抗蚀剂组成物及图案形成方法技术

本发明专利技术涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明专利技术的课题为提供在以ArF准分子激光等高能射线作为光源的光学光刻中，展现特别良好的掩膜尺寸依存性(掩膜误差系数：MEF)、LWR、尺寸均匀性(CDU)的抗蚀剂组成物，以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物，其特征为含有：(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元，且不含具有芳香族取代基的重复单元的树脂、(B)通式(B‑1)表示的光酸产生剂、及(C)溶剂。

【技术实现步骤摘要】
抗蚀剂组成物及图案形成方法
本专利技术关于抗蚀剂组成物及图案形成方法。
技术介绍
伴随LSI的高集成化与高速化，微细化也在急速进展。就最先进的微细化技术而言，现已实施将水等液体插入于投影透镜与基板之间来实施曝光的ArF浸润式光刻达成的量产，且现正进行ArF光刻的多重曝光(多重图案化，multi-patterning)、波长13.5nm的极紫外线(EUV)光刻等的探讨。上述光刻所使用的化学增幅型抗蚀剂材料之中，使用因曝光而分解并产生酸的化合物(以下称“酸产生剂”)，而通过将酸产生剂中的结构最适化，可抑制酸扩散，并能形成高分辨率的图案。已有人探讨如此的酸产生剂，例如专利文献1～4所揭示者。现有技术文献专利文献[专利文献1]日本特开2008-074843[专利文献2]日本特开2009-191054[专利文献3]日本特开2011-126869[专利文献4]日本特开2012-072108
技术实现思路
专利技术要解决的问题当更进一步微细化时，以往探讨的酸产生剂就以分辨率、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗蚀剂组成物，其特征为含有：/n(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元，且不含具有芳香族取代基的重复单元的树脂，/n(B)通式(B-1)表示的光酸产生剂，及/n(C)溶剂；/n

【技术特征摘要】
20191107 JP 2019-2022911.一种抗蚀剂组成物，其特征为含有：
(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元，且不含具有芳香族取代基的重复单元的树脂，
(B)通式(B-1)表示的光酸产生剂，及
(C)溶剂；



式中，W1表示碳数4～12的含有杂原子的环状2价烃基；W2表示碳数4～14的不含杂原子的环状1价烃基；Rf为上述通式表示的2价有机基团，A1、A2分别独立地表示氢原子或三氟甲基，B1、B2分别独立地表示氢原子、氟原子或三氟甲基，*表示和羰基氧基的原子键；m表示0～4，n表示0～1的整数；M+表示鎓阳离子。


2.根据权利要求1所述的抗蚀剂组成物，其中，该通式(B-1)中的W1为碳数6～12的含有内酯环结构的环状2价烃基。


3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂组成物，其中，该通式(B-1)中的W2为碳数7～14的不含杂原子的多环状1价烃基。


4.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂组成物，其中，该通式(B-1)中的Rf基团选自于下式(Rf-1)～(Rf-6)表示的基团；



*表示和氧基羰基的原子键。


5.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂组成物，更含有(D)成分，是和(A)成分的树脂不同的树脂，且是具有选自于下式(D-1)、(D-2)及(D-3)表示的重复单元中的至少1种的含氟树脂；

【专利技术属性】
技术研发人员：阿达铁平，山下信也，大桥正树，藤原敬之，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP