在光电导层上形成第二导电层；在第二导电层上形成第一光致抗蚀剂图案；使用第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻第二导电层以形成第二电极；使第一光致抗蚀剂图案变形以形成第二光致抗蚀剂图案；以及使用第二光致抗蚀剂图案分别蚀刻光电导层和第一导电层，以形成光电导图案和第一电极。

【技术实现步骤摘要】
制造光传感器的方法
本专利技术涉及光传感器。更具体地，本专利技术涉及制造在显示装置中使用的光传感器的方法。
技术介绍
显示装置可向用户提供视觉信息。最近，包括显示装置的移动装置(比如智能手机或平板计算机等)被广泛使用。例如，可通过移动装置实施电子商务。在电子商务中，安全性很重要。生物测定技术(比如指纹识别技术、虹膜识别技术、面部识别技术等)用于用户验证、安全性等。例如，使用指纹识别技术的指纹识别传感器广泛用于移动装置，比如智能电话、平板计算机等。指纹识别传感器可包括电容式指纹识别传感器、光学指纹识别传感器、超声指纹识别传感器等。
技术实现思路
示例性实施方式提供用于减少光刻工艺的数量的制造光传感器的方法。根据本专利技术的示例性实施方式，制造光传感器的方法包括：在基板上形成第一导电层，第一导电层包括金属层和形成在金属层上的透明导电氧化物层；在第一导电层上形成光电导层；在光电导层上形成第二导电层；在第二导电层上形成第一光致抗蚀剂图案；使用第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻第二导电层以形成第二电极；使第一光致抗蚀剂图案变形以形成第二光致抗蚀剂图案；以及使用第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模分别蚀刻光电导层和第一导电层，以形成光电导图案和第一电极。根据本专利技术的示例性实施方式，制造光传感器的方法包括：在基板上形成第一导电层；在第一导电层上形成第一光致抗蚀剂图案；使用第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻第一导电层以形成第一电极；在第一电极上形成光电导层；在光电导层上形成第二导电层；在第二导电层上形成第二光致抗蚀剂图案；使用第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻第二导电层以形成第二电极；使第二光致抗蚀剂图案变形以形成第三光致抗蚀剂图案；以及使用第三光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻光电导层以形成光电导图案。在根据实施方式的制造光传感器的方法中，可使用单次光刻来蚀刻第二导电层、光电导层和第一导电层，或可使用单次光刻来蚀刻第二导电层和光电导层，从而用于形成光电二极管的光刻可进行一次或两次。因此，可减少用于制造光传感器的时间和成本。附图说明说明性、非限制性实施方式将从结合附图的下述详细描述中更清楚地理解。图1为示出根据本专利技术的示例性实施方式的光传感器的横截面图。图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11和图12为示出根据本专利技术的示例性实施方式的制造图1中的光传感器的方法的横截面图。图13为示出根据本专利技术的示例性实施方式的光传感器的横截面图。图14、图15、图16、图17、图18、图19、图20、图21和图22为示出根据本专利技术的示例性实施方式的制造图13中的光传感器的方法的横截面图。具体实施方式下文，将参考附图详细地解释根据实施方式的光传感器和制造光传感器的方法。下文，将参考图1描述根据本专利技术的示例性实施方式的光传感器。图1为示出根据本专利技术的示例性实施方式的光传感器的横截面图。参考图1，根据本专利技术的实施方式的光传感器可包括设置在基板100上的光电二极管PD、电容器CAP、第一晶体管TR1和第二晶体管TR2。光电二极管PD可包括第一电极160a、光电导图案170a和第二电极180a。电容器CAP可包括第一电容器电极142和第二电容器电极160b。第一晶体管TR1可包括第一有源层121、第一栅电极141、第一源电极160c和第一漏电极201。第二晶体管TR2可包括第二有源层122、第二栅电极143、第二源电极203和第二漏电极204。光电二极管PD可接收从其上面入射的光，并且可产生对应于该光的检测信号。在示例性实施方式中，光电二极管PD可为基于光电效应将光转换成电信号的正-本征-负(PIN)二极管。电容器CAP可与光电二极管PD并联连接。第一晶体管TR1可响应于栅信号，将从光电二极管PD传递的检测信号传递至信号处理器。第二晶体管TR2可将栅信号传递至第一晶体管TR1。光传感器可在显示装置等中使用。例如，光传感器可设置在显示装置下方或显示装置上方，并且可用作用于识别显示装置等的用户的指纹识别传感器。下文，将参考图1至图12描述根据本专利技术的示例性实施方式的制造光传感器的方法。图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11和图12为示出制造图1中的光传感器的方法的横截面图。参考图2，第一有源层121和第二有源层122可形成在基板100上方。首先，缓冲层110可形成在基板100上。例如，无机绝缘材料(比如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)等)可沉积在基板100上以形成缓冲层110。然后，第一有源层121和第二有源层122可形成在缓冲层110上。例如，非晶硅可沉积在缓冲层110上以形成非晶硅层，并且可通过使用例如准分子激光器等的热处理使非晶硅层结晶，以形成多晶硅层。进一步地，可蚀刻多晶硅层以形成第一有源层121和第二有源层122。参考图3，第一栅电极141、第一电容器电极142和第二栅电极143可形成在基板100上方。首先，覆盖第一有源层121和第二有源层122的第一绝缘层130可形成在缓冲层110上。例如，无机绝缘材料(比如氧化硅(SiOx)等)可沉积在缓冲层110上以覆盖第一有源层121和第二有源层122，从而形成第一绝缘层130。然后，第一栅电极141、第一电容器电极142和第二栅电极143可形成在第一绝缘层130上。例如，导电材料(比如钼(Mo)、铜(Cu)等)可沉积在第一绝缘层130上以形成导电层，并且可蚀刻导电层以形成第一栅电极141、第一电容器电极142和第二栅电极143。第一栅电极141和第二栅电极143可分别与第一有源层121和第二有源层122重叠。第一电容器电极142可设置在第一栅电极141和第二栅电极143之间。第一电容器电极142、第一栅电极141和第二栅电极143可设置在第一绝缘层130的同一层上。在示例性实施方式中，第一电容器电极142可包括位置比第一栅电极141和第二栅电极143中的每一个的上表面低的上表面。可在形成第一栅电极141和第二栅电极143之后使用第一栅电极141和第二栅电极143作为离子-注入掩模，将P-型(正)杂质或N-型(负)杂质注入到第一有源层121和第二有源层122中。因此，第一源区和第一漏区可形成在第一有源层121的相对侧处，并且第二源区和第二漏区可形成在第二有源层122的相对侧处。参考图4，第二绝缘层150可形成在第一栅电极141、第一电容器电极142和第二栅电极143上。首先，覆盖第一栅电极141、第一电容器电极142和第二栅电极143的第二绝缘层150可形成在第一绝缘层130上。例如，无机绝缘材料(比如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧氮化硅(SiOxNy)等)可沉积在第一绝缘层130上以覆盖第一栅电极141、第一电容器电极142和第二栅电极143从而形成第二绝缘层150。然后，第一源区接触孔CH1可形成在第二绝缘层150和第一绝缘层130中。第一源区接触孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造光传感器的方法，所述方法包括：/n在基板上形成第一导电层，所述第一导电层包括金属层和形成在所述金属层上的透明导电氧化物层；/n在所述第一导电层上形成光电导层；/n在所述光电导层上形成第二导电层；/n在所述第二导电层上形成第一光致抗蚀剂图案；/n使用各向同性的蚀刻工艺，使用所述第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻所述第二导电层以形成第二电极；/n使所述第一光致抗蚀剂图案变形，以形成第二光致抗蚀剂图案；以及/n使用所述第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模分别蚀刻所述光电导层和所述第一导电层，以形成光电导图案和第一电极。/n

【技术特征摘要】
20191101 KR 10-2019-01385031.一种制造光传感器的方法，所述方法包括：
在基板上形成第一导电层，所述第一导电层包括金属层和形成在所述金属层上的透明导电氧化物层；
在所述第一导电层上形成光电导层；
在所述光电导层上形成第二导电层；
在所述第二导电层上形成第一光致抗蚀剂图案；
使用各向同性的蚀刻工艺，使用所述第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻所述第二导电层以形成第二电极；
使所述第一光致抗蚀剂图案变形，以形成第二光致抗蚀剂图案；以及
使用所述第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模分别蚀刻所述光电导层和所述第一导电层，以形成光电导图案和第一电极。


2.根据权利要求1所述的方法，
其中所述透明导电氧化物层的电阻率大于所述金属层的电阻率。


3.根据权利要求1所述的方法，
其中所述透明导电氧化物层的厚度小于所述金属层的厚度。


4.根据权利要求1所述的方法，
其中所述光电导层包括：
N-型半导体层；
形成在所述N-型半导体层上的I-型半导体层；以及
形成在所述I-型半导体层上的P-型半导体层。


5.根据权利要求1所述的方法，
其中所述第二导电层包括透明导电氧化物。


6.根据权利要求1所述的方法，
其中所述蚀刻所述第二导电层以形成所述第二电极包括：在所述第一光致抗蚀剂图案下方形成底切区，并且
其中所述第二电极的侧壁从所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：全祐奭，金洸炫，河宪植，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR