一体化粘接SiPM探测器的制作方法及安装平台技术

本公开涉及一体化粘接SiPM探测器的制作方法及安装平台，该方法包括：根据SiPM阵列制作反射层，在反射层上形成与SiPM阵列匹配的方格阵列；在折叠后的反射层的反射面上涂覆第一粘接胶，并对闪烁晶体阵列进行包覆，粘贴后反射层在闪烁晶体阵列的四周均有预设尺寸的留边；将粘接有反射层的闪烁晶体阵列从工装下方推入到工装内，反射层的留边紧贴闪烁晶体阵列的侧壁；在第一粘接胶未固化情况下，在反射层与反射面相反的另一表面上涂覆第二粘接胶，并利用SiPM阵列进行覆盖，将方格与SiPM对位匹配；对第一粘接胶和第二粘接胶进行固化完成一体化粘接。本公开使得SiPM探测器模块的制作过程可以简化操作步骤、减少操作工时。

【技术实现步骤摘要】
一体化粘接SiPM探测器的制作方法及安装平台
本公开涉及γ射线探测
，尤其涉及一种一体化粘接SiPM探测器的制作方法及安装平台。
技术介绍
硅光电倍增管(SiliconPhotomultiplie，简称SiPM)采用CMOS工艺制造，是工作在盖革模式下的雪崩光电二极管阵列，与传统的光电倍增管相比，不仅增益大、工作电压低，还具有体积小、重量轻、工艺兼容性好、对磁场不敏感的优点。随着其技术日趋成熟，在微弱光探测、辐射探测等领域发挥着重要作用。在核医学领域，光电倍增管(PhotomultiplierTube，简称PMT)通常用阵列的形式使用，而具有更小光电灵敏区域的SiPM，需要更大规模的阵列的形式使用。针对探测器模组的设计要求，需要将M*N的SiPM阵列、反射层及闪烁晶体阵列进行耦合，耦合方式一般采用光学胶进行耦合。而常规的探测器制作方式是：先用光学胶将闪烁晶体阵列和反射层进行粘接，然后进行胶固化，继而对多余光学胶进行清洁处理，最后再和SiPM阵列再次通过光学胶进行耦合。这种制作方法，制作步骤较多，耗费的生产工时也比较长。另外，由于反本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种一体化粘接SiPM探测器的制作方法，其特征在于，包括：/nS0、根据SiPM阵列制作反射层，在反射层上形成与SiPM阵列匹配的方格阵列；/nS2、在折叠后的反射层的反射面上涂覆第一粘接胶，并对闪烁晶体阵列进行包覆，粘贴后反射层在闪烁晶体阵列的四周均有预设尺寸的留边；/nS4、将粘接有反射层的闪烁晶体阵列从工装下方推入到工装内，反射层的留边紧贴闪烁晶体阵列的侧壁；/nS6、在第一粘接胶未固化情况下，在反射层与反射面相反的另一表面上涂覆第二粘接胶，并利用SiPM阵列进行覆盖，将方格与SiPM对位匹配；/nS8、对第一粘接胶和第二粘接胶进行固化完成一体化粘接。/n

【技术特征摘要】
1.一种一体化粘接SiPM探测器的制作方法，其特征在于，包括：
S0、根据SiPM阵列制作反射层，在反射层上形成与SiPM阵列匹配的方格阵列；
S2、在折叠后的反射层的反射面上涂覆第一粘接胶，并对闪烁晶体阵列进行包覆，粘贴后反射层在闪烁晶体阵列的四周均有预设尺寸的留边；
S4、将粘接有反射层的闪烁晶体阵列从工装下方推入到工装内，反射层的留边紧贴闪烁晶体阵列的侧壁；
S6、在第一粘接胶未固化情况下，在反射层与反射面相反的另一表面上涂覆第二粘接胶，并利用SiPM阵列进行覆盖，将方格与SiPM对位匹配；
S8、对第一粘接胶和第二粘接胶进行固化完成一体化粘接。


2.如权利要求1所述的一体化粘接SiPM探测器的制作方法，其特征在于，步骤S0之后，步骤S2之前还包括：
S1、将反射层按照预设尺寸的留边进行折叠，在四周形成折叠起的留边，反射层整体形成盒状。


3.如权利要求1所述的一体化粘接SiPM探测器的制作方法，其特征在于，所述反射层的厚度大于或等于50um。


4.如权利要求1所述的一体化粘接SiPM探测器的制作方法，其特征在于，所述留边的预设尺寸为40～80um。


5.如权利要求2所述的一体化粘接SiPM探测器的制作方法，其特征在于，所述粘接有反射层的闪烁晶体阵列为顶部包覆有盒...

【专利技术属性】
技术研发人员：王淑香，吕长杰，
申请(专利权)人：江苏赛诺格兰医疗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32