薄膜沉积设备及半导体工艺方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜沉积设备及半导体工艺方法。薄膜沉积设备包括沉积炉管、晶圆装载区及晶圆传送装置；沉积炉管用于对晶圆进行薄膜沉积工艺；晶圆装置区设置有称量装置，称量装置用于承载放置有晶圆的晶圆盒并获得晶圆的重量；晶圆传送装置位于沉积炉管及晶圆装载区之间，用于在沉积炉管和晶圆装载区的晶圆盒之间传送晶圆。采用本发明专利技术的薄膜沉积设备可以及时掌握设备故障时晶圆所处的位置，从而为工作人员的排障作业提供参考，有助于降低晶圆被污染的风险。同时，本申请通过比较晶圆在薄膜沉积工艺前后的重量差以判断晶圆沉积的薄膜是否符合要求，相较于传统的检测方法极大简化，有助于减少检测时间、提高检测效率。

【技术实现步骤摘要】
薄膜沉积设备及半导体工艺方法
本专利技术涉及半导体芯片制造领域，特别是涉及一种薄膜沉积设备及半导体工艺方法。
技术介绍
批次型薄膜沉积工艺中，设备在装载/卸载晶圆的过程中，需要将晶圆盒从晶圆盒堆栈点转移到晶圆装载区，之后将晶圆从晶圆盒抓取到沉积腔室上并按顺序排列。这个过程需要传送装置来完成，如果在传送过程中发生故障，传送装置就会停在当前位置并产生报警以提醒工作人员进行处理。工作人员处理这种报警的流程通常包括确认传送装置上是否有晶圆以及确认传送装置是否在安全位置，根据位置的不同下不一样的指令。但这个过程中存在没办法判断传送装置是否处在安全位置的可能性，比如看不到传送装置的位置。这时候就需要将设备的后门打开，工作人员上半身进入设备中才能看到传送装置的位置，并据此作正确的后续处理。设备的后门一旦打开，沉积腔室内的所有晶圆就会暴露在空气中，存在被污染的风险。为了确保良率，通常需要工艺工程师根据经验、结合当时的情况判断是否将这些晶圆拉出来进行检测以决定是否可以继续进行工艺生产，但这又会导致生产时间的增加。同时，现有的晶圆膜厚检测方法过于复杂，且在膜厚检测本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜沉积设备包括：/n沉积炉管，用于对晶圆进行薄膜沉积工艺；/n晶圆装载区，所述晶圆装置区设置有称量装置，所述称量装置用于承载放置有晶圆的晶圆盒并获得晶圆的重量；/n晶圆传送装置，位于所述沉积炉管及所述晶圆装载区之间，用于在所述沉积炉管和所述晶圆装载区的所述晶圆盒之间传送晶圆。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜沉积设备包括：
沉积炉管，用于对晶圆进行薄膜沉积工艺；
晶圆装载区，所述晶圆装置区设置有称量装置，所述称量装置用于承载放置有晶圆的晶圆盒并获得晶圆的重量；
晶圆传送装置，位于所述沉积炉管及所述晶圆装载区之间，用于在所述沉积炉管和所述晶圆装载区的所述晶圆盒之间传送晶圆。


2.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于：所述称量装置在每片晶圆自所述沉积炉管传送至所述晶圆盒后对所述晶圆盒进行称量以获得晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量。


3.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于：所述称量装置在每5n片(n为大于等于1的整数)晶圆自所述沉积炉管传送至所述晶圆盒后对所述晶圆盒进行称量以获得所述5n片晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量。


4.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于：所述称量装置为2个以上。


5.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于：所述称量装置的称量精度为毫克。


6.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜沉积设备，其特征在于：所述薄膜沉积设备还包括控制装置，与所述称量装置相连接。


7.一种半导体工艺方法，其特征在于，所述半导体工艺方法包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓伟东，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37