一种双断口自均压真空灭弧室制造技术

本发明专利技术公开了一种自均压双断口真空灭弧室，两个商用真空灭弧室静端盖通过中间法兰连接，中间法兰连接中间屏蔽罩，上下侧真空灭弧室动端盖处分别连接上下端外部屏蔽罩，在上、下端外部屏蔽罩与中间屏蔽罩之间并联两个圆筒形陶瓷电容器，其内外表面为电极，作为上下端真空灭弧室的均压电容，实现断口间均压控制，上述圆筒形陶瓷电容器通过固体绝缘固定于外部屏蔽罩和中间屏蔽罩之间，屏蔽罩可以有效改善外部电场分布均匀性，减小断口对地杂散电容，实现比传统外部并联均压电容更好的均压效果。在上下端外部屏蔽罩分布有通气孔，便于罐式断路器中绝缘气体流入，提高内部耐压水平，同样达到对流散热效果。该发明专利技术专利具有结构简单、体积小、均压效果好等优点，作为紧凑型超特高压罐式多断口真空断路器的基本单元，为后期更高电压等级断路器奠定了基础。

【技术实现步骤摘要】
一种双断口自均压真空灭弧室
：本专利技术属于高压断路器领域，具体涉及一种双断口自均压真空灭弧室。
技术介绍
：真空灭弧室以真空介质为灭弧和绝缘介质，具有熄弧能力强、使用寿命长、绿色环保、体积小、重量轻等优点，在配电领域占有主导地位，单断口真空灭弧室由于真空击穿电压与间隙大小之间的饱和效应限制，电压等级一般低于126kV，采用多断口串联技术构成多断口真空断路器是其向超特高压领域应用的重要途径，但由于对地杂散电容的影响造成各个断口间电压分布极不均匀，在双断口真空断路器中，高压断口可能承受将近70％的总电压，高压侧断口电压可能会发生击穿进而导致低压侧断口相继击穿，造成开断失败。多断口真空断路器电压分布不均匀，传统采用外部并联均压电容的方法，但该方法增加了整体的绝缘空间，不利于罐式组合电器的紧凑型集成设计。传统屏蔽罩均压方式未采用气体作为介质，构建的均压电容一般为100～300pF的均压电容，尚不能满足断口间的均压要求。本专利技术提出均压屏蔽罩和圆筒形陶瓷均压电容的集成均压结构配置，可构建较大的均压电容值，实现断口间较好的均压效果，以目前商业应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自均压双断口真空灭弧室，其主要特征在于包括上下侧真空灭弧室VI1和VI2、上下端圆筒形陶瓷电容器、上下端外部屏蔽罩、中间屏蔽罩、固定绝缘材料、中间法兰、环氧树脂等，上述部件通过固封、焊接等实现，其中真空灭弧室可选用72.5kV以上电压等级，上下端真空灭弧室静端盖串联固定于中间法兰上，上下端圆筒形陶瓷电容器采用BN 302等高介电常数陶瓷材料，内表面电极与中间屏蔽罩连接，外表面电极与上下端外部屏蔽罩连接，中间屏蔽罩固定于中间法兰上，上述圆筒形陶瓷电容器通过固体绝缘固定于外部屏蔽罩和中间屏蔽罩之间，屏蔽罩可以有效改善外部电场分布均匀性，减小断口对地杂散电容，实现比传统外部并联均压电容更好的...

【技术特征摘要】
1.一种自均压双断口真空灭弧室，其主要特征在于包括上下侧真空灭弧室VI1和VI2、上下端圆筒形陶瓷电容器、上下端外部屏蔽罩、中间屏蔽罩、固定绝缘材料、中间法兰、环氧树脂等，上述部件通过固封、焊接等实现，其中真空灭弧室可选用72.5kV以上电压等级，上下端真空灭弧室静端盖串联固定于中间法兰上，上下端圆筒形陶瓷电容器采用BN302等高介电常数陶瓷材料，内表面电极与中间屏蔽罩连接，外表面电极与上下端外部屏蔽罩连接，中间屏蔽罩固定于中间法兰上，上述圆筒形陶瓷电容器通过固体绝缘固定于外部屏蔽罩和中间屏蔽罩之间，屏蔽罩可以有效改善外部电场分布均匀性，减小断口对地杂散电容，实现比传统外部并联均压电容更好的均压效果。


2.如权利要求1所述的一种自均压双断口真空灭弧室，其特征在于：两个真空灭弧室VI1、VI2静端盖通过中间法兰连接，可采用两个72.5kV真空灭弧室可实现145kV电压等级开断，采用两个126kV灭弧室可以实现252kV电压等级开断。


3.如权利要求1所述的一种自均压双断口真空灭弧室，其特征在于：上下端圆筒形陶瓷电容器可采用陶瓷介质材料，如：BN302、Y5P、CH、BT等陶瓷材料，高度为20～50mm，厚度为20～80mm，介电常数在1000～5000之间，电容值为500～10000pF。


4.如权利要求1所述的一种自均压双断口真空灭弧室，其特征在于：采用上下端圆筒形陶瓷电容器通过上下端外部屏蔽罩和中间屏蔽罩并联于VI1、VI2两端，VI1、VI2并联的均压电容值为500～10000pF，上端圆筒形陶瓷电容器连接于上端外部屏蔽罩与中间屏蔽罩重叠区域，下端圆筒形陶瓷电容器连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛国伟，程显，杜帅，田小倩，李鑫，陈辉，
申请(专利权)人：郑州大学，
类型：发明
国别省市：河南;41